HY29LV800
8兆位（ 1M ×8 / 512K ×16 ）低电压闪存
主要特点
n
单电源工作
- 读取，编程和擦除操作，从
2.7到3.6伏
- 非常适合电池供电的应用
高性能
- 70和90 ns访问时版本全
电压范围内操作
- 55 ns访问时间版本操作
从3.0到3.6伏
超低功耗（典型
值）
- 自动休眠模式电流： 0.2 μA
- 待机模式电流： 0.2 μA
- 读电流： 7毫安（在5 MHz ）
- 编程/擦除电流： 15毫安
灵活的部门架构：
- 一个16 KB ， 2个8 KB ， 1个32 KB和
在字节模式15 64 KB行业
- 一个8千瓦， 2个4千瓦， 1个16千瓦，
在字模式15 32 KW行业
- 顶部或底部启动块配置
可用的
扇区保护
- 允许一个部门或部门的锁
防止编程或擦除操作
该部门内
- 部门可锁定在系统或通过
编程设备
- 临时机构撤消允许
改变锁业（要求高
电压RESET ＃引脚）
快速编程和擦除时间
- 扇区擦除时间： 0.5秒典型的为每
扇形
- 芯片擦除时间： 10秒典型
- 字节编程时间： 9
s
典型
- Word程序时间： 11
s
典型
解锁绕道程序命令
- 发行时减少编程时间
多个程序的命令序列
自动擦除算法Preprograms
和擦除扇区的任意组合
或整个芯片
自动程序算法和写入
在指定地址的数据验证
n
每个部门最少10万次擦写循环
n
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存器件
- 高级无意写保护
数据＃查询和翻转位
- 提供软件确认
编程和擦除完毕
操作
就绪/忙＃引脚
- 提供硬件确认
编程和擦除完毕
操作
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作，使
从或编程数据读出的数据
到，一个没有被擦除扇区
- 擦除恢复可以被调用来
完全擦除暂停
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）复位
设备读取阵列数据
节省空间的封装
- 44引脚PSOP ， 48引脚TSOP和48球
FBGA封装
n
n
n
n
n
n
n
n
n
逻辑图
19
A[18:0]
DQ [7：0 ]
7
CE＃
OE ＃
WE＃
RESET＃
BYTE ＃
RY / BY ＃
DQ [14： 8]
DQ[15]/A[-1]
8
n
n
n
n
初步
1.0修订版， 2001年11月
HY29LV800
概述
该HY29LV800是8兆， 3伏只， CMOS
组织为1,048,576 （ 1M）字节Flash存储器
或524288 （ 512K ）的话可用在44-
引脚PSOP ， 48引脚TSOP和48球FBGA封装
老少皆宜。字宽的数据（ ×16）上出现的DQ [15：0 ]
和字节宽的（x8）数据出现在DQ [7：0 ] 。
该HY29LV800可以编程和擦除
在系统用一个3伏V
CC
供应量。之间
应受产生稳压电压亲
vided用于编程和擦除操作，以便
该设备不要求较高的电压V
PP
电源来执行这些功能。 DE-的
副也可以在标准EPROM编程
程序员。存取时间低至70 ns的过
2.7在整个工作电压范围 - 3.6伏特
供时序与零的兼容性
等到高速状态下的要求微处理器的
处理机。 A 55 ns的版本运行在3.0至
3.6伏也可以。为了消除总线CON-
张力，在HY29LV800有独立的芯片使能
（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能
（ OE ＃ ）控制。
该设备与JEDEC兼容单
电源闪存命令集的标准。 COM的
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。他们是
然后传送到内部状态机的CON组
指令对擦除和编程电路。设备
编程时，每次执行一个字节/字
通过执行四冲程程序命令
写序。这将启动内部算法
自动时间程序的脉冲宽度
并验证正确的电池余量。更快的编程
明朝时代可以通过将实现
HY29LV800在解锁绕道模式，
只需要两个写周期编程数据IN-
代替四。
该HY29LV800的扇区擦除架构允许
要被擦除并重新任何数值列的扇区
在不影响数据内容的目的
其他部门。设备擦除是通过启动
执行擦除命令序列。这
该自动启动一个内部算法
preprograms阵列（如果它尚未亲
编程）执行擦除操作之前。
由于在编程周期，设备自动
matically次擦除脉冲宽度和veri-
外商投资企业适当的细胞保证金。硬件部门保护
