HY628100B系列
128Kx8bit CMOS SRAM
文档标题
128K ×8位5.0V低功耗CMOS SRAM慢
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-
E.T （ -25 85°C ） ， I.T （ -40 85°C ）部分插入
-
AC测试条件添加： 5pF的负载测试
改变的标志
- 韩国现代海力士->
- 标识信息变更
草案日期
Jul.14.2000
Dec.04.2000
备注
最终科幻
最终科幻
12
Apr.30.2001
最终科幻
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何责任
使用说明电路。没有专利许可。
启12 / Apr.2001
海力士半导体
HY628100B系列
描述
该HY628100B是一款高速，低功耗，
1M位CMOS静态随机存取存储器
组织为131,072字由8位。该
HY628100B采用高性能CMOS
工艺技术和设计用于高速
低功耗电路技术。这是格外好
适合于高密度的低功率系统中使用
应用程序。此装置具有的数据保留
模式，保证数据仍然有效，在一
2.0V的最小供电电压。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
备用电池（L / LL -部分）
- 。 2.0V （分）的数据保留
标准引脚配置
- 。 32引脚SOP - 525mil
- 。 32引脚TSOPI - 8X20 （标准）
产品
电压
速度
手术
No
(V)
（纳秒）
电流/ ICC（毫安）
HY628100B
4.5~5.5 50*/55/70/85
10
HY628100B -E 4.5 5.5 * 50 /55 /八十五分之七十〇
10
HY628100B-I
4.5~5.5 50*/55/70/85
10
点评：可以用30pF的负载测试为50ns 。
待机电流（ UA）
L
LL
100
20
100
30
100
30
温度
(°C)
0~70
-25~85
-40~85
引脚连接
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CS2
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A11
A9
A8
A13
/ WE
CS2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
/ OE
A10
/CS1
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VSS
DQ3
DQ2
DQ1
A0
A1
A2
A3
SOP
TSOP -I （标准）
引脚说明
引脚名称
/CS1
CS2
/ WE
/ OE
A0 ~ A16
I / O1 I / O8
VCC
VSS
引脚功能
片选1
片选2
写使能
OUTPUT ENABLE
地址输入
数据输入/输出
Power(4.5V~5.5V)
地
框图
A0
ROW
解码器
SENSE AMP
I/O1
添加输入
卜FF器
数据I / O
卜FF器
COLUMN
解码器
存储阵列
128K ×8
写入驱动器
A16
I/O8
/CS1
控制
逻辑
CS2
/ OE
/ WE
启12 / Apr.2001
2
HY628100B系列
订购信息
产品型号
速度
动力
HY628100BLG
55/70/85
L-部分
HY628100BLLG
55/70/85
LL-部分
HY628100BLG-E
55/70/85
L-部分
HY628100BLLG-E
55/70/85
LL-部分
HY628100BLG-I
55/70/85
L-部分
HY628100BLLG-I
55/70/85
LL-部分
HY628100BLT1
55/70/85
L-部分
HY628100BLLT1
55/70/85
LL-部分
HY628100BLT1-E
55/70/85
L-部分
HY628100BLLT1-E
55/70/85
LL-部分
HY628100BLT1-I
55/70/85
L-部分
HY628100BLLT1-I
55/70/85
LL-部分
点评：可以用30pF的负载测试为50ns 。
温度
0~70°C
0~70°C
-25~85°C
-25~85°C
-40~85°C
-40~85°C
0~70°C
0~70°C
-25~70°C
-25~70°C
-40~70°C
-40~70°C
包
SOP
SOP
SOP
SOP
SOP
SOP
TSOP -I （标准）
TSOP -I （标准）
TSOP -I （标准）
TSOP -I （标准）
TSOP -I （标准）
TSOP -I （标准）
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
VCC ，V
IN，
V
OUT
T
A
参数
电源，输入/输出电压
工作温度
等级
-0.5 7.0
0到70
-25到85
-40到85
-65至125
1.0
50
260
10
单位
V
°C
°C
°C
°C
W
mA
° C秒
备注
HY628100B
HY628100B-E
HY628100B-I
T
英镑
P
D
I
OUT
T
SOLDER
储存温度
功耗
数据输出电流
引线焊接温度&时间
记
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作
或超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能会影响可靠度。
真值表
/CS1
H
X
L
L
L
CS2
X
L
H
H
H
/ WE
X
X
H
H
L
/ OE
X
X
H
L
X
模式
取消
取消
输出禁用
读
写
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X =不关心（V
