HY62LF16804A系列
512Kx16bit全CMOS SRAM
文档标题
512K X16位2.5V的超低功耗全CMOS SRAM慢
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版本号
04
历史
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- 可靠性规格删除
改变交流特性
- tCLZ ： 10/10/20 - 10/10/10 >
- tBLZ ： 5/5/5
--- > 10/10/10
零件编号被改变
- HY62LF16803A --> HY62LF16804A
标记指令插入
测试条件改变
- I
LO
/ I
SB
/ I
SB1
/ V
DR
/ I
CCDR
标记Istruction插入
变化的标志
- 现代
à
海力士
草案日期
Jul.02.2000
备注
初步
05
Oct.23.2000
初步
06
Nov.13.2000
初步
07
08
Dec.5.2000
Dec.16.2000
初步
初步
09
Apr.28.2001
初步
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
Rev.09 /四月2001年
海力士半导体
HY62LF16804A系列
初步
描述
该HY62LF16804A是一种高速，超低价
电源和8Mbit的全CMOS SRAM作为组织
524,288字由16位。该HY62LF16804A
采用高性能的全CMOS工艺
技术和设计用于高速和
低功耗电路技术。它特别良好
适合于高密度的低功率系统
应用程序。此装置具有的数据保留
模式，保证数据仍然有效，在一
1.2V的最小供电电压。
产品
电压
速度
号
(V)
（纳秒）
HY62LF16804A-C
2.3~2.7 70/85/100
HY62LF16804A-我
2.3~2.7 70/85/100
注1. C：商业， I：工业
2.电流值最大。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
备用电池（ LL / SL-部分）
- 1.2V （分）的数据保留
标准引脚配置
- 48 - UBGA
手术
电流/ ICC（毫安）
3
3
待机电流（ UA）
LL
SL
30
8
30
8
温度
(°C)
0~70
-45~85
引脚连接
（顶视图）
A1,A2
A4,A6~A7
A9
A12
A15~A18
A8
框图
添加输入
卜FF器
ROW
解码器
SENSE AMP
I/O1
/磅
/ OE A0
A1
A4
A6
A2
NC
COLUMN
解码器
IO9 / UB A3
IO10 IO11 A5
/ CS IO1
IO2 IO3
IO4的Vcc
I/O8
数据I / O
卜FF器
添加输入
卜FF器
PRE解码器
A10
A13
A14
A0
A3
A5
VSS IO12 A17 A7
存储阵列
512K ×16
写入驱动器
I/O9
块
解码器
VCC IO13 Vss的A16 IO5 Vss的
IO15 IO14 A14 A15 IO6 IO7
IO16 NC
A18 A8
A12 A13 / WE IO8
A9
A10 A11 NC
添加输入
卜FF器
I/O16
A11
/ CS
/ OE
/磅
/ UB
/ WE
引脚说明
引脚名称
/ CS
/ WE
/ OE
/磅
/ UB
引脚功能
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
低字节控制（ I / O1 I / O8 ）
高字节控制（ I / O9 I / O16 ）
引脚名称
I/O1~I/O16
A0~A18
VCC
VSS
NC
引脚功能
数据输入/输出
地址输入
Power(2.3V~2.7V)
地
无连接
Rev.09 /四月2001年
2
HY62LF16804A系列
订购信息
产品型号
速度
HY62LF16804A-DMC
70/85/100
HY62LF16804A-SMC
70/85/100
HY62LF16804A-DMI
70/85/100
HY62LF16804A-SMI
70/85/100
注1. C：商业， I：工业
动力
LL-部分
SL-部分
LL-部分
SL-部分
包
UBGA
UBGA
UBGA
UBGA
温度。
C
C
I
I
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
V
IN，
V
OUT
VCC
T
A
T
英镑
P
D
T
SOLDER
参数
输入/输出电压
电源
工作温度
储存温度
功耗
球焊接温度&时间
等级
-0.2 3.6
-0.2 4.6
0到70
-40到85
-55到150
1.0
260
10
单位
V
V
°C
°C
°C
W
°C
美国证券交易委员会
备注
HY62LF16804A-C
HY62LF16804A-I
记
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
真值表
/ CS
H
X
L
L
L
/ WE
X
X
H
H
H
/ OE
X
X
H
H
L
/磅
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
/ UB
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
模式
取消
取消
输出禁用
输出禁用
读
I / O
I / O1 I / O8 I / O9 I / O16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
D
IN
D
IN
D
IN
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
L
L
X
写
活跃
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X =不关心（V
IH或
V
IL ）
2， UB ， LB （上，下字节使能）
这些低电平输入允许单个字节写入或读取。
当LB为低时，数据被写入或读出的低位字节，I / O1 ... I / O8 。
当UB为低时，数据被写入或读出的高字节，I / O9 -I / O16 。
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HY62LF16804A系列
建议的直流工作条件
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
2.3
0
2.0
-0.3
(1)
典型值。
2.5
0
-
-
马克斯。
2.7
0
Vcc+0.3
0.6
单位
V
V
V
V
注：1。 VIL = -1.5V脉冲宽度小于30ns的
DC电气特性
VCC = 2.3V 2.7V ，T
A
= 0 ° C至70 ° C / -40 ° C至85°C
符号
I
LI
I
LO
参数
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
VSS < V
OUT
＆ LT ; VCC ， / CS = V
IH
or
/
OE
=
V
IH
或/ WE = V
白细胞介素，
/
UB
=
/ LB = V
IH
/ CS = V
IL
, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
周期时间=最小， 100 ％的关税，
I
I / O =
0毫安， / CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
IL
周期时间= 1us的， 100 ％的关税，
I
I / O =
0毫安， / CS < 0.2V ，V
IN
<0.2V
/ CS = V
IH
或/ UB = / LB = V
IH
,
V
IN
= V
IH
或V
IL
/ CS >为VCC - 0.2V或
SL
/ UB = / LB > VCC- 0.2V ，
LL
V
IN
> VCC- 0.2V或
V
IN
< VSS + 0.2V
I
OL
- 0.5毫安
I
OH =
-0.5mA
分钟。
-1
-1
典型值
.