化选择性禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
所述存储器阵列，而临时机构外部器件了
TECT允许在系统擦除和修改代码
在以前受保护的行业。擦除挂起
使用户能够把擦除搁置任何PE-
时间RIOD读取数据，或程序数据，
未选择擦除任何部门。真
背景擦除可以由此来实现。 DE-的
出厂时，副完全删除。
所需的编程地址和数据
和擦除操作过程中被内部锁存
写周期，并且在主机系统可以检测到
编程或擦除操作完成所
观察RY / BY ＃引脚，或通过读出的DQ [7]
（数据＃查询）和DQ [6] （切换）的状态位。
硬件数据保护措施，包括低
V
CC
探测器可以自动抑制写OP-
在电源转换操作。
经过编程或擦除周期一直的COM
pleted ，或者RESET ＃引脚断言（后
终止任何正在进行的操作） ，该设备
准备读数据或接受其它的COM
命令。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
两个省电功能都体现在
HY29LV800 。当地址已经稳定
对于一个指定的时间量时，器件进入
自动睡眠模式。主机也可以将
设备进入待机模式。功率变
消耗是在这两个模式下大大降低。
2
1.0版/十一月01
HY29LV800
框图
DQ [15：0 ]
A[18:0], A[-1]
状态
控制
DQ [15：0 ]
WE＃
CE＃
OE ＃
BYTE ＃
RESET＃
RY / BY ＃
节目
电压
发电机
命令
注册
擦除电压
发生器和
行业SWITCHES
I / O控制
I / O缓冲器
数据锁存器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
V
C C
探测器
定时器
A[18:0], A[-1]
X解码器
8 MB闪存
内存
ARRAY
（ 19部分）
信号说明
名字
A[18:0]
DQ[15]/A[-1],
DQ [14 ：0]
BYTE ＃
权证＃
TYPE
输入
描述
地址，高电平有效。
这19个输入，并结合到DQ [15] / A [-1]的输入中
字节模式，阵列的读或写操作中选择一个位置。
数据总线，高电平有效
。这些引脚为读取8位或16位数据通道
输入/输出
操作和写操作。在字节模式下， DQ [15] / A [-1]作为20位的LSB
三州
字节的地址输入。 DQ [14 ： 8 ]使用，仍在保持三态字节模式。
字节模式，低电平有效。
选择低字节模式下，选择高字模式。
输入
输入
芯片使能，低电平有效。
该输入必须置读取数据或
WRI TE数据的HY29LV800 。当GH嗨，数据总线I S三-stated和
装置被置于待机模式。
输出使能，低电平有效
。断言读操作和否定的
写操作。字节＃判定是否一个字节或者在一个字被读出
读操作。
W R ITE简体A，B文件，一个C TIV é 1。·瓦特
C 0 ntro LS WRI TI NG ofcomma次sorcomma次
序列以便编程数据或擦除存储器阵列的扇区。写
操作发生时， WE＃为有效，而CE＃为低和OE ＃为高电平。
hardw是复位，低电平有效。
提供复位的硬件方法
HY29LV800到读阵列状态。当设备被立即复位，它
终止正在进行的任何操作。当RESET ＃是断言，设备
将处于待机模式。
A D Y / B美的TA恩秒。
工业ICA释磨片的RA WRI TE矿岭山高MMA届ISIN
进展或已经完成。 Remai ns低WHI乐的德维CE I S ACTI vely
编程数据或擦除，并且变高，当它准备好读取阵列的数据。
3伏（标称值）的电源。
POW ER和信号地。
OE ＃
输入
WE＃
输入
RESET＃
输入
RY / BY ＃
V
CC
V
SS
产量
漏极开路
--
--
1.0版/十一月01
3
HY29LV800
销刀豆网络gurations
48球FBGA （ 6 ×8毫米，顶视图，球朝下）
A6
A[13]
B6
A[12]
C6
A[14]
D6
A[15]
E6
A[16]
F6
BYTE ＃
G6
DQ[15]/A[-1]
H6
V
SS
A5
A[9]
B5
A[8]
C5
A[10]
D5
A[11]
E5
DQ[7]
F5
DQ[14]
G5
DQ[13]
H5
DQ[6]
A4
WE＃
B4
RESET＃
C4
NC
D4
NC
E4
DQ[5]
F4
DQ[12]
G4
V
CC
H4
DQ[4]
A3
RY / BY ＃
B3
NC
C3
A[18]
D3
NC
E3
DQ[2]
F3
DQ[10]
G3
