【HY62256A系列32Kx8bit CMOS SRAM描述该HY62256A是一种高速，低功耗，3】,IC型号HY62256ALJ-70,HY62256ALJ-70 PDF资料,HY62256ALJ-70经销商,ic,电子元器件-51电子网

HY62256A

系列

32Kx8bit CMOS SRAM

描述

该HY62256A是一种高速，低功耗，

32786 ×8位的CMOS静态随机存取

使用的内存制造

现代高

高性能CMOS工艺技术。该

HY62256A具有数据保留模式

保证数据保持有效以最小

2.0伏的电源电压。使用CMOS

技术，电源电压范围为2.0 5.5volt

具有在数据上的电源电流的影响不大

保持方式。该HY62256A是适合使用

在低电压工作和备用电池

应用程序。

产品

电压

速度

号

(V)

（纳秒）

HY62256A

5.0

55/70/85

注意事项1.当前值最大。

手术

电流（mA ）

50

特点

完全静态的操作和三态输出

TTL兼容的输入和输出

低功耗

备用电池（L / LL -部分）

- 2.0V （分钟）的数据保留

标准引脚配置

- 28引脚600密耳PDIP

- 28引脚330mil SOP

- 28引脚8x13.4毫米的TSOP -I

（标准和反向）

待机电流（ UA）

L

LL

1mA

100

25

温度

(°C)

0~70(Normal)

引脚连接

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

VCC

/ WE

A13

A8

A9

A11

/ OE

A10

/ CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

VCC

/ WE

A13

A8

A9

A11

/ OE

A10

/ CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

/ OE

A11

A9

A8

A13

/ WE

VCC

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

A10

/ CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

VSS

I/O3

I/O2

I/O1

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A12

A14

VCC

/ WE

A13

A8

A9

A11

/ OE

14

13

12

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

/ CS

A10

PDIP

SOP

TSOP -I （标准）

TSOP -I （反转）

引脚说明

引脚名称

/ CS

/ WE

/ OE

A0 ~ A14

I / O1 I / O8

VCC

VSS

引脚功能

芯片选择

写使能

OUTPUT ENABLE

地址输入

数据输入/输出

Power(+5.0V)

地

A0

框图

SENSE AMP

行解码器

添加输入缓冲器

I/O1

输出缓冲器

I/O8

列解码器

A14

/ CS

/ OE

/ WE

这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。现代电子不承担任何

负责使用说明电路。没有专利许可。

Rev.02 /Jun.99

韩国现代半导体公司

控制

逻辑

写入驱动器

存储阵列

512x512

HY62256A系列

订购信息

产品型号

HY62256AP

HY62256ALP

HY62256ALLP

HY62256AJ

HY62256ALJ

HY62256ALLJ

HY62256AT1

HY62256ALT1

HY62256ALLT1

HY62256AR1

HY62256ALR1

HY62256ALLR1

速度

55/70/85

动力

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

L-部分

LL-部分

包

PDIP

SOP

TSOP- I标准

TSOP -I反转

绝对最大额定值（ 1 ）

符号

VCC ，V

IN，

V

OUT

T

A

T

英镑

P

D

I

OUT

T

SOLDER

参数

电源，输入/输出电压

工作温度

储存温度

功耗

数据输出电流

引线焊接温度&时间

等级

-0.5 7.0

0到70

-65到150

1.0

50

260

0

单位

V

°C

W

mA

° C秒

记

1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的

损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或

超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。

暴露在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。

建议的直流工作条件

T

A

= 0℃至70 ℃的

符号

参数

VCC

电源电压

V

IH

输入高电压

V

IL

输入低电压

分钟。

4.5

2.2

-0.5

(1)

