【HY628400A系列512Kx8bit CMOS SRAM文档标题512K ×8位5.0V低功耗C】,IC型号HY628400ALLR2-I,HY628400ALLR2-I PDF资料,HY628400ALLR2-I经销商,ic,电子元器件-51电子网

HY628400A系列

512Kx8bit CMOS SRAM

文档标题

512K ×8位5.0V低功耗CMOS SRAM慢

修订历史

版本号

04

05

06

历史

修订历史将

修订

- 更改Iccdr值： 15uA = >的20uA

标识信息添加

修订

-

E.T （ -25 85°C ）， I.T （ -40 85°C ）部分插入

-

AC测试条件添加： 5pF的负载测试

改变的标志

- 韩国现代海力士->

- 标识信息变更

草案日期

Jul.06.2000

Aug.04.2000

Dec.04.2000

备注

最终科幻

07

Apr.30.2001

最终科幻

这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何责任

使用说明电路。没有专利许可。

转07 / 2001年4月

海力士半导体

HY628400A系列

描述

该HY628400A是一种高速，低功耗，

4M比特组织为512K字CMOS SRAM

由8位。该HY628400A采用海力士的高

高性能双桶CMOS工艺技术

与被设计用于高速，低功率

电路技术。它特别适于供

在高密度和低功率系统中使用

应用程序。此装置具有的数据保留

模式，保证数据将保持在所述有效

2.0V的最小供电电压。

产品

电压

速度

号

(V)

（纳秒）

HY628400A

4.5~5.5 55/70/85

HY628400A -E 4.5 5.5 55/70/85

HY628400A-I

4.5~5.5 55/70/85

注意事项1.当前值最大。

手术

电流/ ICC（毫安）

10

特点

完全静态的操作和三态输出

TTL兼容的输入和输出

低功耗

备用电池（L / LL -部分）

- 。 2.0V （分）的数据保留

标准引脚配置

- 。 32引脚525mil SOP

- 。 32引脚400mil TSOP -II

（标准和反向）

待机电流（ UA）

L

LL

100

30

100

50

100

50

温度

(°C)

0~70

-25~85

-40~85

引脚连接

A18

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

VCC

A15

A17

/ WE

A13

A8

A9

A11

/ OE

A10

/ CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

A18

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

VCC

A15

A17

/ WE

A13

A8

A9

A11

/ OE

A10

/ CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

VCC

A15

A17

/ WE

A13

A8

A9

A11

/ OE

A10

/ CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

A18

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

SOP

TSOP -II （标准）

TSOP -II （反向）

引脚说明

引脚名称

/ CS

/ WE

/ OE

A0 ~ A18

I / O1 I / O8

VCC

VSS

引脚功能

芯片选择

写使能

OUTPUT ENABLE

地址输入

数据输入/输出

Power(4.5~5.5V)

地

框图

A0

行解码器

I/O1

SENSE AMP

添加输入缓冲器

列解码器

数据I / O

卜FF器

存储阵列

512Kx 8

写入驱动器

I/O8

A18

/ CS

/ OE

/ WE

控制

逻辑

转07 / 2001年4月

2

HY628400A系列

订购信息

产品型号

HY628400ALG

HY628400ALLG

HY628400ALG-E

HY628400ALLG-E

HY628400ALG-I

HY628400ALLG-I

HY628400ALT2

HY628400ALLT2

HY628400ALT2-E

HY628400ALLT2-E

HY628400ALT2-I

HY628400ALLT2-I

HY628400ALR2

HY628400ALLR2

HY628400ALR2-E

HY628400ALLR2-E

HY628400ALR2-I

HY628400ALLR2-I

速度

55/70/85

动力

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

温度

0-70°C

-25-85°C

-40-85°C

0-70°C

-25-85°C

-40-85°C

0-70°C

-25-85°C

-40-85°C

包

SOP

TSOP -II （标准）

TSOP -II （反向）

绝对最大额定值（ 1 ）

符号

VCC ，V

IN，

V

OUT

T

A

参数

电源，输入/输出电压

工作温度

HY628400A

HY628400A-E

HY628400A-I

储存温度

功耗

数据输出电流

引线焊接温度&时间

等级

-0.5 7.0

0到70

-25到85

-40到85

-65到150

1.0

50

260

10

单位

V

°C

W

MA

° C秒

T

英镑

P

D

I

OUT

T

SOLDER

记

1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的

损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或

超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。

暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能会影响可靠度。

真值表

/ CS

H

L

/ WE

X

H

L

/ OE

X

H

L

X

模式

取消

输出禁用

读

写

I / O操作

高-Z

数据输出

DATA IN

动力

待机

活跃

注意：

1. H = V

IH

中，L = V

IL

， X =不关心（V

IH

或V

IL

)