DQ[11]
H3
DQ[3]
A2
A[7]
B2
A[17]
C2
A[6]
D2
A[5]
E2
DQ[0]
F2
DQ[8]
G2
DQ[9]
H2
DQ[1]
A1
A[3]
B1
A[4]
C1
A[2]
D1
A[1]
E1
A[0]
F1
CE＃
G1
OE ＃
H1
V
SS
RY / BY ＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE＃
V
SS
OE ＃
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET＃
WE＃
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTE ＃
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
RESET＃
NC
NC
RY / BY ＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
标准
TSOP48
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE ＃
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
V
SS
CE＃
A0
4
PSOP44
1.0版/十一月01
HY29LV800
约定
除非另有说明，一个正逻辑（活性
高）约定假定整个文档
精神疾病，由此存在下，在较高的引脚，则
更多的正电压（V
IH
）导致的断言
信号。下面的信号名称中的“＃ ”符号，例如，
RESET＃ ，表示该信号被认定在
低状态（V
IL
） 。见DC规格为V
IH
和V
IL
值。
存储器阵列组织
8兆位闪存阵列是由
19块所谓的
扇区
（ S0，S1， ...， S18）。一
扇区是可以被擦除的最小单位和
可被保护，以防止意外的或未
授权擦除。看到“公交运营”和
本文档“命令定义”部分
有关这些功能的更多信息。
在HY29LV800 ，四个行业，其中的COM
奖品
引导块，
大小不等，从8到32
巴士业务
设备总线操作是通过启动
内部命令寄存器，它由套
存储的命令，连同锁存器
地址和数据信息，如果有的话，需要
执行特定命令。命令
注册本身并不占用任何寻址
存储器位置。该命令的内容
寄存器作为输入，内部状态马
折角的输出控制的操作
装置。表3列出了公交车的正常运营，
的输入，并且它们需要控制的水平，并且
结果输出。某些总线操作要求
高电压上的一个或多个管脚。那些
在表4中描述。
读操作
当一个信号被分成编号
位，例如，DQ [7] ，DQ [6 ]，...， DQ [ 0]中，家庭
位也可以共同地示出，例如，如
DQ [7：0 ] 。
指定0xNNNN （N = 0 ， 1，2， 。 。 。 ， 9 ，A 。
。 。 ， E， F）表示数表示在十六进
MAL简谱。指定0bXXXX表示
在二进制表示法表示数（X = 0,1） 。
千字节（4至16 K字） ，而剩余的15
部门是在64千字节大小均匀（ 32
K字） 。引导块可以位于所述
的地址范围的底部（ HY29LV800B ），或在
的地址范围（ HY29LV800T ）的顶部。
表1和2中定义的扇区地址和
对应的地址范围的顶部和底部
汤姆引导块的HY29LV800的版本。
器复位，以确保没有虚假改造
电源转录过程中发生了存储器内容
习得。没有命令是必要的，此模式
获取数组数据，以及设备保持启用
对于读访问，直到该命令寄存器可
帐篷被改变。
该器件具有擦除挂起模式。
在此模式下，主机可以读出的数组
从内存中未标明任何部门的数据
擦除。如果主机从一个地址读取
擦除暂停（或删除）部门，或
当设备执行一个字节或字的亲
克操作，设备输出状态数据
而不是阵列的数据。在完成一个自动后
在MATIC程序或自动擦除算法
一个扇区，该扇区会自动返回到
读阵列数据模式。完成编程后，
明操作擦除挂起模式时，
系统可以再次读取与该数组数据
上述同样的异常说明。
主机必须发出硬件复位或软
器复位命令，一个扇区返回到读
如果DQ [5]变高亲在阵列中的数据模式
克或擦除周期，或者将设备返回到
读阵列数据模式，而它是在电子
ID模式。
数据从HY29LV800通过使用标读
准微处理器读周期，同时把
对设备的地址IN-字节或字地址
放。主机系统必须驱动CE ＃和
OE ＃引脚为低电平，驱动器和WE＃为高电平有效的读
操作发生。该BYTE ＃引脚决定
该设备是否输出文字数组数据
（DQ [15： 0]） ，或以字节（DQ [7： 0]）。
