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HY5PS561621A(L)FP
256MB DDR2 SDRAM
HY5PS561621A(L)FP
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
修订版0.4 / 2006年9月
1
1
1HY5PS561621A(L)FP
修订历史
启示录
0.1
初步数据表发布。
取消了对X4 / 8组织的所有内容。
更新IDD规格。
去除不当的音符ODT DC规格。
时序参数表修正
历史
草案日期
六月。 2005年
0.2
2005年10月
0.3
0.4
2006年7月
2006年9月
修订版0.4 / 2006年9月
2
1
1HY5PS561621A(L)FP
目录
1.描述
1.1设备特点及订购信息
1.1.1主要室内配备
1.1.2订购信息
1.1.3订货频率
1.2引脚配置
1.3引脚说明
2.最大额定直流电压
2.1绝对最大额定直流电压
2.2工作温度条件
3.交流&直流工作条件
3.1 DC工作条件
5.1.1建议的直流工作条件（ SSTL_1.8 ）
5.1.2 ODT DC电气特性
3.2直流&交流逻辑输入电平
3.2.1 DC输入逻辑电平
3.2.2 AC输入逻辑电平
3.2.3 AC输入测试条件
3.2.4差分输入AC逻辑电平
3.2.5差分交流输出参数
3.3输出缓冲水平
3.3.1输出AC测试条件
3.3.2输出直流电流驱动
3.3.3 OCD默认chracteristics
3.4 IDD规格&测量条件
3.5输入/输出电容
4. AC时序规范
5.包装尺寸
修订版0.4 / 2006年9月
3
1
1HY5PS561621A(L)FP
1.描述
1.1设备特点&订购信息
1.1.1主要特点
VDD ， VDDQ = 1.8 +/- 0.1V
所有输入和输出与SSTL_18接口兼容
全差分时钟输入（ CK ， / CK ）操作
双数据速率接口
对准双向数据选通源同步数据交易（ DQS ， DQS ）
差分数据选通（ DQS ， DQS ）
在DQS数据输出， DQS边读时（微升DQ ）
在DQS中心的数据输入时写（居中DQ ）
片上DLL对齐DQ ， DQS和DQS过渡与转型CK
DM掩模写入数据中的数据选通脉冲的上升沿和下降沿
所有的地址和控制输入数据以外，数据选通信号和锁存的上升沿数据口罩
时钟
可编程CAS延时3 ，图4，图5和6支撑
支持可编程添加剂延迟0，1， 2，3， 4和5中
可编程的突发长度为4月8日既四位顺序和交错模式
内置4组操作与单脉冲RAS
自动刷新和自刷新支持
tRAS的锁定支持
8K刷新周期/ 64ms的
JEDEC标准84ball FBGA （ X16 ）
通过EMRS控制全部的力量驱动程序选项
片上终端支持
片外驱动器阻抗调整的支持
自刷新高温入口
部分阵列自刷新支持
订购信息
产品型号
HY5PS561621A(L)FP-X*
组织
16Mx16
包
无铅**
工作频率
速度斌
E3
C4
Y5
S5
TCK （ NS ）
5
3.75
3
2.5
CL
3
4
5
5
tRCD的
3
4
5
5
激进党
3
4
5
5
单位
CLK
CLK
CLK
CLK
注意：
1. -X *是速度仓，是指运行频率表
完整型号
2.海力士无铅产品符合RoHS指令。
修订版0.4 / 2006年9月
4
1
1HY5PS561621A(L)FP
1.2引脚配置&地址表
16Mx16 DDR2引脚配置（顶视图：看穿包球）
3
VSS
UDM
VDDQ
DQ11
VSS
LDM
VDDQ
DQ3
VSS
WE
BA1
A1
A5
A9
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
7
VSSQ
UDQS
VDDQ
DQ10
VSSQ
LDQS
VDDQ
DQ2
VSSDL
RAS
CAS
A2
A6
A11
NC
8
UDQS
VSSQ
DQ8
VSSQ
LDQS
VSSQ
DQ0
VSSQ
CK
CK
CS
A0
A4
A8
NC
VSS
VDD
9
VDDQ
DQ15
VDDQ
DQ13
VDDQ
DQ7
VDDQ
DQ5
VDD
ODT
1
VDD
DQ14
VDDQ
DQ12
VDD
DQ6
VDDQ
DQ4
VDDL
2
NC
VSSQ
DQ9
VSSQ
NC
VSSQ
DQ1
VSSQ
VREF
CKE
NC
BA0
A10
VSS
A3
A7
VDD
A12
行和列地址表
项
＃银行
银行地址
自动预充电标志
行地址
列地址
PAGE SIZE
16Mx16
4
BA0 ， BA1
A10/AP
A0 - A12
A0-A8
1 KB
修订版0.4 / 2006年9月
5
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