转07 / 2001年4月

2

HY628400A系列

建议的直流工作条件

T

A

= 0

70

普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级），除非另有说明。

to

(

符号

参数

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

VCC

电源电压

4.5

5.0

5.5

V

VSS

地

0

V

IH

输入高电压

2.2

-

Vcc+0.5

V

IL

输入低电压

-0.5

(1)

-

0.8

V

注意：

1. V

IL

= -1.5V脉冲宽度小于30ns的，而不是100 ％测试。

DC电气特性

T

A

= 0

70

普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级），除非另有说明。

to

(

符号

参数

测试条件

分钟。

典型值。马克斯。单位

I

LI

输入漏电流

VSS < V

IN

＆ LT ; VCC

-1

-

1

UA

I

LO

输出漏电流

VSS < V

OUT

＆ LT ; VCC ， / CS = V

IH

or

-1

-

1

UA

/

OE

=

V

IH

或/ WE = V

IL

ICC

工作电源

/ CS = V

IL

,

-

10

MA

当前

V

IN

= V

IH

或V

白细胞介素，

I

I / O =

0mA

I

CC1

平均工作电流

/ CS = V

IL

-

60

MA

最小占空比= 100 ％，

V

IN

= V

IH

或V

白细胞介素，

I

I / O =

0mA

I

SB

TTL待机电流

/ CS = V

IH

-

2

MA

（ TTL输入）

V

IN

= V

IH

或V

IL

I

SB1

待机电流

/ CS >为VCC - 0.2V ，

L

-

100

uA

（ CMOS输入）

V

IN

>的Vcc - 0.2V或

LL

-

30

uA

V

IN

< VSS + 0.2V

L- E / I

-

100

uA

LL -E / I

-

50

uA

V

OL

输出低电压

I

OL

= 2.1毫安

-

0.4

V

OH

输出高电压

I

OH =

-1mA

2.4

-

V

注：典型值是在Vcc = 5.0V ，T

A

= 25°C

电容

温度= 25 ° C，F = 1.0MHz的

符号

参数

C

IN

输入电容

C

OUT

输出电容

条件

V

IN

= 0V

V

I / O

= 0V

马克斯。

6

8

单位

pF

注：该参数进行采样，并没有100 ％测试

转07 / 2001年4月

3

HY628400A系列

AC特性

T

A

= 0

70

普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级），除非另有说明。

to

(

55ns

70ns

85ns

＃符号

参数

单位

分钟。

MAX 。 MIN 。

马克斯。民

马克斯。

读周期

1

TRC

读周期时间

55

-

70

-

85

-

ns

2

TAA

地址访问时间

-

55

-

70

-

85

ns

3

TACS

芯片选择访问时间

-

55

-

70

-

85

ns

4

TOE

输出使能到输出有效

-

25

-

40

-

45

ns

5

TCLZ

片选到输出中低Z

10

-

10

-

10

-

ns

6

TOLZ

输出使能到输出中低Z

5

-

5

-

5

-

ns

7

TCHZ

芯片取消选择到输出中高Z

0

20

0

25

0

30

ns

8

tOHZ

输出禁用到输出中高Z

0

20

0

25

0

30

ns

9

TOH

从地址变更输出保持

10

-

10

-

10

-

ns

写周期

10 TWC

写周期时间

55

-

70

-

85

-

ns

11 TCW

芯片的选择要写入的结束

45

-

60

-

70

-

ns

12 TAW

地址有效到写结束

45

-

60

-

70

-

ns

13 TAS

地址建立时间

0

-

0

-

0

-

ns

14 TWP

把脉冲宽度

40

-

50

-

55

-

ns

15 TWR

写恢复时间

0

-

0

-

0

-

ns

16 tWHZ

写在高Z输出

0

20

0

25

0

30

ns

17 TDW

数据写入时间重叠

25

-

30

-

40

-

ns

18 TDH

从时间写数据保持

0

-

0

-

0

-

ns

19 TOW

输出写入结束活动

5

-

5

-

5

-

ns

AC测试条件

T

A

= 0

70

普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级），除非另有说明。

to

(

参数

价值

输入脉冲电平

0.8V至2.4V

输入上升和下降时间

5ns

输入和输出时序参考电平

1.5V

输出负载

tCLZ ， TOLZ ， tCHZ均， tOHZ ， tWHZ

CL = 5pF的+ 1TTL负荷

OTHERS

CL = 100pF电容+ 1TTL负荷

AC测试负载

TTL

CL(1)