该HY29LV800被读取自动设置
之后，设备上电和后硬阵列数据
1.0版/十一月01
5
HY29LV800
8兆位（ 1M ×8 / 512K ×16 ）低电压闪存
主要特点
n
单电源工作
- 读取，编程和擦除操作，从
2.7到3.6伏
- 非常适合电池供电的应用
高性能
- 70和90 ns访问时版本全
电压范围内操作
- 55 ns访问时间版本操作
从3.0到3.6伏
超低功耗（典型
值）
- 自动休眠模式电流： 0.2 μA
- 待机模式电流： 0.2 μA
- 读电流： 7毫安（在5 MHz ）
- 编程/擦除电流： 15毫安
灵活的部门架构：
- 一个16 KB ， 2个8 KB ， 1个32 KB和
在字节模式15 64 KB行业
- 一个8千瓦， 2个4千瓦， 1个16千瓦，
在字模式15 32 KW行业
- 顶部或底部启动块配置
可用的
扇区保护
- 允许一个部门或部门的锁
防止编程或擦除操作
该部门内
- 部门可锁定在系统或通过
编程设备
- 临时机构撤消允许
改变锁业（要求高
电压RESET ＃引脚）
快速编程和擦除时间
- 扇区擦除时间： 0.5秒典型的为每
扇形
- 芯片擦除时间： 10秒典型
- 字节编程时间： 9
s
典型
- Word程序时间： 11
s
典型
解锁绕道程序命令
- 发行时减少编程时间
多个程序的命令序列
自动擦除算法Preprograms
和擦除扇区的任意组合
或整个芯片
自动程序算法和写入
在指定地址的数据验证
n
每个部门最少10万次擦写循环
n
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存器件
- 高级无意写保护
数据＃查询和翻转位
- 提供软件确认
编程和擦除完毕
操作
就绪/忙＃引脚
- 提供硬件确认
编程和擦除完毕
操作
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作，使
从或编程数据读出的数据
到，一个没有被擦除扇区
- 擦除恢复可以被调用来
完全擦除暂停
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）复位
设备读取阵列数据
节省空间的封装
- 44引脚PSOP ， 48引脚TSOP和48球
FBGA封装
n
n
n
n
n
n
n
n
n
逻辑图
19
A[18:0]
DQ [7：0 ]
7
CE＃
OE ＃
WE＃
RESET＃
BYTE ＃
RY / BY ＃
DQ [14： 8]
DQ[15]/A[-1]
8
n
n
n
n
初步
1.0修订版， 2001年11月
HY29LV800
概述
该HY29LV800是8兆， 3伏只， CMOS
组织为1,048,576 （ 1M）字节Flash存储器
或524288 （ 512K ）的话可用在44-
引脚PSOP ， 48引脚TSOP和48球FBGA封装
老少皆宜。字宽的数据（ ×16）上出现的DQ [15：0 ]
和字节宽的（x8）数据出现在DQ [7：0 ] 。
该HY29LV800可以编程和擦除
在系统用一个3伏V
CC
供应量。之间
应受产生稳压电压亲
vided用于编程和擦除操作，以便
该设备不要求较高的电压V
PP
电源来执行这些功能。 DE-的
副也可以在标准EPROM编程
程序员。存取时间低至70 ns的过
2.7在整个工作电压范围 - 3.6伏特
供时序与零的兼容性
等到高速状态下的要求微处理器的
处理机。 A 55 ns的版本运行在3.0至
3.6伏也可以。为了消除总线CON-
张力，在HY29LV800有独立的芯片使能
（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能
（ OE ＃ ）控制。
该设备与JEDEC兼容单
电源闪存命令集的标准。 COM的
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。他们是
然后传送到内部状态机的CON组
指令对擦除和编程电路。设备
编程时，每次执行一个字节/字
通过执行四冲程程序命令
写序。这将启动内部算法
自动时间程序的脉冲宽度
并验证正确的电池余量。更快的编程
明朝时代可以通过将实现
HY29LV800在解锁绕道模式，
只需要两个写周期编程数据IN-
代替四。
该HY29LV800的扇区擦除架构允许
要被擦除并重新任何数值列的扇区
在不影响数据内容的目的
其他部门。设备擦除是通过启动
执行擦除命令序列。这
该自动启动一个内部算法
preprograms阵列（如果它尚未亲
编程）执行擦除操作之前。
由于在编程周期，设备自动
