HY5S6B6D(L/S)F(P)-xE
4Banks X1M X 16位同步DRAM
文档标题
4Bank X 1M X 16位同步DRAM
修订历史
版本号
0.1
0.2
0.3
最初的草案
追加超低价电力集团的数据表
改变直流特性
改变包装信息
历史
草案日期
2003年9月
2003年10月
2003年11月
2004年7月
备注
初步
初步
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士不承担任何责任
使用电路的说明。没有专利许可。
2004年修订版0.3 /月
1
HY5S6B6D(L/S)F(P)-xE
4Banks X1M X 16位同步DRAM
描述
海力士的低功耗SDRAM适合于它们使用的电池，如掌上电脑， 2.5G和3G蜂窝非PC应用程序
手机与互联网连接和多媒体功能，迷你笔记本电脑，掌上电脑。
的力士HY5S6B6D （L / S ）F（ P）为一个67,108,864bit的CMOS同步动态随机存取存储器。它的组织结构
作为1,048,576x16 4banks 。
低功耗SDRAM提供了可编程选项包括CAS延迟时间为1 ，2或3 ，读或写突发
长度的1，2， 4，8，或整页，和脉冲串计数序列（顺序或交错） 。和低功耗SDRAM
还提供了特殊的可编程选项，其中包括部分阵列自刷新四分之一银行，一半的银行，
1bank ， 2banks ，还是所有银行。
海力士HY5S6B6D （L / S） F（ P）具有自动TCSR （温度补偿自重新的特殊低功耗功能
新鲜），以降低自刷新电流消耗。由于内部温度传感器被植入，其能够使盟
根据温度，无需外部EMRS命令tomatically调整刷新率。一阵读或写
正在进行中的周期可以由一个脉冲串被终止终止命令，或者可以通过一个新的脉冲串被中断并在更换
读或写命令中的任何周期（此流水线设计不是由2N规则的限制） 。
深度掉电模式是一种额外的工作模式低功耗SDRAM 。这种模式可以实现最大功率
还原除去功率到每个SDRAM中的存储器阵列。通过使用此功能，该系统可切断
无需添加电源开关的成本和放弃母板上电源线的布局alomost所有的DRAM电源
灵活性。
特点
标准SDRAM协议
I
nternal 4bank操作
●
电源电压： VDD = 1.8V ， VDDQ = 1.8V
LVCMOS兼容的I / O接口
低电压接口，以减少I / O电源
低功耗特性
- PASR （部分阵列自刷新）
- 自动TCSR （温度补偿自刷新）
- DS （驱动力）
- 深度掉电模式
的可编程的CAS等待时间1 ， 2或3
封装类型： 54ball ， 0.8mm节距FBGA （无铅，铅）
HY5S6B6D （L / S） FP ：无铅
HY5S6B6D （L / S） F：铅
●
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订购信息
产品型号
HY5S6B6D(L/S)F(P)-SE
HY5S6B6D(L/S)F(P)-BE
时钟频率
105MHz
66MHz
CAS
潜伏期
3
4banks X为1Mb ×16
2
LVCMOS
组织
接口
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士不承担任何责任
使用电路的说明。没有专利许可。
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HY5S6B6D(L/S)F(P)-xE
4Banks X 1M X 16位同步DRAM
球说明
球开出
F2
符号
CLK
TYPE
输入
描述
时钟：系统时钟输入。所有其它输入都被注册到
的SDRAM在CLK的上升沿
时钟使能：控制内部时钟信号和停用时，该
SDRAM将跻身国家之一（深）电源关闭，暂停或
自刷新
芯片选择：启用或禁用除CLK ， CKE ， UDQM和所有输入
LDQM
银行地址：银行选择将RAS活动期间激活
CAS活动期间选择银行进行读/写
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA7
自动预充电标志： A10
命令输入： RAS ， CAS和WE定义操作
请参阅功能真值表细节
数据屏蔽：控制输出缓冲器中读取模式和掩码输入数据
在写入模式
F3
CKE
输入
G9
G7,G8
H7 ， H8 ， J8 ， J7 ，
J3 ，J2 ，H 3 ，H 2，
H 1 ，G 3， H9 ，
G2
F8, F7, F9
F1 ， E8
A8， B9 ，B8，
C9 ，C8， D9，
D8 ， E9 ，E1
D2，D1 ，C2
C1， B2，B1和A2的
A9 ， E7 ， J9 ， A1 ，
E3 ， J1
A7 ，B3， C 7 ，D3
A3， B7 ，C 3， D 7
E2 ， G1
CS
BA0 ， BA1
输入
输入
A0 ~ A11
输入
RAS ， CAS ， WE
UDQM ， LDQM
输入
输入
DQ0 DQ15
I / O
数据输入/输出：复用数据输入/输出引脚
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
NC
供应
供应
-
电源的内部电路
电源，输出缓冲器
无连接
2004年修订版0.3 /月
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HY5S6B6D(L/S)F(P)-xE
4Banks X 1M X 16位同步DRAM
功能框图
为1Mbit X 4banks ×16 I / O的低功耗同步DRAM
PASR
EXTENDED
模式
注册
自刷新
逻辑&计时器
内部行
计数器
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
U / LDQM
状态机
1Mx16银行3
行活动
ROW
PRE
解码器
1Mx16银行2
1Mx16银行1
1Mx16银行0
DQ0
I / O缓冲器&逻辑
感测放大器& I / O门
行解码器
行解码器
行解码器
行解码器
刷新
内存
CELL
ARRAY
列活动
COLUMN
PRE
解码器
DQ15
列解码器
BANK SELECT
列添加
计数器
A0
A1
地址缓冲器
地址
注册
BURST
计数器
BURST
长
A11
BA1
BA0
模式寄存器
CAS延迟
数据输出控制
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