记

1.包括夹具和范围电容

转07 / 2001年4月

4

HY628400A系列

512Kx8bit CMOS SRAM

文档标题

512K ×8位5.0V低功耗CMOS SRAM慢

修订历史

版本号

04

05

06

历史

修订历史将

修订

- 更改Iccdr值： 15uA = >的20uA

标识信息添加

修订

-

E.T （ -25 85°C ）， I.T （ -40 85°C ）部分插入

-

AC测试条件添加： 5pF的负载测试

改变的标志

- 韩国现代海力士->

- 标识信息变更

草案日期

Jul.06.2000

Aug.04.2000

Dec.04.2000

备注

最终科幻

07

Apr.30.2001

最终科幻

这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何责任

使用说明电路。没有专利许可。

转07 / 2001年4月

海力士半导体

HY628400A系列

描述

该HY628400A是一种高速，低功耗，

4M比特组织为512K字CMOS SRAM

由8位。该HY628400A采用海力士的高

高性能双桶CMOS工艺技术

与被设计用于高速，低功率

电路技术。它特别适于供

在高密度和低功率系统中使用

应用程序。此装置具有的数据保留

模式，保证数据将保持在所述有效

2.0V的最小供电电压。

产品

电压

速度

号

(V)

（纳秒）

HY628400A

4.5~5.5 55/70/85

HY628400A -E 4.5 5.5 55/70/85

HY628400A-I

4.5~5.5 55/70/85

注意事项1.当前值最大。

手术

电流/ ICC（毫安）

10

特点

完全静态的操作和三态输出

TTL兼容的输入和输出

低功耗

备用电池（L / LL -部分）

- 。 2.0V （分）的数据保留

标准引脚配置

- 。 32引脚525mil SOP

- 。 32引脚400mil TSOP -II

（标准和反向）

待机电流（ UA）

L

LL

100

30

100

50

100

50

温度

(°C)

0~70

-25~85

-40~85

引脚连接

A18

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

VCC

A15

A17

/ WE

A13

A8

A9

A11

/ OE

A10

/ CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

A18

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

VCC

A15

A17

/ WE

A13

A8

A9

A11

/ OE

A10

/ CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

VCC

A15

A17

/ WE

A13

A8

A9

A11

/ OE

A10

/ CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

A18

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

SOP

TSOP -II （标准）

TSOP -II （反向）

引脚说明

引脚名称

/ CS

/ WE

/ OE

A0 ~ A18

I / O1 I / O8

VCC

VSS

引脚功能

芯片选择

写使能

OUTPUT ENABLE

地址输入

数据输入/输出

Power(4.5~5.5V)

地

框图

A0

行解码器

I/O1

SENSE AMP

添加输入缓冲器

列解码器

数据I / O

卜FF器

存储阵列

512Kx 8

写入驱动器

I/O8

A18

/ CS

/ OE

/ WE

控制

逻辑

转07 / 2001年4月

2

HY628400A系列

订购信息

产品型号

HY628400ALG

HY628400ALLG

HY628400ALG-E

HY628400ALLG-E

HY628400ALG-I

HY628400ALLG-I

HY628400ALT2

HY628400ALLT2

HY628400ALT2-E

HY628400ALLT2-E

HY628400ALT2-I

HY628400ALLT2-I

HY628400ALR2

HY628400ALLR2

HY628400ALR2-E

HY628400ALLR2-E

HY628400ALR2-I

HY628400ALLR2-I

速度

55/70/85

动力

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

温度

0-70°C

-25-85°C

-40-85°C

0-70°C

-25-85°C

-40-85°C

0-70°C

-25-85°C

-40-85°C

包

SOP

TSOP -II （标准）

TSOP -II （反向）

绝对最大额定值（ 1 ）

符号

VCC ，V

IN，

V

OUT

T

A

参数

电源，输入/输出电压

工作温度

HY628400A

HY628400A-E

HY628400A-I

储存温度

功耗

数据输出电流

引线焊接温度&时间

等级

-0.5 7.0

0到70

-25到85

-40到85

-65到150

1.0

50

260

10

单位

V

°C

W

MA

° C秒

T

英镑

P

D

I

OUT

T

SOLDER

记

1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的

损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或

超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。

暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能会影响可靠度。

真值表

/ CS

H

L

/ WE

X

H

L

/ OE

X

H

L

X

模式

取消

输出禁用

读

写

I / O操作

高-Z

数据输出

DATA IN

动力

待机

活跃

注意：

1. H = V

IH

中，L = V

IL

， X =不关心（V

IH

或V

IL

)

