512MB A-版本。 DDR2 SDRAM
目录
1.描述
1.1设备特点及订购信息
1.1.1主要室内配备
1.1.2订购信息
1.1.3订货频率
1.2引脚配置
1.3引脚说明
2.最大额定直流电压
2.1绝对最大额定直流电压
2.2工作温度条件
3.交流&直流工作条件
3.1 DC工作条件
5.1.1建议的直流工作条件（ SSTL_1.8 ）
5.1.2 ODT DC电气特性
3.2直流&交流逻辑输入电平
3.2.1 DC输入逻辑电平
3.2.2 AC输入逻辑电平
3.2.3 AC输入测试条件
3.2.4差分输入AC逻辑电平
3.2.5差分交流输出参数
3.3输出缓冲水平
3.3.1输出AC测试条件
3.3.2输出直流电流驱动
3.3.3 OCD默认chracteristics
3.4 IDD规格&测量条件
3.5输入/输出电容
4. AC时序规范
5.包装尺寸
修订版0.2 / 2005年3月
3
512MB A-版本。 DDR2 SDRAM
1.描述
1.1设备特点&订购信息
1.1.1主要特点
VDD ， VDDQ = 1.8 +/- 0.1V
所有输入和输出与SSTL_18接口兼容
全差分时钟输入（ CK ， / CK ）操作
双数据速率接口
对准双向数据选通源同步数据交易（ DQS ， DQS ）
差分数据选通（ DQS ， DQS ）
在DQS数据输出， DQS边读时（微升DQ ）
在DQS中心的数据输入时写（居中DQ ）
片上DLL对齐DQ ， DQS和DQS过渡与转型CK
DM掩模写入数据中的数据选通脉冲的上升沿和下降沿
所有地址和控制输入，除了数据，数据选通信号和锁存时钟的上升沿数据掩码
可编程CAS延时3 ，图4，图5和6支撑
支持可编程添加剂延迟0，1， 2，3， 4和5中
可编程突发长度4/8既四位顺序和交错模式
内置4组操作与单脉冲RAS
自动刷新和自刷新支持
tRAS的锁定支持
8K刷新周期/ 64ms的
JEDEC标准60ball FBGA （ X4 / X8 ） & 84ball FBGA （ X16 ）
通过EMRS控制全部的力量驱动程序选项
片上终端支持
片外驱动器阻抗调整的支持
读数据选通suupported （ X8只）
自刷新高温入口
初步
订购信息
产品型号
HY5PS12421AF-X**
HY5PS12821AF-X**
HY5PS121621AF-X*
HY5PS12421AFP-X*
HY5PS12821AFP-X*
HY5PS121621AFP-X*
组织
128Mx4
64Mx8
32Mx16
128Mx4
64Mx8
32Mx16
无铅**
含铅
包
工作频率
速度斌
E3
C3
C4
Y4
Y5
S5
S6
TCK （ NS ）
5
3.75
3.75
3
3
2.5
2.5
CL
3
3
4
4
5
5
6
tRCD的
3
3
4
4
5
5
6
激进党
3
3
4
4
5
5
6
单位
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
注意：
1. -X *是速度仓，是指操作FRE昆西
表完整型号
2.海力士无铅产品符合RoHS指令。
修订版0.2 / 2005年3月
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512MB A-版本。 DDR2 SDRAM
1.2引脚配置&地址表
128Mx4 DDR2引脚配置（顶视图：看穿包球）
1
VDD
NC
VDDQ
NC
VDDL
2
NC
VSSQ
DQ1
VSSQ
VREF
CKE
3
VSS
DM
VDDQ
DQ3
VSS
WE
BA1
A1
A5
A9
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
7
VSSQ
的DQ
VDDQ
DQ2
VSSDL
RAS
CAS
A2
A6
A11
NC
8
的DQ
VSSQ
DQ0
VSSQ
CK
CK
CS
A0
A4
A8
A13
9
VDDQ
NC
VDDQ
NC
VDD
ODT
NC
BA0
A10
VDD
VSS
A3
A7
VSS
VDD
A12
行和列地址表
项
＃银行
银行地址
自动预充电标志
行地址
列地址
PAGE SIZE
128Mx4
4
BA0 ， BA1
A10/AP
A0 - A13
A0-A9, A11
1 KB
修订版0.2 / 2005年3月
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