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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第320页 > HY628100ALT1-55
HY628100A系列
128Kx8bit CMOS SRAM
描述
该HY628100A是一款高速，低功耗，
1M位CMOS静态随机存取存储器
组织为131,072字由8位。该
HY628100A采用高性能CMOS
工艺技术和设计用于高速
低功耗电路技术。这是格外好
适合于高密度的低功率系统中使用
应用程序。此装置具有的数据保留
模式，保证数据仍然有效，在一
2.0V的最小供电电压。
产品
电压
速度
手术
No
(V)
（纳秒）
电流（mA ）
HY628100A
5.0
55/70/85
10
点评：可以用30pF的负载测试为50ns 。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
备用电池（L / LL -部分）
- 2.0V （分）的数据保留
标准引脚配置
- 32引脚525mil SOP
- 32引脚8x20mm TSOP -I （标准）
待机电流（ UA）
L
LL
1mA
100
20
温度
(°C)
0~70
引脚连接
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CS2
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A11
A9
A13
/ WE
CS2
A15
VCC
NC
A16
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
11
12
13
14
15
16
32
30
29
28
27
26
25
24
22
21
20
19
18
17
/ OE
/CS1
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VSS
DQ3
DQ1
A0
A1
A2
A3
SOP
TSOP -I （标准）
引脚说明
引脚名称
/CS1
CS2
/ WE
/ OE
A0 ~ A16
I / O1 I / O8
VCC
VSS
引脚功能
片选1
片选2
写使能
OUTPUT ENABLE
地址输入
数据输入/输出
Power(5.0V)
地
框图
SENSE AMP
A0
添加输入缓冲器
列解码器
行解码器
I/O1
输出缓冲器
I/O8
A16
控制
逻辑
/CS1
CS2
/ OE
/ WE
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。现代电子不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
Rev.05 /Feb.99
韩国现代半导体公司
写入驱动器
存储阵列
1024x1024
HY628100A系列
订购信息
产品型号
速度
动力
HY628100AG
55/70/85
HY628100ALG
55/70/85
L-部分
HY628100ALLG
55/70/85
LL-部分
HY628100AT1
55/70/85
HY628100ALT1
55/70/85
L-部分
HY628100ALLT1
55/70/85
LL-部分
点评：可以用30pF的负载测试为50ns 。
温度
包
SOP
SOP
SOP
TSOP -I （标准）
TSOP -I （标准）
TSOP -I （标准）
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
VCC ，V
IN，
V
OUT
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
T
SOLDER
参数
电源，输入/输出电压
工作温度
储存温度
功耗
数据输出电流
引线焊接温度&时间
等级
-0.5 7.0
0到70
-65至125
1.0
50
260
10
单位
V
°C
°C
W
mA
° C秒
记
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能会影响可靠度。
建议的直流工作条件
T
A
= 0 ° C至700 ° C / -400 ° C至85°C
符号
参数
分钟。
VCC
电源电压
4.5
VSS
地
0
V
IH
输入高电压
2.2
V
IL
输入低电压
-0.5
(1)
注意：
1. V
IL
= -3.0V脉冲宽度小于30ns的
典型值。
5.0
0
-
-
马克斯。
5.5
0
Vcc+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
真值表
/CS1
H
X
L
L
L
CS2
X
L
H
H
H
/ WE
X
X
H
H
L
/ OE
X
X
H
L
X
模式
待机
输出禁用
读
写
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X =无所谓
Rev.05 /Feb.99
2
HY628100A系列
DC电气特性
