HY57V653220B
4银行X 512K X 32位同步DRAM
(E S) C R IP牛逼IO
海力士HY57V653220B是67108864位CMOS同步DRAM ,非常适用于
524,288x32.
HY 10 7 V 6 5 3 2 2 0 B被提供参考时钟的正边缘完全同步操作。所有的输入和输出
看跌期权与时钟输入的上升沿同步。的数据通路内部流水线实现非常
高带宽。所有的输入和输出电压电平与LVTTL兼容。
可编程选项包括管道的长度的连续的读( 2个读延迟或3) ,数量或写入
周期
开始
by
a
单身
控制
命令
(突发
长
of
1,2,4,8
or
满
页)
和
该
BURST
算
序列(顺序或交错) 。一阵正在进行读或写周期可以由突发终止被终止
命令,或者可以通过一个新的脉冲串被中断并在替换的读或写命令中的任何周期。 (该流水线
设计不是由` 2N`规则的限制。 )
移动应用程序
其中要求低功耗和宽温度范围。 HY57V653220B组织作为4banks
特点
JEDEC标准的3.3V电源
所有器件引脚与LVTTL接口兼容
JEDEC标准400mil 86pin TSOP- II具有0.5mm的
引脚间距
- 1,2 ,4,8或全部页面为顺序突发
所有输入和输出参考的正边缘
系统时钟
通过DQM0,1,2和3个数据屏蔽功能
国内四家银行的操作
- 1,2 ,4或8对交错突发
可编程 A S延迟; 2 , 3个时钟
突发读取单一写操作
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
D E R IN G IN F R M为T IO
产品型号
HY57V653220BTC-6I
Y 5 7 V 6 5 3 2 2 0 B T C -7我
HY57V653220BTC-10I
HY57V653220BLTC-6I
HY57V653220BLTC-7I
HY57V653220BLTC-10I
时钟频率
166MHz
14 3 M·H
100MHz
动力
组织
接口
包
正常
166MHz
143MHz
100MHz
4Banks X 512Kbits
x32
LVTTL
400mil 86pin TSOP II
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。现代电子不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
修订版0.6 / Aug.01
HY57V653220 B
P IN C 0 ·N· IG ü R A牛逼IO
V DD
DQ0
V DDQ
DQ1
DQ2
V SSQ
DQ3
DQ4
V DDQ
DQ5
DQ6
V SSQ
DQ7
NC
V DD
DQM0
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
DQM2
V DD
NC
DQ16
V SSQ
DQ17
DQ18
V DDQ
DQ19
DQ20
V SSQ
DQ21
DQ22
V DDQ
DQ23
V DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
V SS
DQ15
V SSQ
DQ14
DQ13
V DDQ
DQ12
DQ11
V SSQ
DQ10
DQ9
V DDQ
DQ8
NC
V SS
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
V SS
NC
DQ31
V DDQ
DQ30
DQ29
V SSQ
DQ28
DQ27
V DDQ
DQ26
DQ25
V SSQ
DQ24
V SS
86pin TSOP II
4 0 0 M I长x 8 7 5米IL
0.5毫米引脚间距
P在D (E S) C R IP牛逼IO
针
P I N N A M E
(E S) C R IPTIO
系统时钟输入。所有其它输入被登记到在SDRAM中
上升CLK的边缘。
控制内部时钟信号和去激活时, SDRAM的将其中
中断电状态,暂停或自刷新
启用或禁用除CLK , CKE和DQM所有输入
S electsbanktobeactivat edduring RAS活性
S electsbanktoberead / writtenduring CAS活动
行地址: RA0 RA10 ,列地址: CA0 CA7
自动预充电标志: A10
CLK
时钟
CKE
时钟使能
CS
芯片选择
BA0 , BA1
银行地址
A0 ~ A10
地址
行地址选通,
RAS , CAS ,宽E
列地址选通,
写使能
DQM0~3
DQ0 DQ31
V
D D
/V
S S
V
D D Q
/V
S S小Q
NC
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
R A S,C A S和W 定义操作
请参阅功能真值表细节
ontrols输出缓冲器中读取模式和口罩的输入数据在写入模式
复用的数据输入/输出引脚
P owersupplyforinternal circuitsandinputbuffe RS
电源,输出缓冲器
无连接
修订版0.6 / Aug.01
2
HY57V653220 B
F加利(C T) IO A L B·L摄氏度杀敌IA摹 - [R A M
5 1 2 k BITX 4 banksx 3 2 I / OS ynchronous DRAM
自刷新逻辑
&放大器;定时器
内部行
计数器
L·K