matically次擦除脉冲宽度和veri-
外商投资企业适当的细胞保证金。硬件部门保护
化选择性禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
所述存储器阵列，而临时机构外部器件了
TECT允许在系统擦除和修改代码
在以前受保护的行业。擦除挂起
使用户能够把擦除搁置任何PE-
时间RIOD读取数据，或程序数据，
未选择擦除任何部门。真
背景擦除可以由此来实现。 DE-的
出厂时，副完全删除。
所需的编程地址和数据
和擦除操作过程中被内部锁存
写周期，并且在主机系统可以检测到
编程或擦除操作完成所
观察RY / BY ＃引脚，或通过读出的DQ [7]
（数据＃查询）和DQ [6] （切换）的状态位。
硬件数据保护措施，包括低
V
CC
探测器可以自动抑制写OP-
在电源转换操作。
经过编程或擦除周期一直的COM
pleted ，或者RESET ＃引脚断言（后
终止任何正在进行的操作） ，该设备
准备读数据或接受其它的COM
命令。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
两个省电功能都体现在
HY29LV800 。当地址已经稳定
对于一个指定的时间量时，器件进入
自动睡眠模式。主机也可以将
设备进入待机模式。功率变
消耗是在这两个模式下大大降低。
2
1.0版/十一月01
HY29LV800
框图
DQ [15：0 ]
A[18:0], A[-1]
状态
控制
DQ [15：0 ]
WE＃
CE＃
OE ＃
BYTE ＃
RESET＃
RY / BY ＃
节目
电压
发电机
命令
注册
擦除电压
发生器和
行业SWITCHES
I / O控制
I / O缓冲器
数据锁存器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
V
C C
探测器
定时器
A[18:0], A[-1]
X解码器
8 MB闪存
内存
ARRAY
（ 19部分）
信号说明
名字
A[18:0]
DQ[15]/A[-1],
DQ [14 ：0]
BYTE ＃
权证＃
TYPE
输入
描述
地址，高电平有效。
这19个输入，并结合到DQ [15] / A [-1]的输入中
字节模式，阵列的读或写操作中选择一个位置。
数据总线，高电平有效
。这些引脚为读取8位或16位数据通道
输入/输出
操作和写操作。在字节模式下， DQ [15] / A [-1]作为20位的LSB
三州
字节的地址输入。 DQ [14 ： 8 ]使用，仍在保持三态字节模式。
字节模式，低电平有效。
选择低字节模式下，选择高字模式。
输入
输入
芯片使能，低电平有效。
该输入必须置读取数据或
WRI TE数据的HY29LV800 。当GH嗨，数据总线I S三-stated和
装置被置于待机模式。
输出使能，低电平有效
。断言读操作和否定的
写操作。字节＃判定是否一个字节或者在一个字被读出
读操作。
W R ITE简体A，B文件，一个C TIV é 1。·瓦特
C 0 ntro LS WRI TI NG ofcomma次sorcomma次
序列以便编程数据或擦除存储器阵列的扇区。写
操作发生时， WE＃为有效，而CE＃为低和OE ＃为高电平。
hardw是复位，低电平有效。
提供复位的硬件方法
HY29LV800到读阵列状态。当设备被立即复位，它
终止正在进行的任何操作。当RESET ＃是断言，设备
将处于待机模式。
A D Y / B美的TA恩秒。
工业ICA释磨片的RA WRI TE矿岭山高MMA届ISIN
进展或已经完成。 Remai ns低WHI乐的德维CE I S ACTI vely
编程数据或擦除，并且变高，当它准备好读取阵列的数据。
3伏（标称值）的电源。
POW ER和信号地。
OE ＃
输入
WE＃
输入
RESET＃
输入
RY / BY ＃
V
CC
V
SS
产量
漏极开路
--
--
1.0版/十一月01
3
HY29LV800
销刀豆网络gurations
48球FBGA （ 6 ×8毫米，顶视图，球朝下）
A6
A[13]
B6
A[12]
C6
A[14]
D6
A[15]
E6
A[16]
F6
BYTE ＃
G6
DQ[15]/A[-1]
H6
V
SS
A5
A[9]
B5
A[8]
C5
A[10]
D5
A[11]
E5
DQ[7]
F5
DQ[14]
G5
DQ[13]
H5
DQ[6]
A4
WE＃
B4
RESET＃
C4
NC
D4
NC
E4
DQ[5]
F4
DQ[12]
G4
V
CC
H4
DQ[4]
A3
RY / BY ＃
B3