VCC = 5.0V ± 10 ％ ，T
A
= 0 ° C至70 ° C，除非另有规定编
符号
参数
测试条件
I
LI
输入漏电流
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
I
LO
输出漏电流
VSS < V
OUT
< Vcc时， / CS1 = V
IH
or
CS2 = V
IL
or
/
OE
=
V
IH
或/ WE = V
IL
ICC
工作电源
/ CS1 = V
IL
， CS2 = V
IH ，
当前
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
I
CC1
平均开工
/ CS1 = V
IL
CS2 = V
IH ，
当前
最小占空比= 100 ％ ，我
I / O =
0mA
I
SB
TTL待机电流
/ CS1 = V
IH
或CS2 = V
IL
（ TTL输入）
I
SB1
待机电流
/ CS1 >为VCC - 0.2V
（ CMOS输入）
CS2 > 0.2V或
L
CS2 >为VCC - 0.2V
LL
V
OL
输出低电压
I
OL
= 2.1毫安
V
OH
输出高电压
I
OH =
-1mA
注：典型值是在Vcc = 5.0V ，T
A
= 25°C
分钟。
-1
-1
-
-
-
-
-
-
-
2.4
典型值。
-
-
5
30
1
-
2
1
-
-
马克斯。
1
1
10
50
2
1
100
20
0.4
-
单位
uA
uA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
V
V
AC特性
VCC = 5.0V ± 10 ％ ，T
A
= 0℃至70℃ （普通） ，除非另有说明
-55
-70
＃符号
参数
分钟。
MAX 。 MIN 。
马克斯。
读周期
1
TRC
读周期时间
55
-
70
-
2
TAA *
地址访问时间
-
55
-
70
3
TACS *芯片选择访问时间
-
55
-
70
4
TOE
输出使能到输出有效
-
25
-
35
5
TCLZ
片选到输出中低Z
10
-
10
-
6
TOLZ
输出使能到输出中低Z
5
-
5
-
7
TCHZ
芯片取消选择到输出中高Z
0
20
0
25
8
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
0
20
0
25
9
TOH
从地址变更输出保持
10
-
10
-
写周期
10 TWC
写周期时间
55
-
70
-
11 TCW
芯片的选择要写入的结束
45
-
60
-
12 TAW
地址有效到写结束
45
-
60
-
13 TAS
地址建立时间
0
-
0
-
14 TWP
把脉冲宽度
40
-
50
-
15 TWR
写恢复时间
0
-
0
-
16 tWHZ
写在高Z输出
0
20
0
25
17 TDW
数据写入时间重叠
25
-
30
-
18 TDH
从时间写数据保持
0
-
0
-
19 TOW
输出写入结束活动
5
-
5
-
评论： TAA *和* TACS能满足50ns的与30pF的负载测试。
-85
民
马克斯。
85
-
-
-
10
5
0
0
10
85
70
70
0
55
0
0
35
0
5
-
85
85
45
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Rev.05 /Feb.99
3
HY628100A系列
AC测试条件
T
A
= 0℃至70℃ （普通） ，除非另有说明
参数
价值
输入脉冲电平
0.8V至2.4V
输入上升和下降时间
5ns
输入和输出时序参考电平
1.5V
输出负载
CL = 100pF电容+ 1TTL负荷
* CL = 30pF的+ 1TTL负荷
评论
*：试验载荷为30pF的用于为50ns
AC测试负载
TTL
CL(1)
注：包括夹具和范围电容
电容
温度= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
参数
C
IN
输入电容
C
OUT
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试
Rev.05 /Feb.99
4
HY628100A系列
时序图
读周期1
TRC
ADDR
TAA
OE
TOE
TOLZ
CS1
TOH
CS2
TACS
TCLZ
数据
OUT
高-Z
数据有效
tOHZ
TCHZ
注（读周期） ：
1. tCHZ均与tOHZ被定义为时间，让输出达到开路条件，并且
未参照的输出电压电平
2.在任何给定的温度和电压条件下， tCHZ均最大。小于tCLZ分钟。无论对于一个给定的
设备和从设备到设备。
3. / WE为高电平的读出周期。
读周期2
TRC
ADDR
TAA
TOH
数据
OUT
以前的数据
数据有效
TOH
注（读周期） ：
1. / WE为高电平的读出周期。
2.设备不断选择/ CS1 = V
白细胞介素，
CS2
=
V
IH 。
3 / OE = V
IL
.
Rev.05 /Feb.99
5
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