HY57V283220T / HY5V22F
4银行X 1M X 32位同步DRAM
描述
海力士HY57V283220T / HY5V22F是134217728位CMOS同步DRAM ，非常适合记忆
应用程序需要广泛的数据I / O和高带宽。 HY57V283220T / HY5V22F组织作为4banks
1,048,576x32.
HY57V283220T / HY5V22F是提供参考时钟的正边缘完全同步操作。所有输入
和输出与所述输入时钟的上升沿同步。的数据通路内部流水线来实现
非常高的带宽。所有的输入和输出电压电平与LVTTL兼容。
可编程选项包括管道的长度的连续的读（ 2个读延迟或3） ，数量或写入
由一个单一的控制命令（ 1,2,4,8或整页突发长度）发起的周期，突发计数
序列（顺序或交错） 。一阵正在进行读或写周期可以由突发终止被终止
命令，或者可以通过一个新的脉冲串被中断并在替换的读或写命令中的任何周期。 （该流水线
设计不是由` 2N`规则的限制。 ）
特点
JEDEC标准的3.3V电源
所有器件引脚与LVTTL接口兼容
86TSOP - II ， 90Ball FBGA与引脚间距为0.8mm
所有输入和输出参考的正边缘
系统时钟
通过DQM0,1,2和3个数据屏蔽功能
国内四家银行的操作
突发读取单一写操作
可编程CAS延时; 2 ， 3个时钟
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
- 1，2 ，4，8或全部页面为顺序突发
- 1，2 ，4或8对交错突发
订购信息
产品型号
HY57V283220(L)T-5
HY5V22(L)F-5
HY57V283220(L)T-55
HY5V22(L)F-55
HY57V283220(L)T-6
HY5V22(L)F-6
HY57V283220(L)T-7
HY5V22(L)F-7
HY57V283220(L)T-8
HY5V22(L)F-8
HY57V283220(L)T-P
HY5V22(L)F-P
HY57V283220(L)T-S
HY5V22(L)F-S
时钟频率
200MHz
组织
4Banks X 1Mbits
x32
4Banks X 1Mbits
x32
4Banks X 1Mbits
x32
4Banks X 1Mbits
x32
4Banks X 1Mbits
x32
4Banks X 1Mbits
x32
4Banks X 1Mbits
x32
接口
LVTTL
包
86TSOP-II
90Ball FBGA
86TSOP-II
90Ball FBGA
86TSOP-II
90Ball FBGA
86TSOP-II
90Ball FBGA
86TSOP-II
90Ball FBGA
86TSOP-II
90Ball FBGA
86TSOP-II
90Ball FBGA
183MHz
LVTTL
166MHz
LVTTL
143MHz
LVTTL
125MHz
LVTTL
100MHz
LVTTL
100MHz
LVTTL
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。 Hynix半导体公司不承担
用于描述电路的任何责任。没有专利许可。
修订版0.5 /十月02
HY57V283220T / HY5V22F
引脚配置（ HY57V283220T系列）
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
NC
V
DD
DQM0
/ W ê
/ CAS
/ RAS
/ CS
A11
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
DQM2
V
DD
NC
DQ16
V
SSQ
DQ17
DQ18
V
DDQ
DQ19
DQ20
V
SSQ
DQ21
DQ22
V
DDQ
DQ23
V
DD
8
8
8
8
8
8
8
7
7
7
7
7
7
7
7
7
7
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
4
4
4
4
4
4
6
5
4
3
2
1
0
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
9
8
7
6
5
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86pin TSOP II
400mil X 875mil
0.5毫米引脚间距
V
SS
DQ15
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
SSQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
NC
V
SS
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
V
SS
NC
DQ31
V
DDQ
DQ30
DQ29
V
SSQ
DQ28
DQ27
V
DDQ
DQ26
DQ25
V
SSQ
DQ24
V
SS
引脚说明
针
CLK
时钟
引脚名称
描述
系统时钟输入。所有其它输入被登记到在SDRAM中
上升CLK的边缘。
控制内部时钟信号和去激活时， SDRAM的将其中
中断电状态，暂停或自刷新
启用或禁用除CLK ， CKE和DQM所有输入
选择银行RAS活动期间激活
CAS活动期间选择银行进行读/写
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA7
自动预充电标志： A10
RAS ， CAS和WE定义操作
请参阅功能真值表细节
控制输出缓冲器中读取模式和口罩的输入数据在写入模式
复用的数据输入/输出引脚
电源为内部电路和输入缓冲器
电源，输出缓冲器
无连接
CKE
CS
BA0 ， BA1
时钟使能
芯片选择
银行地址
A0 ~ A11
地址
行地址选通，
列地址选通，
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