典型值。

5.0

-

马克斯。

5.5

Vcc+0.5

0.8

单位

V

记

1. V

IL

= -3.0V脉冲宽度小于30ns的

真值表

/ CS

H

L

/ WE

X

H

L

/ OE

X

H

L

X

模式

待机

输出禁用

读

写

I / O操作

高-Z

数据输出

DATA IN

注意：

1. H = V

IH

中，L = V

IL

， X =无所谓

Rev.02 /Jun.99

2

HY62256A系列

DC特性

VCC = 5V ±10 ％，T

A

= 0℃至70℃ （正常），除非另有说明

符号

参数

测试条件

I

LI

输入漏电流

VSS < V

IN < 。

VCC

I

LO

输出漏电流

VSS < V

OUT

＆ LT ; VCC ， / CS = V

IH

or

/

OE

=

V

IH

或/ WE = V

IL

ICC

工作电源

/ CS = V

IL

,

当前

V

IN

= V

IH

或V

白细胞介素，

I

I / O =

0mA

I

CC1

平均工作电流

/ CS = V

白细胞介素，

分钟。占空比= 100 ％，我

I / O =

0mA

I

SB

TTL待机电流

/ CS = V

IH

V

IN =

V

IH或

V

IL

（ TTL输入）

I

SB1

CMOS待机电流

/ CS＆ GT ; VCC - 0.2V

（ CMOS输入）

V

IN

＆ LT ; 0.2V或

L

V

IN

＆ GT ; VCC - 0.2V

LL

V

OL

输出低电压

I

OL

= 2.1毫安

V

OH

输出高电压

I

OH =

-1mA

注：典型值是在Vcc = 5.0V ，T

A

= 25°C

分钟。

-1

-

2.4

典型值。

-

30

40

0.4

-

2

1

-

马克斯。

1

50

70

2

1

100

25

0.4

-

单位

uA

mA

uA

V

AC特性

VCC = 5V ±10 ％，T

A

= 0℃至70℃ （普通），除非另有说明。

-55

＃符号

参数

分钟。

马克斯。

读周期

1

TRC

读周期时间

55

-

2

TAA

地址访问时间

-

55

3

TACS

芯片选择访问时间

-

55

4

TOE

输出使能到输出有效

-

30

5

TCLZ

片选到输出中低Z

5

-

6

TOLZ

输出使能到输出中低Z

5

-

7

TCHZ

芯片取消选择到输出中高Z

0

20

8

TOHZ出禁用到输出中高Z

0

20

9

TOH

从地址变更输出保持

5

-

写周期

10 TWC

写周期时间

55

-

11 TCW

芯片的选择要写入的结束

50

-

12 TAW

地址有效到写结束

50

-

13 TAS

地址建立时间

0

-

14 TWP

把脉冲宽度

40

-

15 TWR

写恢复时间

0

-

16 TWHZ写入到输出中高Z

0

20

17 TDW

数据写入时间重叠

25

-

18 TDH

从时间写数据保持

0

-

19 TOW

输出写入结束活动

5

-

-70

分钟。

马克斯。

70

-

5

0

5

70

65

0

50

0

35

0

5

-

70

35

-

30

-

30

-

-85

民

马克斯。

85

-

5

0

5

85

75

0

55

0

40

0

5

-

85

45

-

30

-

30

-

单位

ns

Rev.02 /Jun.99

3

HY62256A系列

AC测试条件

T

A

= 0℃至70℃ （普通），除非另有说明。

参数

价值

输入脉冲电平

0.8V至2.4V

输入上升和下降时间

5ns

输入和输出时序参考电平

1.5V

输出负载

70/85/100ns

CL = 100pF电容+ 1TTL负荷

55ns

CL = 50pF的+ 1TTL负荷

AC测试负载

TTL

CL(1)

注：包括夹具和范围电容

电容

T

A

= 25 ° C，F = 1.0MHz的

符号

参数

C

IN

输入电容

C

I / O

输入/输出电容

条件

V

IN

= 0V

V

I / O

= 0V

马克斯。

6

8

单位

pF

注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试

时序图

读周期1

TRC

ADDR

TAA

OE

TOE

TOLZ

CS

TACS

TCLZ

数据

OUT

高-Z

数据有效

tOHZ

TCHZ

TOH

Rev.02 /Jun.99

4

HY62256A系列

注（读周期）：

1. t

CHZ

和T

OHZ

被定义为时间，让输出达到开路条件和不

参考输出电压电平。

2.在任何给定的温度和电压条件下，叔

CHZ

最大。小于吨

CLZ

分钟。无论对于一个给定的设备

和从设备到设备。

3. / WE为高电平的读出周期。

读周期2

TRC

ADDR

TAA

TOH

数据

OUT

以前的数据

数据有效

TOH

注（读周期）：

1. / WE为高电平的读出周期。

2.设备不断选择/ CS = V

IL 。

3 / OE = V

IL

.

写周期1 （ / OE时钟）

TWC

ADDR

OE

TAW

TCW

CS

TAS

WE

TDW

DATA IN

tOHZ

数据

OUT

TWP

tWR的

TDH

数据有效

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