-
-
马克斯。
1
1
单位
uA
uA
ICC
工作电源
当前
平均开工
当前
TTLStandbyCurrent
（ TTL输入）
-
-
-
3
30
5
0.3
8
30
mA
mA
mA
mA
uA
uA
Icc1
I
SB
I
SB1
-
-
-
-
-
-
-
8
待机电流
（ CMOS输入）
V
OL
V
OH
输出低电压
输出高电压
-
2.0
-
-
0.4
-
V
V
注意：
1.典型值是在Vcc = 2.5V ，T
A
= 25°C
2.典型值不是100 ％测试
电容
（温度= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
参数
C
IN
输入电容（添加， / CS ， / WE ， / OE ）
C
OUT
输出电容（ I / O）
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试
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HY62LF16804A系列
AC特性
VCC = 2.3V 2.7V ，T
A
= 0℃至70 ℃/ -40 ℃至85 ℃，除非另有说明
-70
-85
#
符号参数
分钟。
MAX 。 MIN 。
马克斯。
读周期
1
TRC
读周期时间
70
-
85
-
2
TAA
地址访问时间
-
70
-
85
3
TACS
芯片选择访问时间
-
70
-
85
4
TOE
输出使能到输出有效
-
40
-
45
5
TBA
/ LB ， / UB访问时间
-
70
-
85
6
TCLZ
片选到输出中低Z
10
-
10
-
7
TOLZ
输出使能到输出中低Z
5
-
5
-
8
tBLZ
/ LB ， / UB启用到输出中低Z
10
-
10
-
9
TCHZ
芯片取消选择到输出中高Z
0
30
0
30
10 tOHZ
输出禁用到输出中高Z
0
30
0
30
11 tBHZ
/ LB ， / UB禁用到输出中高Z
0
30
0
30
12 TOH
从地址变更输出保持
10
-
10
-
写周期
13 TWC
写周期时间
70
-
85
-
14 TCW
芯片的选择要写入的结束
60
-
70
-
15 TAW
地址有效到写结束
60
-
70
-
16 TBW
/ LB ， / UB有效到写结束
60
-
70
-
17 TAS
地址建立时间
0
-
0
-
18 TWP
把脉冲宽度
50
-
55
-
19 tWR的
写恢复时间
0
-
0
-
20 tWHZ
写在高Z输出
0
25
0
30
21 TDW
数据写入时间重叠
30
-
35
-
22 TDH
从时间写数据保持
0
-
0
-
23 TOW
输出写入结束活动
5
-
5
-
-10
民
马克斯。
100
-
-
-
-
10
5
10
0
0
0
15
100
80
80
80
0
75
0
0
45
0
10
-
100
100
50
100
-
-
-
30
30
30
-
-
-
-
-
-
-
-
35
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
AC测试条件
T
A
= 0 ° C至70 ° C（商业） / -40 ° C至85°C ，除非另有说明
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
tCLZ ， TOLZ ， tBLZ ， tCHZ均， tOHZ ， tBHZ ， tWHZ ，拖车
输出负载
其他
价值
0.4V至2.2V
5ns
1.1V
CL = 5pF的+ 1TTL负荷
CL = 30pF的+ 1TTL负荷
AC测试负载
V
Tm值
= 2.3V
3067欧姆
D
OUT
CL(1)
3345欧姆
记
1.包括夹具和范围电容
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4
QQ：2880707522 复制
