HY57V64820HGTP
4银行X 2米x 8位同步DRAM
描述
海力士HY57V64820HG是67108864位CMOS同步DRAM ，非常适合主存储应用场合
需要大的存储密度和高带宽。 HY57V64820HG组织为2,097,152x8的4banks 。
HY57V64820HG是提供参考时钟的正边缘完全同步操作。所有输入和输出都是同步的
认列与时钟输入的上升沿。的数据通路内部流水线，以达到非常高的带宽。所有的输入和输出
电压电平与LVTTL兼容。
可编程选项包括管道的长度（ 2个读延迟或3）通过启动连续的读或写周期中，数
一个单一的控制命令（的1,2,4,8或整页突发长度）和突发计数序列（顺序或交错） 。一阵读
或写在进展周期可以由一个脉冲串被终止终止命令，或者可以通过一个新的脉冲串读或中断，替换
写在任何周期命令。 （此流水线设计不是由` 2N`规则的限制。 ）
特点
单3.3 ± 0.3V电源
所有器件引脚与LVTTL接口兼容
JEDEC标准400mil 54pin TSOP- II与引脚为0.8mm
沥青
所有输入和输出参考系统的正沿
时钟
通过DQM数据屏蔽功能
国内四家银行的操作
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
- 1，2 ，4，8或全部页面为顺序突发
- 1，2 ，4或8对交错突发
可编程CAS延时; 2 ， 3个时钟
订购信息
产品型号
HY57V64820HGTP-5/55/6/7
HY57V64820HGTP-K
HY57V64820HGTP-H
HY57V64820HGTP-8
HY57V64820HGTP-P
HY57V64820HGTP-S
HY57V64820HGLTP-5/55/6/7
HY57V64820HGLTP-K
HY57V64820HGLTP-H
HY57V64820HGLTP-8
HY57V64820HGLTP-P
HY57V64820HGLTP-S
时钟频率
200/183/166/143MHz
133MHz
133MHz
动力
组织
接口
包
正常
125MHz
100MHz
100MHz
4Banks X 2Mbits X8
200/183/166/143MHz
133MHz
133MHz
低功耗
125MHz
100MHz
100MHz
LVTTL
400mil 54pin TSOP II
（无铅）
注）
海力士支持无铅一部分与同规格的每一个速度等级。
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不notice.Hynix半导体公司不承担使用任何责任
电路的描述。没有专利许可。
修订版0.1 / 11月3日
1
HY57V64820HGTP
引脚配置
V
DD
DQ0
V
DDQ
NC
DQ1
V
SSQ
NC
DQ2
V
DDQ
NC
DQ3
V
SSQ
NC
V
DD
NC
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54pin TSOP II
400mil X 875mil
0.8毫米引脚间距
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ7
V
SSQ
NC
DQ6
V
DDQ
NC
DQ5
V
SSQ
NC
DQ4
V
DDQ
NC
V
SS
NC
DQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
引脚说明
针
CLK
CKE
CS
BA0 ， BA1
A0 ~ A11
时钟
时钟使能
芯片选择
银行地址
地址
行地址选通，
列地址选通，写
启用
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
引脚名称
描述
系统时钟输入。所有其它输入被注册到SDRAM上的上升
CLK的边缘
控制内部时钟信号和去激活时， SDRAM的将是一个
中断电状态，暂停或自刷新
启用或禁用除CLK ， CKE和DQM所有输入
选择银行RAS活动期间激活
CAS活动期间选择银行进行读/写
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA8
自动预充电标志： A10
RAS ， CAS和WE定义操作
请参阅功能真值表细节
控制输出缓冲器中读取模式和口罩的输入数据在写入模式
复用的数据输入/输出引脚
电源为内部电路和输入缓冲器
电源，输出缓冲器
无连接
RAS ， CAS ， WE
DQM
DQ0 - DQ7
VDD / VSS
VDDQ / VSSQ
NC
修订版0.1 / 11月3日
2
HY57V64820HGTP
功能框图
2Mbit的X 4banks ×8的I / O同步DRAM
自刷新逻辑
＆放大器;定时器
内部行
计数器
CLK
行活动
2Mx8区块3
ROW
PRE
解码器
2Mx8银行2
X解码器
2Mx8银行1
X解码器
2Mx8银行0
X解码器
DQ0
DQ1
I / O缓冲器&逻辑
感测放大器& I / O门
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
状态机
地址缓冲器
X解码器
刷新
COLUMN
活跃
内存
CELL
ARRAY
COLUMN
PRE
解码器
DQ6
DQ7
解码器
BANK SELECT
列添加
计数器
A0
A1
地址
注册
BURST
计数器
A11
BA0
BA1
模式寄存器
CAS延迟
数据输出控制
管线控制
修订版0.1 / 11月3日
3
HY57V64820HGTP
绝对最大额定值
参数
符号
等级
单位
°C
°C
环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
焊接温度
时间
T
A
T
英镑
V
IN
, V
OUT
V
DD,
V
DDQ
I
OS
P
D
T
SOLDER
0 ~ 70
-55 ~ 125
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
50
1
260
10
V
V
mA
W
°C
美国证券交易委员会
注意：
工作在高于绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响
DC工作条件
（ TA = 0 70
°C
)
参数
符号
民
典型值。
最大
单位
记
电源电压
输入高电压
输入低电压
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
3.0
2.0
V
SSQ
- 2.0
3.3
3.0
0
3.6
V
DDQ
+ 2.0
0.8
V
V
V
1
1,2
1,3
注意：
1.所有电压参考V
SS
= 0V
2.V
IH
（max）是可接受的5.6V的交流脉冲宽度与
≤
持续时间为3ns
3.V
IL
（分钟）是可以接受的-2.0V交流脉冲宽度
≤
持续时间为3ns
交流工作条件下
（ TA = 0 70
°C
, V
DD
=3.3
±
0.3V, V
SS
=0V)
参数
符号
价值
单位
记
AC输入高/低电平电压
输入定时测量参考电平电压
输入的上升/下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载电容的访问时间测量
V
IH
/ V
IL
VTRIP
TR / TF
Voutref
CL
2.4/0.4
1.4
1
1.4
50
V
V
ns
V
pF
1
注意：
1.输出负载来测量访问时间相当于两个TTL门和一个电容（ 50pF的）
有关详细信息，请参阅AC / DC输出电路
修订版0.1 / 11月3日
4
HY57V64820HGTP
电容
(TA=25
°C
， F = 1MHz的）
参数
针
符号
民
最大
单位
输入电容
CLK
A0 A11 ， BA0 ， BA1 ， CKE ， CS ， RAS ， CAS ，
WE ， DQM
C
I1
CI
2
2
2.5
4
5
pF
pF
数据输入/输出电容
DQ0 - DQ7
C
I / O
2
6.5
pF
输出负载电路
Vtt=1.4V
RT=250
产量
产量
50pF
50pF
DC输出负载电路
AC输出负载电路
DC特性I
（ TA = 0 70
°C
, V
DD
=3.3
±
0.3V)
参数
符号
分钟。
最大
单位
记
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
-1
-1
2.4
-
1
1
-
0.4
uA
uA
V
V
1
2
I
OH
= -4mA
I
OL
= + 4毫安
注意：
1.V
IN
= 0至3.6V ，所有其他引脚没有在V测试
IN
=0V
2.D
OUT
被禁用，V
OUT
= 0 3.6V
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