HY57V651620B
4库x 1米x 16Bit的同步DRAM
描述
海力士HY57V641620HG是67108864位CMOS同步DRAM ，非常适合主存储应用场合
需要大的存储密度和高带宽。 HY57V641620HG组织为1,048,576x16 4banks 。
HY 5 7 V 6 4 1 6 2 0 HG isofferingfullysynchr onousoperationreferen cedtoapositiveedgeoft heclock 。一个llinputsandoutputsare SY NC人力资源外包 -
认列与时钟输入的上升沿。的数据通路内部流水线，以达到非常高的带宽。所有的输入和输出
电压电平与LVTTL兼容。
P rogrammableoptionsinc ludethelengthofpipeli NE （R eadlatencyof 2或3） ， thenumberofconsecutiv ereadorwritecyclesin它iated
由一个单一的控制命令（突发的1,2,4,8或整页长度），以及脉冲串计数序列（顺序或交错） 。一阵
readorwritecyclesinpr ogresscanbeterminated byaburstterminatecomm andorcanbeinterrupted andreplacedbyanewbur ST
读或写命令在任何周期。 （此流水线设计不是由` 2N`规则的限制。 ）
特点
单3.3
±
0.3V电源
注）
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
- 1，2 ，4，8或全部页面为顺序突发
所有器件引脚与LVTTL接口兼容
JEDEC标准400mil 54pin TSOP- II ，具有0.8mm
引脚间距
所有输入和输出参考的正边缘
系统时钟
- 1，2 ，4或8对交错突发
可编程CAS延时; 2 ， 3个时钟
通过UDQM或LDQM数据屏蔽功能
国内四家银行的操作
订购信息
产品型号
HY57V651620BTC-55
HY57V651620BTC-6
HY57V651620BTC-7
HY57V651620BTC-75
HY57V651620BTC-8
HY57V651620BTC-10P
HY57V651620BTC-10S
HY57V651620BTC-10
HY57V651620BLTC-55
HY57V651620BLTC-6
HY57V651620BLTC-7
HY57V651620BLTC-75
HY57V651620BLTC-8
HY57V651620BLTC-10P
HY57V651620BLTC-10S
HY57V651620BLTC-10
时钟频率
183MHz
166MHz
143MHz
133MHz
动力
组织
接口
包
正常
125MHz
100MHz
100MHz
100MHz
183MHz
166MHz
143MHz
133MHz
低功耗
125MHz
100MHz
100MHz
100MHz
4Banks X 1Mbits
x16
400mil 54pin TSOP II
LVTTL
注： VDD （最小值）片HY57V651620B （ L）的TC - 55/6 /7 3.135V
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。现代电子不承担使用任何责任
电路描述。没有专利许可。
修订版1.9 / Apr.01
HY57V651620B
引脚配置
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
LDQM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54pin TSOP II
400mil X 875mil
0.8毫米引脚间距
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V SS
DQ15
V SSQ
DQ14
DQ13
V DDQ
DQ12
DQ11
V SSQ
DQ10
DQ9
V DDQ
DQ8
V SS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V SS
引脚说明
针
引脚名称
描述
系统时钟输入。所有其它输入被登记到在SDRAM中
CLK的上升沿
控制内部时钟信号和去激活时， SDRAM的将其中
中断电状态，暂停或自刷新
启用或禁用除CLK ， CKE和DQM所有输入
S electsbanktobeactivat edduring RAS活性
S electsbanktoberead / writtenduring CAS活动
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA7
自动预充电标志： A10
CLK
时钟
CKE
时钟使能
CS
芯片选择
BA0,BA1
银行地址
A0 ~ A11
地址
行地址选通，
R A S，C A S ，W ê
列地址选通，
写使能
LDQM ， UDQM
DQ0 DQ15
V
D D
/V
S S
V
D D Q
/V
S S小Q
NC
