HY6264A系列
8Kx8bit CMOS SRAM
描述
该HY6264A是一种高速，低功耗，
使用8,192x8位CMOS静态RAM制造
现代的高性能双桶CMOS
工艺技术。这种高可靠性的工艺
再加上创新的电路设计技术，
产生70ns的最大访问时间。该
HY6264A具有数据保留模式
保证数据保持有效以最小
2.0伏的电源电压。使用CMOS
技术，电源电压从2.0到5.5伏
具有在数据上的电源电流的影响不大
保持方式。降低电源电压，以
最大限度地减少漏电流是不必要的
HY6264A系列。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
低功耗
备用电池（L / LL -部分）
-2.0V （分）的数据保留
标准引脚配置
-28销600万PDIP
-28销330万SOP
产品
电压
速度
号
(V)
（纳秒）
HY6264A
5.0
70/85/100
注意事项1.当前值最大。
手术
电流（mA ）
50
待机电流（ UA）
L
LL
1mA
100
10
温度
(°C)
0~70(Normal)
引脚连接
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
/ WE
CS2
A8
A9
A11
/ OE
A10
/CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
框图
A0
SENSE AMP
行解码器
添加输入缓冲器
I/O1
输出缓冲器
I/O8
CS2
PDIP
SOP
/ OE
/ WE
引脚说明
引脚名称
/CS1
CS2
/ WE
/ OE
A0-A12
引脚功能
片选1
片选2
写使能
OUTPUT ENABLE
地址输入
引脚名称
I/O1-I/O8
VCC
VSS
NC
引脚功能
数据输入/输出
Power(+5V)
地
无连接
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。现代电子不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
Rev.02 /Jan.99
韩国现代半导体公司
控制
逻辑
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
/ WE
CS2
A8
A9
A11
/ OE
A10
/CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
列解码器
A12
/CS1
写入驱动器
存储阵列
128x512
HY6264A系列
订购信息
产品型号
HY6264AP
HY6264ALP
HY6264ALLP
HY6264AJ
HY6264ALJ
HY6264ALLJ
速度
70/85/100
70/85/100
70/85/100
70/85/100
70/85/100
70/85/100
动力
L-部分
LL-部分
L-部分
LL-部分
包
PDIP
PDIP
PDIP
SOP
SOP
SOP
绝对最大额定值
(1)
符号
VCC ，V
IN，
V
OUT
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
T
SOLDER
参数
电源，输入/输出电压
工作温度
储存温度
功耗
数据输出电流
引线焊接温度&时间
等级
-0.5 7.0
0到70
-65至125
1.0
50
260
10
单位
V
°C
°C
W
mA
° C秒
记
1.
应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作
或超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
T
A
= 0℃至70 ℃的
符号
参数
VCC
电源电压
V
IH
输入高电压
V
IL
输入低电压
分钟。
4.5
2.2
-0.5(1)
典型值。
5.0
-
-
马克斯。
5.5
Vcc+0.5
0.8
单位
V
V
V
记
1.V
IL
= -3.0V脉冲宽度小于50ns
真值表
/CS1
H
X
L
L
L
CS2
X
L
H
H
H
/ WE
X
X
H
H
L
/ OE
X
X
H
L
X
模式
待机
输出禁用
读
写
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
记
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X =无所谓
Rev.02 /Jan.99
2
HY6264A系列
DC电气特性
VCC = 5.0V ± 10 ％ ，T
A
= 0℃至70℃ （正常） ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
I
LI
输入漏电流
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
I
LO
输出漏电流Vss的< V
OUT
< VCC / CS1 = V
IH
or
CS2=V
IL
或/ OE
=
V
IH
或/ WE = V
IL
ICC
操作电源/ CS1 = V
IL
， CS2 = V
IH ，
当前
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O
= 0毫安
I
CC1
平均开工
/ CS1 = V
白细胞介素，
CS2=V
IH
民
.
税
当前
周期= 100％ ，余
I / O =
0mA
I
SB
TTL待机电流
/ CS1 = V
IH
或CS2 = V
IL
（ TTL输入）
I
SB1
CMOS待机电流/ CS1 >为VCC - 0.2V ，
（ CMOS输入）
CS2 < 0.2V ，或
L
CS2 >Vcc - 0.2V
LL
V
OL
输出低电压
I
OL
= 2.1毫安
V
OH
输出高电压
I
OH =
-1.0mA
注：典型值是在Vcc = 5.0V ，T
A
= 25°C
民
-1
-1
-
-
-
-
-
-
-
2.4
典型值
-
-
30
30
0.4
-
2
1
-
-
最大
1
1
50
50
2
1
100
10
0.4
-
单位
uA
uA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
V
V
AC特性
VCC = 5.0V ± 10 ％ ，T
A
= 0℃至70℃ （普通） ，除非另有说明
-70
-85
#
参数
符号
最小值最大值最小值最大值
读周期
1
TRC
读周期时间
70
-
85
-
2
TAA
地址访问时间
-
70
-
85
3
TACS
芯片选择访问时间
-
70
-
85
4
TOE
输出使能到输出有效
-
45
-
50
5
TCLZ
片选到输出中低Z
10
-
10
-
6
TOLZ
输出使能到Outputin低Z
5
-
5
-
7
TCHZ
芯片取消选择到输出中高Z
0
30
0
35
8
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
0
30
0
35
9
TOH
从地址变更输出保持
5
-
5
-
写周期
10 TWC
写周期时间
70
-
85
-
11 TCW
芯片的选择要写入的结束
55
-
60
-
12 TAW
地址有效到写结束
55
-
60
-
13 TAS
地址建立时间
0
-
0
-
14 TWP
把脉冲宽度
50
-
55
-
15 TWR
写恢复时间
0
-
0
-
16 tWHZ
写在高Z输出
0
30
0
35
17 TDW
数据写入时间重叠
35
-
35
-
18 TDH
从时间写数据保持
0
-
0
-
19 TOW
输出写入结束活动
5
-
5
-
-10
最小最大
100
-
-
-
10
5
0
0
10
100
70
70
0
60
0
0
40
0
5
-
100
100
55
-
-
35
35
-
-
-
-
-
-
-
35
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Rev.02 /Jan.99
3
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