HY62KF08401C系列
512Kx8bit全CMOS SRAM
文档标题
512K X 8位2.7 3.6V超低功耗FCMOS慢速SRAM
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版本号
历史
草案日期
备注
00
最初的草案
Mar.21.2001
最终科幻
01
改变ISB1值
Jun.07.2001
最终科幻
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何责任
使用说明电路。没有专利许可。
Rev.01 / Jun.01
海力士半导体
HY62KF08401C系列
描述
该HY62KF08401C是一种高速，超低价
电源和4Mbit的全CMOS SRAM作为组织
512K字由8位。该HY62KF08401C用途
高性能的全CMOS工艺技术
并且被设计用于高速，低功率
电路技术。它特别适合用于
高密度低功耗系统中的应用。
此装置具有的数据保留模式
保证数据保持在有效的最低
1.2V的电源电压。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
备用电池
- 。 1.2V （分）的数据保留
标准引脚配置
- 。 32 - sTSOP - 8X13.4 （标准）
产品编号
HY62KF08401C-I
电压
(V)
2.7~3.6
速度快（纳秒）
55/70
手术
电流/ ICC（毫安）
5
待机
电流（微安）
LL
SL
15
6
温度
(°C)
-40~85
注1.我：工业
2.电流值最大。
引脚连接
A11
A9
A8
A13
/ WE
A18
A15
VCC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
A0
框图
ROW
解码器
I/O1
SENSE AMP
COLUMN
解码器
添加输入
卜FF器
PRE解码器
数据I / O
卜FF器
存储阵列
512K ×8
写入驱动器
块
解码器
A18
I/O8
32 sTSOP转发
/ CS
/ OE
/ WE
引脚说明
引脚名称
/ CS
/ WE
/ OE
A0 ~ A18
引脚功能
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
地址输入
引脚名称
I / O1 I / O8
VCC
VSS
引脚功能
数据输入/输出
功率（ 2.7 3.6V ）
地
Rev.01 / Jun.01
2
HY62KF08401C系列
订购信息
产品型号
HY62KF08401C-DS(I)
HY62KF08401C-SS(I)
注1.我：工业
速度
55/70
55/70
动力
LL-部分
SL-部分
温度
.
I
I
包
STSOP
STSOP
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
V
IN，
V
OUT
VCC
T
A
T
英镑
P
D
T
SOLDER
参数
输入/输出电压
电源
工作温度
储存温度
功耗
球焊接温度&时间
等级
-0.3 3.6
-0.3 4.6
-40到85
-55到150
1.0
260
10
单位
V
V
°C
°C
W
° C秒
备注
HY62KF08401C-I
记
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
真值表
/ CS
H
L
/ WE
X
H
L
/ OE
X
H
L
X
模式
取消
输出禁用
读
写
I / O操作
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
电源电流
待机
活跃
活跃
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X =不关心（V
IL或
V
IH
)
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HY62KF08401C系列
建议的直流工作条件
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
2.7
0
2.2
-0.3
1.
典型值
3.0或3.3
0
-
-
马克斯。
3.6
0
Vcc+0.3
0.6
单位
V
V
V
V
注： 1。冲： VIL = -1.5V脉冲宽度小于30ns的
2.冲进行采样，而不是100 ％测试。
DC电气特性
T
A
= -40 ° C至85°C
符号
参数
I
LI
输入漏电流
I
LO
ICC
输出漏电流
工作电源电流
测试条件
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
VSS < V
OUT
＆ LT ; VCC ， / CS = V
IH
or
/
OE
=
V
IH
或/ WE = V
IL
/ CS = V
IL
,
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
/ CS = V
白细胞介素，
2.7~3.6V
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
周期时间=最小，
2.7~3.3V
100 ％的责任，我
I / O =
0mA
/ CS < 0.2V
,
V
IN
< 0.2V或V
IN
> VCC- 0.2V
,
周期时间= 1us的，
100 ％的责任，我
I / O =
0mA
/ CS = V
IH
或V
IN
= V
IH
或V
IL
/ CS >为VCC - 0.2V或
LL
V
IN
>的Vcc - 0.2V或
SL
V
IN
< VSS + 0.2V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH =
-1.0mA
民
-1
-1
典型值
1.
-
-
最大
1
1
5
45
40
单位
uA
uA
mA
mA
mA
I
CC1
平均工作电流
5
0.5
15
6
0.4
-
mA
mA
uA
uA
V
V
I
SB
I
SB1
V
OL
V
OH
待机电流
（ TTL输入）
待机电流
（ CMOS输入）
输出低
输出高
0.2
-
2.4
0.2
-
-
记
1.典型值是在Vcc = 3.0V牛逼
A
= 25°C
2.典型值不是100 ％测试
电容
（温度= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
参数
C
IN
输入电容（添加， / CS ， / WE ， / OE ）
C
OUT
输出电容（ I / O）
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
Rev.01 / Jun.01
3
HY62KF08401C系列
AC特性
T
A
= -40 ℃至85 ℃，除非另有说明
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
符号
参数
55ns
分钟。马克斯。
55
-
-
-
10
5
0
0
10
55
50
50
0
45
0
0
25
0
5
-
55
55
30
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
70ns
分钟。马克斯。
70
-
-
-
10
5
0
0
10
70
60
60
0
50
0
0
30
0
5
-
70
70
35
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期
TRC
读周期时间
TAA
地址访问时间
TACS
芯片选择访问时间
TOE
输出使能到输出有效
TCLZ
片选到输出中低Z
TOLZ
输出使能到输出中低Z
TCHZ
芯片取消选择到输出中高Z
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
TOH
从地址变更输出保持
写周期
TWC
写周期时间
TCW
芯片的选择要写入的结束
TAW
地址有效到写结束
TAS
地址建立时间
TWP
把脉冲宽度
tWR的
写恢复时间
tWHZ
写在高Z输出
TDW
数据写入时间重叠
TDH
从时间写数据保持
拖车
输出写入结束活动
AC测试条件
T
A
= -40 ℃至85 ℃，除非另有说明
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载tCLZ ， TOLZ ， tCHZ均， tOHZ ， tWHZ ，拖车
OTHERS
价值
0.4V至2.2V
5ns
1.5V
CL = 5pF的+ 1TTL负荷
CL = 30pF的+ 1TTL负荷
AC测试负载
V
TM
=2.8V
1029欧姆
D
OUT
CL(1)
1728欧姆
记
1.包括夹具和范围电容
Rev.01 / Jun.01
4
QQ：2880707522 复制