ROW
活跃
512Kx32银行3
ROW
PRE
解码器
512Kx32银行2
X解码器
K E特征
(C S)
512Kx32银行1
X解码器
512Kx32银行0
状态机
X解码器
中,R a
Q 0
Q 1
感测放大器& I / O门
X解码器
I / O缓冲器&逻辑
内存
CELL
ARRAY
A S
宽E
Q M 0
Q M 1
Q M 2
Q M 3
COLUMN
活跃
COLUMN
PRE
解码器
Q 3 0
Q 3 1
解码器
列添加
BANK SELECT
计数器
A 0
A 1
地址
注册
地址缓冲器
BURST
计数器
A10
B A 0
B A 1
CAS延迟
模式寄存器
数据输出控制
管线控制
修订版0.6 / Aug.01
3
HY57V653220 B
A B S 0吕T E M A X IM ü M R一T IN的s
P一R A M E之三
环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
D D
相对于V
S S
短路输出电流
功耗
焊接温度
T I M E
T
A
T
英镑
V
IN
, V
O u那样牛逼
V
DD,
V
D D Q
I
O 4 S
P
D
T
SOLDER
符号
-40 ~ 85
-55 ~ 125
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
50
1
260
10
等级
°
C
°
C
V
V
mA
W
°
C
发E
单位
N}÷ TE :
perationataboveabsolu temaximumratingcanadv erselyaffectdevicerel iability
D C P·E R A T IN克碳 N D资讯IO
P一R A M E之三
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
D D
, V
DDQ
V
IH
V
IL
( TA = -40 8 5
°
C
)
M I
n
3 .0
2.0
V
S S小Q
- 0.3
典型值。
3.3
3.0
0
最大
3.6
V
D D Q
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
N}÷ TE
1 ,2
1 ,3
1 ,4
N}÷ TE :
1 。一个llvoltagesarereferenc edto V
S S
= 0 V
2.V
IH
(M一X) I S A C C é P T A B L E 5 。 6 V A C P U被升发E W I 吨瓦特I T ^ h
≤
持续时间为3ns没有输入钳位二极管
3 .V
I L
(米) I S A C C é P T A B L E - 2 。 0 V A C P U被升发E W I 吨瓦特I T ^ h
≤ 3
nsofdurationwithnoinp utclampdiodes
A C O·P é R A T IN克碳 N D资讯IO
参数
AC输入高/低电平电压
( T A = - 4 0吨O 8 5
°
C
, 3. 0 V
≤V
D D
≤
3 . 6 V , V
S S
= 0 V - N T E 1 )
符号
V
IH
/ V
I L
VTRIP
TR / TF
Voutref
CL
价值
2.4/0.4
1.4
1
1.4
30
单位
V
V
ns
V
pF
记
输入定时测量参考电平电压
输入的上升/下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载电容的访问时间测量
1
N}÷ TE :
1.输出负载来测量访问时间相当于两个TTL门和一个电容( 30pF的)
F ordetails , referto AC / DC outputloadc IR UIT
修订版0.6 / Aug.01
4
HY57V653220 B
C A P A C IT A N权证
P一R A M E之三
输入电容
CLK
A 0 A 1 0 , 0 BA , BA 1 , CKE , CS , RAS ,
CAS ,W E, DQM0 3
数据输入/输出电容
DQ0 DQ31
C
I / O
4
6.5
pF
( T A = 2 5
°
C
, F = 1 M·H Z,V D D = 3 。 3 V)的
针
符号
C
I1
C I
2
米
2.5
2.5
最大
4
5
单位
pF
pF
ü T P上ü T L o一个D C IR ú IT
V吨T = 1 。 4 V
Vtt=1.4V
RT=500
RT = 50
产量
产量
Z 0 = 5 0
30pF
30pF
DC输出负载电路
AC输出负载电路
D C ] C H A R A C T E R为叔IC S I
( D C
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
I
L I
I
1。·
V
OH
V
OL
工作条件,除非另有说明)
S y时M B 0 1
M英寸
-1
-1.5
2.4
-
最大
1
1.5
-
0.4
加利IT
uA
uA
V
V
N}÷ TE
1
2
I
= - 2m的
I
0 1
= + 2m的
注意:
1 .V
IN
= 0吨O 3 。 6 V ,A llotherpinsarenotunde RTEST = 0 V
2 .D
O u那样牛逼
我旗下D I S A B L E D, V
O u那样牛逼
= 0吨O 3 。 6 V
修订版0.6 / Aug.01
5