IH或
V
IL ）
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2
HY628100B系列
建议的直流工作条件
T
A
= 0 ° C至70 ° C / -25 ° C至85°C （ E） / -40
85
I）中，除非另有说明
to
(
符号
参数
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
VCC
电源电压
4.5
5.0
5.5
V
VSS
地
0
0
0
V
V
IH
输入高电压
2.2
-
Vcc+0.5
V
V
IL
输入低电压
-0.5
(1)
-
0.8
V
注意：
1. V
IL
= -1.5V脉冲宽度小于30ns的，而不是100％测试
DC电气特性
VCC = 4.5V 5.5V ，T
A
= 0 ° C至70 ° C / -25 ° C至85°C （ E） / -40
85
I）中，除非另有说明
to
(
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
I
LI
输入漏电流
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
-1
-
1
I
LO
输出漏电流
VSS < V
OUT
< Vcc时，
-1
-
1
/ CS1 = V
IH
或CS2 = V
IL
or
/
OE
=
V
IH
或/ WE = V
IL
ICC
工作电源
/ CS1 = V
IL
， CS2 = V
IH ，
-
-
10
当前
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
I
CC1
平均开工
/ CS1 = V
IL
， CS2 = V
IH
,
-
-
50
当前
V
IN
= V
IH
或V
IL
周期时间=最小， 100 ％的关税，
I
IO
= 0毫安
I
SB
TTL待机电流
/ CS1 = V
IH
或CS2 = V
IL
-
-
2
（ TTL输入）
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
SB1
待机
HY628100B
/ CS1 >为VCC - 0.2V或
L
-
2
100
当前
CS2 < 0.2V ，
LL
-
1
20
（ CMOS输入）
HY628100B-E/I
V
IN
>的Vcc - 0.2V或
L
-
2
100
V
IN
< VSS + 0.2V
LL
-
1
30
V
OL
输出低电压
I
OL
= 2.1毫安
-
-
0.4
V
OH
输出高电压
I
OH =
-1mA
2.4
-
-
注：典型值是在Vcc = 5.0V ，T
A
= 25°C
单位
uA
uA
mA
mA
mA
uA
uA
uA
uA
V
V
电容
温度= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
参数
C
IN
输入电容
C
OUT
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试
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HY628100B系列
AC特性
VCC = 4.5V 5.5V ，T
A
= 0 ° C至70 ° C / -25 ° C至85°C （ E） / -40
85
I）中，除非另有说明
to
(
-55
-70
-85
＃符号
参数
分钟。
MAX 。 MIN 。
马克斯。民
马克斯。
读周期
1
TRC
读周期时间
55
-
70
-
85
-
2
TAA *
地址访问时间
-
55
-
70
-
85
3
TACS *芯片选择访问时间
-
55
-
70
-
85
4
TOE
输出使能到输出有效
-
25
-
35
-
45
5
TCLZ
片选到输出中低Z
10
-
10
-
10
-
6
TOLZ
输出使能到输出中低Z
5
-
5
-
5
-
7
TCHZ
芯片取消选择到输出中高Z
0
20
0
25
0
30
8
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
0
20
0
25
0
30
9
TOH
从地址变更输出保持
10
-
10
-
10
-
写周期
10 TWC
写周期时间
55
-
70
-
85
-
11 TCW
芯片的选择要写入的结束
45
-
60
-
70
-
12 TAW
地址有效到写结束
45
-
60
-
70
-
13 TAS
地址建立时间
0
-
0
-
0
-
14 TWP
把脉冲宽度
40
-
50
-
55
-
15 TWR
写恢复时间
0
-
0
-
0
-
16 tWHZ
写在高Z输出
0
20
0
25
0
30
17 TDW
数据写入时间重叠
25
-
30
-
40
-
18 TDH
从时间写数据保持
0
-
0
-
0
-
19 TOW
输出写入结束活动
5
-
5
-
5
-
评论： TAA *和* TACS能满足50ns的与30pF的负载测试。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
AC测试条件
T
A
= 0 ° C至70 ° C / -25 ° C至85°C （ E） / -40
85
I）中，除非另有说明
to
(
参数
价值
输入脉冲电平
0.4V至2.2V
输入上升和下降时间
5ns
输入和输出时序参考电平
1.5V
输出负载
tCLZ ， TOLZ ， tCHZ均， tOHZ ， tWHZ ，拖车
CL = 5pF的+ 1TTL负荷
OTHERS
CL = 100pF电容+ 1TTL负荷
* CL = 30pF的+ 1TTL负荷
评论
*：试验载荷为30pF的用于为50ns
AC测试负载
TTL
CL(1)
注：包括夹具和范围电容
启12 / Apr.2001
4
QQ：2881677436 复制