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
R A S，C A S和W 定义操作
请参阅功能真值表细节
控制输出缓冲器中读取模式和口罩的输入数据在写入模式
复用的数据输入/输出引脚
电源为内部电路和输入缓冲器
电源，输出缓冲器
无连接
修订版1.9 / Apr.01
2
HY57V651620B
功能框图
为1Mbit X 4banks ×16的I / O同步DRAM
自刷新逻辑
＆放大器;定时器
内部行
计数器
CLK
行活动
1Mx16银行3
ROW
PRE
解码器
1Mx16银行2
X解码器
CKE
CS
1Mx16银行1
X解码器
1Mx16银行0
状态机
X解码器
RAS
DQ0
DQ1
感测放大器& I / O门
X解码器
I / O缓冲器&逻辑
内存
CELL
ARRAY
CAS
WE
UDQM
刷新
COLUMN
活跃
COLUMN
PRE
解码器
DQ14
DQ15
LDQM
解码器
列添加
BANK SELECT
计数器
A0
A1
地址
注册
地址缓冲器
BURST
计数器
A11
BA0
BA1
CAS延迟
模式寄存器
数据输出控制
管线控制
修订版1.9 / Apr.01
3
HY57V651620B
绝对最大额定值
参数
环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
S S
在V电压
D D
相对于V
S S
短路输出电流
功耗
焊接温度
T I M E
T
A
T
S T摹
V
IN
, V
O u那样牛逼
V
DD,
V
D D Q
I
O 4 S
P
D
T
SOLDER
符号
0 ~ 70
-55 ~ 125
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
50
1
260
10
等级
°
C
°
C
V
V
mA
W
°
C
发E
单位
注意：
工作在高于绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响
DC工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
D D
, V
DDQ
V
IH
V
IL
（ T A = 0吨O 7 0
°
C
)
民
3.0
2.0
V
S S小Q
- 2.0
典型值。
3.3
3.0
0
最大
3.6
V
DDQ
+ 2.0
0.8
单位
V
V
V
记
1,2
1,3
1,4
注意：
1.所有电压参考V
SS
= 0 V
2.VDD片HY57V651620B （ L） （分） TC -55 /6/7为3.135V
3.V
IH
（max）是可接受的5.6V的交流脉冲宽度与
≤
持续时间为3ns
4.V
IL
（分钟）是可以接受的-2.0V交流脉冲宽度
≤
持续时间为3ns
交流工作条件下
参数
AC输入高/低电平电压
（ T A = 0吨O 7 0
°
C
, V
D D
= 3 . 3
±
0 . 3 V
Note2
, V
SS
=0V)
符号
V
I H
/ V
IL
VTRIP
TR / TF
Voutref
CL
价值
2.4/0.4
1.4
1
1.4
50
单位
V
V
ns
V
pF
记
输入定时测量参考电平电压
输入的上升/下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载电容的访问时间测量
1
注意：
1.输出负载来测量访问时间相当于两个TTL门和一个电容（ 50pF的）
有关详细信息，请参阅AC / DC输出电路
2. VDD片HY57V651620B （ L） （分） TC -55 /6/7为3.135V
修订版1.9 / Apr.01
4
HY57V651620B
电容
参数
输入电容
CLK
A0 A11 ， BA0 ， BA1 ， CKE ，C S， RAS ，
CAS ，W E， UDQM ， LDQM
数据输入/输出电容
DQ0 DQ15
C
I / O
2
6.5
pF
（ T A = 2 5 °
C
， F = 1 M·H Z）
针
符号
C
I1
CI
2
民
2
2.5
最大
4
5
单位
pF
pF
输出负载电路
Vtt=1.4V
RT=250
产量
产量
50pF
50 pF的
DC输出负载电路
AC输出负载电路
DC特性I
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
I
L I
I
1。·
V
OH
V
OL
（ T A = 0吨O 7 0
°
C
, V
DD
=3.3
±
0 . 3 V
Note3
)
符号
分钟。
-1
-1
2.4
-
最大
1
1
-
0.4
单位
uA
uA
V
V
记
1
2
I
= - 4μm的
I
0 1
= + 4μm的
注意：
1 . V
I N
= 0吨O 3 。 6 V ，A llotherpinsarenottest edunder V
IN
= 0 V
2.D
O u那样牛逼
被禁用，V
O u那样牛逼
= 0 3.6
3..VDD片HY57V651620B （ L） （分） TC -55 /6/7为3.135V
修订版1.9 / Apr.01
5
QQ：2881677436 复制
