HY57V161610D
2 ，银行X 512K ×16位同步DRAM
描述
韩国现代HY57V161610D是16777216位CMOS同步DRAM ，非常适合用于主存储器和图形
应用于需要大的存储密度和高带宽。 HY57V161610D组织为524,288x16 2banks 。
HY57V161610D是提供参考的正沿时钟完全同步操作。所有的输入和输出是同步的
与时钟输入的上升沿。的数据通路内部流水线，以达到非常高的带宽。所有的输入和输出
电压电平与LVTTL兼容。
可编程选项包括管道（ 1,2-读延迟或3）的连续的读，数的长度或写周期initi-
由一个单一的控制命令ated （突发的1,2,4,8或整页的长度），以及脉冲串计数序列（顺序或交错） 。一
突发正在进行读或写周期可以由一个脉冲串被终止终止命令，或者可以通过一个被中断并更换
新的突发读写命令的任何周期。 （此管路设计不是由` 2N`规则的限制。 ）
特点
单一3.0V至3.6V电源
所有器件引脚与LVTTL接口兼容
JEDEC标准400mil 50PIN TSOP- II与引脚为0.8mm
沥青
所有输入和输出参考系统的正沿
时钟
通过UDQM / LDQM数据屏蔽功能
国内两家银行的操作
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
- 1 ， 2 ， 4 ， 8和全页的顺序突发
- 1， 2,4和8为交错突发
可编程CAS延时; 1 ，2，3时钟
订购信息
产品型号
HY57V161610DTC-5
HY57V161610DTC-55
HY57V161610DTC-6
HY57V161610DTC-7
HY57V161610DTC-8
HY57V161610DTC-10
HY57V161610DTC-15
时钟频率
200MHz
183MHz
166MHz
143MHz
125MHz
100MHz
66MHz
组织
接口
包
2Banks X 512Kbits ×16
LVTTL
400mil
50PIN TSOP II
注意：
1. V
DD
HY57V161610DTC -5/ 55 （分钟）是3.15V
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何责任
使用电路的说明。没有专利许可
修订版4.0 /八月02
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HY57V161610D
引脚配置
V
DD
DQ0
DQ1
V
SSQ
DQ2
DQ3
V
DDQ
DQ4
DQ5
V
SSQ
DQ6
DQ7
VDDQ
LDQM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
V
SS
DQ15
DQ14
VSSQ
DQ13
DQ12
50PIN TSOP II
400mil X 825mil
0.8毫米引脚间距
VDDQ
DQ11
DQ10
VSSQ
DQ9
DQ8
VDDQ
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
引脚说明
针
CLK
CKE
CS
BA
A0 ~ A10
时钟
时钟使能
芯片选择
银行地址
地址
行地址选通，
列地址选通，写
启用
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
引脚名称
描述
系统时钟输入。所有其它输入被引用到SDRAM上的上升
CLK的边缘。
控制内部时钟信号和去激活时， SDRAM的将是一个
国家间的断电，暂停或自刷新。
命令输入使能或面罩，除了CLK ， CKE和DQM
在这两个RAS和CAS活动选择任一银行。
行地址： RA0 RA10 ，列地址： CA0 CA7
自动预充电标志： A10
RAS ， CAS和WE定义操作。
请参阅功能真值表细节
在写模式读模式和掩码输入数据DQM控制输出缓冲器
复用的数据输入/输出引脚
电源为内部电路和输入缓冲器
电源为DQ
无连接
RAS ， CAS ， WE
LDQM ， UDQM
DQ0 DQ15
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
NC
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HY57V161610D
绝对最大额定值
参数
环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
焊接温度·时间
T
A
T
英镑
V
IN
, V
OUT
V
DD
I
OS
P
D
T
SOLDER
符号
0 ~ 70
-55 ~ 125
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
50
1
260·10
等级
°C
°C
V
V
mA
W
°C
微秒
单位
注意：在运行上述绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。
DC工作条件
（ TA = 0 ° C至70 ° C）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
民
3.0
2.0
-0.5
典型值。
3.3
3.0
0
最大
3.6
V
DD
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
记
1, 2, 3
1, 4
1, 5
注意：
1.所有电压参考V
SS
= 0V.
2.V
DD
（分钟）为3.15V时， HY57V161610DTC - 7工作在CAS延时= 2
3.V
DD
HY57V161610DTC -5/ 55 （分钟）是3.15V
4.V
IH
（max）是可接受的4.6V的交流脉冲宽度与
≤
持续时间为10ns 。
5.V
IL
（分钟）是可以接受的-1.5V交流脉冲宽度
≤
持续时间为10ns 。
交流工作条件下
（ TA = 0 ° C至70 ° C，V
DD
= 3.0V至3.6V ，V
SS
=0V)
参数
AC输入高/低电平电压
输入定时测量参考电平电压
输入的上升/下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载电容的访问时间测量
符号
V
IH
/ V
IL
VTRIP
TR / TF
Voutref
CL
价值
2.4/0.4
1.4
1
1.4
30
单位
V
V
ns
V
pF
1
记
注意：
1.输出负载来测量访问时间相当于两个TTL门和一个电容（ 30pF的） 。
有关详细信息，请参阅AC / DC输出负载电路。
2. V
DD
（分钟）为3.15V时， HY57V161610DTC - 7工作在CAS延时= 2， TCK2 = 8.9ns
3. V
DD
HY57V161610DTC -5/ 55 （分钟）是3.15V '
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HY57V161610D
电容
（ TA = 25°C ， F = 1MHz的）
参数
CLK
输入电容
A0 A10 ， BA
CKE ， CS ， RAS ， CAS，WE ， UDQM ， LDQM
DQ0 DQ15
针
符号
C
I1
C
I2
C
I / O
民
2.5
2.5
4
最大
4
5
6.5
单位
pF
pF
pF
数据输入/输出电容
输出负载电路
Vtt=1.4V
RT=250
产量
30pF
产量
30pF
DC输出负载电路
AC输出负载电路
DC特性I
（ TA = 0 ° C至70 ° C）
参数
电源电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
V
DD
IL
IO
V
OH
V
OL
符号
分钟。
3.0
-1
-1
2.4
-
最大
3.6
1
1
-
0.4
单位
V
uA
uA
V
V
记
1, 2
3
4
I
OH
= -4mA
I
OL
=+4mA
注意：
1.V
DD
（分钟）为3.15V时， HY57V161610DTC - 7工作在CAS延时= 2， TCK2 = 8.9ns 。
2.V
DD
HY57V161610DTC -5/ 55 （分钟）是3.15V
3.V
IN
= 0至3.6V ，所有其他引脚都没有被测= 0V
4.D
OUT
被禁用，V
OUT
= 0 3.6V
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