RAS ， CAS ，宽E
DQM0~3
DQ0 DQ31
V
DD
/V
S S
V
DDQ
/V
SSQ
NC
修订版0.5 /十月02
3
HY57V283220T / HY5V22F
球配置（ HY5V22F系列）
1
A
DQ26
DQ24
VSS
VDD
DQ23
DQ21
2
3
4
5
6
7
8
9
B
DQ28
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
DQ19
C
VSSQ
DQ27
DQ25
DQ22
DQ20
VDDQ
D
VSSQ
DQ29
DQ30
DQ17
DQ18
VDDQ
E
VDDQ
DQ31
NC
NC
DQ16
VSSQ
F
VSS
DQM3
A3
A2
DQM2
VDD
G
A4
A5
A6
A10
A0
A1
H
A7
A8
NC
顶视图
NC
BA1
A11
J
CLK
CKE
A9
BA0
/ CS
/ RAS
K
DQM1
NC
NC
/ CAS
/ WE
DQM0
L
VDDQ
DQ8
VSS
VDD
DQ7
VSSQ
M
VSSQ
DQ10
DQ9
DQ6
DQ5
VDDQ
N
VSSQ
DQ12
DQ14
DQ1
DQ3
VDDQ
P
DQ11
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
DQ4
R
DQ13
DQ15
VSS
VDD
DQ0
DQ2
球说明
针
CLK
时钟
引脚名称
描述
系统时钟输入。所有其它输入被登记到在SDRAM中
上升CLK的边缘。
控制内部时钟信号和去激活时， SDRAM的将其中
中断电状态，暂停或自刷新
启用或禁用除CLK ， CKE和DQM所有输入
选择银行RAS活动期间激活
CAS活动期间选择银行进行读/写
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA7
自动预充电标志： A10
RAS ， CAS和WE定义操作
请参阅功能真值表细节
控制输出缓冲器中读取模式和口罩的输入数据在写入模式
复用的数据输入/输出引脚
电源的内部电路s和输入缓冲器
电源，输出缓冲器
无连接
CKE
CS
BA0 ， BA1
时钟使能
芯片选择
银行地址
A0 ~ A11
地址
行地址选通，
列地址选通，
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
RAS ， CAS ， WE
DQM0~3
DQ0 DQ31
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
NC
修订版0.5 /十月02
4
HY57V283220T / HY5V22F
功能框图
为1Mbit X 4banks ×32的I / O同步DRAM
自刷新逻辑
＆放大器;定时器
刷新
计数器
CLK
行活动
1M X32银行3
ROW
PRE
解码器
1M X32银行2
X解码器
X解码器
X解码器
X解码器
1M X32银行1
1M X32银行0
X解码器
X解码器
X解码器
DQ0
DQ1
I / O缓冲器&逻辑
I / O缓冲器&逻辑
感测放大器& I / O门
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM0
DQM1
DQM2
DQM3
状态机
状态机
COLUMN
活跃
X解码器
X解码器
X解码器
内存
CELL
ARRAY
COLUMN
PRE
解码器
Y译码
DQ30
DQ31
BANK SELECT
列添加
计数器
A0
A1
地址缓冲器
地址缓冲器
A11
BA0
BA1
地址
注册
BURST
计数器
模式寄存器
CAS延迟
数据输出控制
管线控制
修订版0.5 /十月02
5
HY57V283220T / HY5V22F
绝对最大额定值
参数
环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
焊接温度
时间
T
A
T
英镑
V
IN
, V
OUT
V
DD,
V
DDQ
I
OS
P
D
T
SOLDER
符号
0 ~ 70
-55 ~ 125
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
50
1
260
10
等级
°C
°C
V
V
mA
W
°C
美国证券交易委员会
单位
注意：
工作在高于绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响
DC工作条件
值（TA = 0 70℃ ）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
民
3.135
2.0
V
SSQ
- 0.3
典型值。
3.3
3.0
0
最大
3.6
V
DDQ
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
记
1
1,2
1,3
注意：
1.所有电压参考V
SS
= 0V
2.V
IH
（max）是可接受的5.6V的交流脉冲宽度与
≤3ns
时间没有输入钳位二极管
3.V
IL
（分钟）是可以接受的-2.0V交流脉冲宽度
≤3ns
时间没有输入钳位二极管
交流工作条件下
（ TA = 0 70 ° C， 3.0V
≤V
DD
≤3.6V,
V
SS
= 0V - 注1）
参数
AC输入高/低电平电压
输入定时测量参考电平电压
输入的上升/下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载电容的访问时间测量
符号
V
IH
/ V
IL
VTRIP
TR / TF
Voutref
CL
价值
2.4/0.4
1.4
1
1.4
30
单位
V
V
ns
V
pF
1
记
注意：
1.输出负载来测量访问时间相当于两个TTL门和一个电容（ 30pF的）
有关详细信息，请参阅AC / DC输出负载CIR CUIT
修订版0.5 /十月02
6
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