转07 / 2001年4月

2

HY628400A系列

建议的直流工作条件

T

A

= 0

70

普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级），除非另有说明。

to

(

符号

参数

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

VCC

电源电压

4.5

5.0

5.5

V

VSS

地

0

V

IH

输入高电压

2.2

-

Vcc+0.5

V

IL

输入低电压

-0.5

(1)

-

0.8

V

注意：

1. V

IL

= -1.5V脉冲宽度小于30ns的，而不是100 ％测试。

DC电气特性

T

A

= 0

70

普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级），除非另有说明。

to

(

符号

参数

测试条件

分钟。

典型值。马克斯。单位

I

LI

输入漏电流

VSS < V

IN

＆ LT ; VCC

-1

-

1

UA

I

LO

输出漏电流

VSS < V

OUT

＆ LT ; VCC ， / CS = V

IH

or

-1

-

1

UA

/

OE

=

V

IH

或/ WE = V

IL

ICC

工作电源

/ CS = V

IL

,

-

10

MA

当前

V

IN

= V

IH

或V

白细胞介素，

I

I / O =

0mA

I

CC1

平均工作电流

/ CS = V

IL

-

60

MA

最小占空比= 100 ％，

V

IN

= V

IH

或V

白细胞介素，

I

I / O =

0mA

I

SB

TTL待机电流

/ CS = V

IH

-

2

MA

（ TTL输入）

V

IN

= V

IH

或V

IL

I

SB1

待机电流

/ CS >为VCC - 0.2V ，

L

-

100

uA

（ CMOS输入）

V

IN

>的Vcc - 0.2V或

LL

-

30

uA

V

IN

< VSS + 0.2V

L- E / I

-

100

uA

LL -E / I

-

50

uA

V

OL

输出低电压

I

OL

= 2.1毫安

-

0.4

V

OH

输出高电压

I

OH =

-1mA

2.4

-

V

注：典型值是在Vcc = 5.0V ，T

A

= 25°C

电容

温度= 25 ° C，F = 1.0MHz的

符号

参数

C

IN

输入电容

C

OUT

输出电容

条件

V

IN

= 0V

V

I / O

= 0V

马克斯。

6

8

单位

pF

注：该参数进行采样，并没有100 ％测试

转07 / 2001年4月

3

HY628400A系列

AC特性

T

A

= 0

70

普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级），除非另有说明。

to

(

55ns

70ns

85ns

＃符号

参数

单位

分钟。

MAX 。 MIN 。

马克斯。民

马克斯。

读周期

1

TRC

读周期时间

55

-

70

-

85

-

ns

2

TAA

地址访问时间

-

55

-

70

-

85

ns

3

TACS

芯片选择访问时间

-

55

-

70

-

85

ns

4

TOE

输出使能到输出有效

-

25

-

40

-

45

ns

5

TCLZ

片选到输出中低Z

10

-

10

-

10

-

ns

6

TOLZ

输出使能到输出中低Z

5

-

5

-

5

-

ns

7

TCHZ

芯片取消选择到输出中高Z

0

20

0

25

0

30

ns

8

tOHZ

输出禁用到输出中高Z

0

20

0

25

0

30

ns

9

TOH

从地址变更输出保持

10

-

10

-

10

-

ns

写周期

10 TWC

写周期时间

55

-

70

-

85

-

ns

11 TCW

芯片的选择要写入的结束

45

-

60

-

70

-

ns

12 TAW

地址有效到写结束

45

-

60

-

70

-

ns

13 TAS

地址建立时间

0

-

0

-

0

-

ns

14 TWP

把脉冲宽度

40

-

50

-

55

-

ns

15 TWR

写恢复时间

0

-

0

-

0

-

ns

16 tWHZ

写在高Z输出

0

20

0

25

0

30

ns

17 TDW

数据写入时间重叠

25

-

30

-

40

-

ns

18 TDH

从时间写数据保持

0

-

0

-

0

-

ns

19 TOW

输出写入结束活动

5

-

5

-

5

-

ns

AC测试条件

T

A

= 0

70

普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级），除非另有说明。

to

(

参数

价值

输入脉冲电平

0.8V至2.4V

输入上升和下降时间

5ns

输入和输出时序参考电平

1.5V

输出负载

tCLZ ， TOLZ ， tCHZ均， tOHZ ， tWHZ

CL = 5pF的+ 1TTL负荷

OTHERS

CL = 100pF电容+ 1TTL负荷

AC测试负载

TTL

CL(1)

记

1.包括夹具和范围电容

转07 / 2001年4月

4