HY57V1291620
4Banks X 2M X 16位同步DRAM
描述
韩国现代HY57V1291620是134,217,728bit CMOS同步DRAM ，非常适合主存储
应用于需要大的存储密度和高带宽。 HY57V1291620组织作为4banks
2,097,152x16.
HY57V1291620是提供参考时钟的正边缘完全同步操作。所有的输入和输出
看跌期权与时钟输入的上升沿同步。的数据通路内部流水线实现非常
高带宽。所有的输入和输出电压电平与LVTTL兼容。
可编程选项包括管道的长度（ 1,2-读延迟或3）的连续的读取，对数或
写由单一的控制命令（ 1,2,4,8或整页突发长度）发起的周期，突发计数
序列（顺序或交错） 。一阵正在进行读或写周期可以由突发终止被终止
命令，或者可以通过一个新的脉冲串被中断并在替换的读或写命令中的任何周期。 （该流水线
设计不是由` 2N`规则的限制。 ）
特点
单3.3 ± 0.3V电源
所有器件引脚与LVTTL接口兼容
JEDEC标准400mil 54pin TSOP- II ，具有0.8mm
引脚间距
所有输入和输出参考的正边缘
系统时钟
通过UDQM ， LDQM数据屏蔽功能
国内四家银行的操作
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
- 1 ， 2 ， 4 ， 8和全页的顺序突发
- 1， 2,4和8为交错突发
可编程CAS延时; 2 ， 3个时钟
订购信息
产品型号
HY57V1291620TC-75
HY57V1291620TC-8
HY57V1291620TC-10P
HY57V1291620TC-10S
HY57V1291620TC-10
HY57V1291620LTC-75
HY57V1291620LTC-8
HY57V1291620LTC-10P
HY57V1291620LTC-10S
HY57V1291620LTC-10
时钟频率
133MHz
125MHz
100MHz
100MHz
100MHz
133MHz
125MHz
100MHz
100MHz
100MHz
动力
组织
接口
包
正常
4Banks X 2Mbits
x16
LVTTL
400mil 54pin TSOP II
低功耗
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。现代电子不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
1.0版/ Apr.99
HY57V1291620
引脚配置
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
V
DD
LDQM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ15
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
SSQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
54pin TSOP II
400mil X 875mil
0.8毫米引脚间距
引脚说明
针
CLK
时钟
引脚名称
描述
系统时钟输入。所有其它输入registerd上的SDRAM中
上升CLK的边缘。
控制内部时钟信号和去激活时， SDRAM的将其中
中断电状态，暂停或自刷新。
命令输入使能或面罩，除了CLK ， CKE和DQM
在这两个RAS和CAS活动选择任一银行。
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA8
自动预充电标志： A10
RAS ， CAS和WE定义操作。
请参阅功能真值表细节
在写读方式和口罩的输入数据U / LDQM控制输出缓冲器
模式
复用的数据输入/输出引脚
电源为内部电路和输入缓冲器
电源为DQ
无连接
2
CKE
CS
BA0 ， BA1
A0 ~ A11
时钟使能
芯片选择
银行地址
地址
行地址选通，同事
UMN地址选通，写
启用
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
RAS ， CAS ， WE
U / LDQM
DQ0 DQ15
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
NC
1.0版/ Apr.99
HY57V1291620
功能框图
2Mbit的X 4banks ×16的I / O同步DRAM
2Mx16
Bank2
行地址。锁存器/预译码器
自刷新计数器
自动/自刷新
地址[ 0:11 ]
4KRef.Addr 。 [ 0:11 ]
刷新
间隔定时器
刷新
计数器
排Decorder
2Mx16
Bank0
感测放大器& I / O门
列解码器
CA [0： 8]
CLK
CKE
BA0
状态机
BA1
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
LDQM
预充电
RowActive
列活动
地址
注册
列地址。
锁存&计数器
溢流
CA [0： 8]
突发长度
计数器
列解码器
感测放大器& I / O门
行地址。锁存器/预译码器
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
排Decorder
UDQM
2Mx16
Bank1
2Mx16
Bank3
模式寄存器
测试模式
I / O控制
1.0版/ Apr.99
数据输入/输出缓冲器
3
HY57V1291620
绝对最大额定值
参数
环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
焊接温度
时间
T
A
T
英镑
V
IN
, V
OUT
V
DD,
V
DDQ
I
OS
P
D
T
SOLDER
符号
0 ~ 70
-55 ~ 125
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
50
1
260
10
等级
°C
°C
V
V
mA
W
°C
美国证券交易委员会
单位
注意：
工作在高于绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。
DC工作条件
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
民
3.0
2.0
-0.3
典型值
3.3
3.0
0
最大
3.6
V
DDQ
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
记
1
1,2
1,3
注意：
1.所有电压参考V
SS
= 0V
2.V
IH
（max）是可接受的5.6V的交流脉冲宽度以＆lt ;持续时间= 3纳秒。
3.V
IL
（分钟）是可以接受的-2.0V交流脉冲宽度以＆lt ;病程=为3ns 。
AC运行试验条件
(T
A
= 0至70℃ ，V
DD
=3.3
±
0.3V, V
SS
=0V)
参数
AC输入高/低电平电压
输入定时测量参考电平电压
输入的上升/下降时间
输出时序测量参考电平电压
输出负载电容的访问时间测量
符号
V
IH
/ V
IL
VTRIP
TR / TF
Voutref
C
L
价值
2.4/0.4
1.4
1
1.4
50
单位
V
V
ns
V
pF
1
记
注意：
1.输出负载测量访问时间相当于两个TTL门和一个电容器（ 50pF的） 。有关详细信息，请参阅AC / DC输出
负载电路
1.0版/ Apr.99
4
HY57V1291620
输出负载电路
Vtt=1.4V
RT=250
产量
产量
50pF
50pF
DC输出负载电路
AC输出负载电路
电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的）
-75/8/10S/10P/10
参数
针
符号
分钟。
输入电容
CLK
A0 A11 ， BA0 ， BA1 ， CKE ， CS ，
RAS ， CAS，WE ， UDQM ， LDQM
数据输入/输出电容
DQ0 DQ15
C
I1
CI
2
2.5
2.5
马克斯。
4
5
pF
pF
单位
C
I / O
4
6.5
pF
DC特性I
(T
A
= 0至70℃ ，V
DD
=3.3
±
0.3V)
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
符号
分钟。
-1
-1
2.4
-
最大
1
1
-
0.4
单位
uA
uA
V
V
记
1
2
I
OH
= -4mA
I
OL
=+4mA
注意：
1.V
IN
= 0至3.6V ，所有其他引脚都没有被测= 0V
2.D
OUT
被禁用，V
OUT
= 0 3.6V
1.0版/ Apr.99
5
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