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HY5V56B ( L / S) F系列
4银行x 4米X 16位同步DRAM
描述
初步
该HY5V56B ( L) F是268,435,456bit CMOS同步DRAM ,非常适合移动应用这
要求低功耗和工业温度范围内。 HY5V56B (L )F组织作为4banks
4,194,304x16
HY5V56B (L)的F被提供参考时钟的正边缘完全同步操作。所有输入和输出
与时钟输入的上升沿同步。的数据通路内部流水线达到非常高的
带宽。所有的输入和输出电压电平与LVTTL兼容。
可编程选项包括管道的长度的连续的读( 2个读延迟或3) ,数量或写入
由一个单一的控制命令( 1,2,4,8突发长度,或整页)启动周期和脉冲串计数
序列(顺序或交错) 。一阵正在进行读或写周期可以由突发终止被终止
命令,或者可以通过一个新的脉冲串被中断并在替换的读或写命令中的任何周期。 (该流水线
设计不是由` 2N`规则的限制。 )
特点
单3.3 ± 0.3V电源
所有器件的球都与LVTTL接口兼容
54Ball FBGA ( 13.5毫米X 8.0毫米)
所有输入和输出参考的正边缘
系统时钟
通过UDQM或LDQM数据屏蔽功能
国内四家银行的操作
可编程CAS延时; 2 , 3个时钟
自动刷新和自刷新
8192刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
- 1,2 ,4,8或全部页面为顺序突发
- 1,2 ,4或8对交错突发
订购信息
产品型号
HY5V56BF-H
HY5V56BF-8
HY5V56BF-P
HY5V56BF-S
HY5V56B(L)F-H
HY5V56B(L)F-8
HY5V56B(L)F-P
HY5V56B(L)F-S
时钟频率
133MHz
125MHz
100MHz
100MHz
133MHz
125MHz
100MHz
100MHz
动力
组织
接口
正常
4Banks X 4Mbits
x16
低功耗
LVTTL
54ball FBGA
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。海力士不承担任何责任
使用电路的说明。没有专利许可。
修订版0.1 /十月02
2
HY5V56B(L/S)F
球CON组fi guration
9
8
7
3
2
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
& LT ;底部视图>
1
VSS
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
UDQM
A12
A8
VSS
2
DQ15
DQ13
DQ11
DQ9
NC
CLK
A11
A7
A5
3
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSS
CKE
A9
A6
A4
A
B
C
D
E
F
G
H
J
7
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDD
/ CAS
BA0
A0
A3
8
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
LDQM
/ RAS
BA1
A1
A2
9
VDD
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
/ WE
/ CS
A10
VDD
54球
FBGA
0.8 mm
球间距
& LT ;顶视图>
修订版0.1 /十月02
3
HY5V56B(L/S)F
球说明
球开出
F2
F3
符号
CLK
CKE
TYPE
输入
输入
描述
时钟:系统时钟输入。所有其它输入已注册
以在CLK的上升沿到SDRAM
时钟使能:控制内部时钟信号和deacti-时
氧基团,在SDRAM将跻身权力的国家之一
下来,暂停或自刷新
芯片选择:启用或禁用除CLK , CKE所有输入,
UDQM和LDQM
银行地址:银行选择要在RAS activ-激活
CAS活动期间选择银行进行读/写
行地址: RA0 RA12 ,列地址: CA0 CA8
自动预充电标志: A10
G9
G7,G8
CS
BA0 , BA1
输入
输入
H7 , H8 , J8 , J7 , A0 A12
J3 ,J2 ,H 3 ,H 2,
H 1 ,G 3, H9 ,G2
G1
F8, F7, F9
F1 , E8
A8 ,B9, B8 ,C9,
8 ,D9, D8 , E9 ,
E1, D2,D1 ,C2
C1, B2,B1和A2的
A9 , E7 , J9 , A1 ,
E3 , J1
A7 ,B3, C 7 ,D3
A3, B7 ,C 3, D 7
E2 , G1
RAS , CAS ,
WE
UDQM ,
LDQM
DQ0
DQ15
输入
输入
输入
I / O
命令输入: RAS , CAS和WE定义操作
请参阅功能真值表细节
数据屏蔽:控制输出缓冲器中读取模式和口罩
在写模式下输入数据
数据输入/输出:复用的数据输入/输出的球
VDD / VSS
VDDQ /
VSSQ
NC
供应
供应
-
电源的内部电路
电源,输出缓冲器
无连接
HY5V56B(L/S)F
功能框图
4Mbit的X 4banks ×16的I / O同步DRAM
自刷新逻辑
&放大器;定时器
内部行
计数器
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
UDQM
LDQM
状态机
状态机
状态机
状态机
地址缓冲器
地址缓冲器
地址缓冲器
地址缓冲器
A12
A11
BA0
BA1
模式寄存器
修订版0.1 /十月02
4Mx16银行3
行活动
ROW
PRE
解码器
4Mx16银行2
X解码器
X解码器
X解码器
X解码器
X解码器
X解码器
X解码器
X解码器
X解码器
X解码器
4Mx16银行1
4Mx16银行0
DQ0
DQ1
I / O缓冲器&逻辑
I / O缓冲器&逻辑
I / O缓冲器&逻辑
I / O缓冲器&逻辑
感测放大器& I / O门
感测放大器& I / O门
感测放大器& I / O门
感测放大器& I / O门
刷新
COLUMN
活跃
内存
CELL
ARRAY
COLUMN
PRE
解码器
解码器
DQ14
DQ15
BANK SELECT
列添加
计数器
A0
A1
地址
注册
BURST
计数器
CAS延迟
数据输出控制
管线控制
5
HY5V56B(L/S)F
绝对最大额定值
参数
环境温度
储存温度
对任何球相对于V电压
SS
在V电压
DD
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
焊接温度
时间
T
A
T
英镑
V
IN
, V
OUT
V
DD,
V
DDQ
I
OS
P
D
T
SOLDER
符号
0 ~ 70
-55 ~ 125
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
50
1
260
10
等级
°C
°C
V
V
mA
W
°C
美国证券交易委员会
单位
注意:
工作在高于绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。
DC工作条件
(T
A
= 0 ° C至70° C)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
3.0
2.0
-0.3
典型值
3.3
3.0
0
最大
3.6
V
DDQ
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
1
1,2
1,3
注意:
1.所有电压参考V
SS
= 0V
2.V
IH
(max)是可接受的5.6V的交流脉冲宽度以&lt ;持续时间= 3纳秒。
3.V
IL
(分钟)是可以接受的-2.0V交流脉冲宽度以&lt ;病程=为3ns 。
AC运行试验条件
(T
A
= 0℃至70℃ ,V
DD
=3.3
±
0.3V, V
SS
=0V)
参数
AC输入高/低电平电压
输入定时测量参考电平电压
输入的上升/下降时间
输出时序测量参考电平电压
输出负载电容的访问时间测量
符号
V
IH
/ V
IL
VTRIP
TR / TF
Voutref
C
L
价值
2.4/0.4
1.4
1
1.4
50
单位
V
V
ns
V
pF
1
注意:
1.输出负载测量访问时间相当于两个TTL门和一个电容器( 50pF的) 。有关详细信息,请参阅AC / DC输出
负载电路
修订版0.1 /十月02
6
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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