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初步
HY5V52 ( L) F( P)系列
4Banks X 2M X 32位同步DRAM
文档标题
4Bank X 2M X 32位同步DRAM
修订历史
版本号
0.1
历史
最初的草案
草案日期
2004年6月
备注
初步
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。海力士不承担任何责任
使用电路的说明。没有专利许可。
修订版0.1 / 6月。 2004年
1
初步
HY5V52 ( L) F( P)系列
4Banks X 2M X 32位同步DRAM
描述
海力士HY5V52 (L )F ( P)系列是268,435,456bit CMOS同步DRAM ,非常适用于存储应用
系统蒸发散需要广泛的数据I / O和高带宽。 HY5V52 (L)的F( P)的部分组织的2,097,152x32 4banks 。
HY5V52 (L)的F( P)是提供参考时钟的正边缘完全同步操作。所有输入和输出
与时钟输入的上升沿同步。的数据通路内部流水线达到非常高的
带宽。所有的输入和输出电压电平与LVTTL兼容。
可编程选项包括管道的长度的连续的读( 2个读延迟或3) ,数量或写入
由一个单一的控制命令( 1,2,4,8或整页突发长度)发起的周期,突发计数序列( SE-
quential或交织) 。一阵正在进行读或写周期可以由突发终止终止命令或
可以通过一个新的脉冲串被中断并在替换的读或写命令中的任何周期。 (这个流水线设计是不是再
由“ 2N ”规则stricted )
特点
电压: VDD , VDDQ 3.3V
所有器件引脚与LVTTL接口兼容
90Ball FBGA与引脚间距为0.8mm
所有输入和输出参考的正边缘
系统时钟
通过DQM0,1,2和3个数据屏蔽功能
国内四家银行的操作
突发读取单一写操作
可编程CAS延时; 2 , 3个时钟
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
- 1,2 ,4,8或全部页面为顺序突发
- 1,2 ,4或8对交错突发
订购信息
产品型号
HY5V52(L)F-H
HY5V52(L)F-P
HY5V52(L)F-S
HY5V52(L)FP-H
HY5V52(L)FP-P
HY5V52(L)FP-S
时钟
频率
133MHz
100MHz
100MHz
133MHz
100MHz
100MHz
CAS
潜伏期
3
2
3
3
2
3
4Banks X 2Mbits
x32
LVTTL
无铅
含铅
组织
接口
90球FBGA
1. HY5V52F系列:普通电源
2. HY5V52LF系列:低功耗
3. HY5V52xF系列:引线90Ball FBGA
4. HY5V52xFP系列:无铅90Ball FBGA
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。海力士不承担任何责任
使用电路的说明。没有专利许可。
修订版0.1 / 6月。 2004年
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初步
HY5V52 ( L) F( P)系列
4Banks X 2M X 32位同步DRAM
球CON组fi guration
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
DQ26
2
DQ24
3
VSS
4
5
6
7
VDD
8
DQ23
9
DQ21
DQ28
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
DQ19
VSSQ
DQ27
DQ25
DQ22
DQ20
VDDQ
VSSQ
DQ29
DQ30
DQ17
DQ18
VDDQ
VDDQ
DQ31
NC
NC
DQ16
VSSQ
VSS
DQM3
A3
A2
DQM2
VDD
A4
A5
A6
A7
A8
NC
顶部
意见
A10
A0
A1
NC
BA1
A11
CLK
CKE
A9
BA0
/ CS
/ RAS
DQM1
NC
NC
/ CAS
/ WE
DQM0
VDDQ
的DQ
VSS
VDD
DQ7
VSSQ
VSSQ
DQ10
DQ9
DQ6
DQ5
VDDQ
VSSQ
DQ12
DQ14
DQ1
DQ3
VDDQ
DQ11
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
DQ4
DQ13
DQ15
VSS
VDD
DQ0
DQ2
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初步
HY5V52 ( L) F( P)系列
4Banks X 2M X 32位同步DRAM
球的功能描述
符号
CLK
CKE
CS
BA0 , BA1
A0 ~ A11
球NAME
时钟
时钟使能
芯片选择
银行地址
地址
行地址
频闪,
列地址
频闪,写
启用
数据输入/输出
面膜
数据输入/输出
无连接
TYPE
输入
输入
输入
输入
输入
描述
系统时钟输入。所有其它输入被注册到SDRAM上
CLK的上升沿。
控制内部时钟信号和去激活时,在SDRAM中会
中断电的国家之一,暂停或自刷新
启用或禁用除CLK , CKE和DQM所有输入
选择银行RAS活动期间激活
CAS活动期间选择银行进行读/写
行地址: RA0 RA11 ,列地址: CA0 CA8
自动预充电标志: A10
RAS , CAS ,
WE
输入
RAS , CAS和WE定义操作
请参阅功能真值表细节
DQM0~3
DQ0
DQ31
NC
I / O
供应
-
控制输出缓冲器中读取模式和口罩输入数据的写入
模式
复用的数据输入/输出引脚
无连接
修订版0.1 / 6月。 2004年
4
初步
HY5V52 ( L) F( P)系列
4Banks X 2M X 32位同步DRAM
功能框图
2Mbit的X 4banks ×32的I / O同步DRAM
自刷新
逻辑&计时器
内部行
计数器
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM0
DQM1
DQM2
DQM3
2Mx32银行3
行活动
ROW
PRE
解码器
2Mx32 BANK 2
2Mx32 BANK 1
2Mx32 BANK 0
X解码器
X解码器
X解码器
状态机
DQ0
感测放大器& I / O门
X解码器
I / O缓冲器&逻辑
刷新
内存
CELL
ARRAY
列活动
COLUMN
PRE
解码器
y解码器
DQ31
BANK SELECT
列添加
计数器
A0
A1
地址
注册
BURST
计数器
管材生产线
控制
地址缓冲器
A11
BA1
BA0
模式寄存器
CAS延迟
数据输出控制
修订版0.1 / 6月。 2004年
5
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