NC
C3
A[18]
D3
NC
E3
DQ[2]
F3
DQ[10]
G3
DQ[11]
H3
DQ[3]
A2
A[7]
B2
A[17]
C2
A[6]
D2
A[5]
E2
DQ[0]
F2
DQ[8]
G2
DQ[9]
H2
DQ[1]
A1
A[3]
B1
A[4]
C1
A[2]
D1
A[1]
E1
A[0]
F1
CE＃
G1
OE ＃
H1
V
SS
RY / BY ＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE＃
V
SS
OE ＃
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET＃
WE＃
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTE ＃
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
RESET＃
NC
NC
RY / BY ＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
标准
TSOP48
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE ＃
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
V
SS
CE＃
A0
4
PSOP44
1.0版/十一月01
HY29LV800
约定
除非另有说明，一个正逻辑（活性
高）约定假定整个文档
精神疾病，由此存在下，在较高的引脚，则
更多的正电压（V
IH
）导致的断言
信号。下面的信号名称中的“＃ ”符号，例如，
RESET＃ ，表示该信号被认定在
低状态（V
IL
） 。见DC规格为V
IH
和V
IL
值。
存储器阵列组织
8兆位闪存阵列是由
19块所谓的
扇区
（ S0，S1， ...， S18）。一
扇区是可以被擦除的最小单位和
可被保护，以防止意外的或未
授权擦除。看到“公交运营”和
本文档“命令定义”部分
有关这些功能的更多信息。
在HY29LV800 ，四个行业，其中的COM
奖品
引导块，
大小不等，从8到32
巴士业务
设备总线操作是通过启动
内部命令寄存器，它由套
存储的命令，连同锁存器
地址和数据信息，如果有的话，需要
执行特定命令。命令
注册本身并不占用任何寻址
存储器位置。该命令的内容
寄存器作为输入，内部状态马
折角的输出控制的操作
装置。表3列出了公交车的正常运营，
的输入，并且它们需要控制的水平，并且
结果输出。某些总线操作要求
高电压上的一个或多个管脚。那些
在表4中描述。
读操作
当一个信号被分成编号
位，例如，DQ [7] ，DQ [6 ]，...， DQ [ 0]中，家庭
位也可以共同地示出，例如，如
DQ [7：0 ] 。
指定0xNNNN （N = 0 ， 1，2， 。 。 。 ， 9 ，A 。
。 。 ， E， F）表示数表示在十六进
MAL简谱。指定0bXXXX表示
在二进制表示法表示数（X = 0,1） 。
千字节（4至16 K字） ，而剩余的15
部门是在64千字节大小均匀（ 32
K字） 。引导块可以位于所述
的地址范围的底部（ HY29LV800B ），或在
的地址范围（ HY29LV800T ）的顶部。
表1和2中定义的扇区地址和
对应的地址范围的顶部和底部
汤姆引导块的HY29LV800的版本。
器复位，以确保没有虚假改造
电源转录过程中发生了存储器内容
习得。没有命令是必要的，此模式
获取数组数据，以及设备保持启用
对于读访问，直到该命令寄存器可
帐篷被改变。
该器件具有擦除挂起模式。
在此模式下，主机可以读出的数组
从内存中未标明任何部门的数据
擦除。如果主机从一个地址读取
擦除暂停（或删除）部门，或
当设备执行一个字节或字的亲
克操作，设备输出状态数据
而不是阵列的数据。在完成一个自动后
在MATIC程序或自动擦除算法
一个扇区，该扇区会自动返回到
读阵列数据模式。完成编程后，
明操作擦除挂起模式时，
系统可以再次读取与该数组数据
上述同样的异常说明。
主机必须发出硬件复位或软
器复位命令，一个扇区返回到读
如果DQ [5]变高亲在阵列中的数据模式
克或擦除周期，或者将设备返回到
读阵列数据模式，而它是在电子
ID模式。
数据从HY29LV800通过使用标读
准微处理器读周期，同时把
对设备的地址IN-字节或字地址
放。主机系统必须驱动CE ＃和
OE ＃引脚为低电平，驱动器和WE＃为高电平有效的读
操作发生。该BYTE ＃引脚决定
该设备是否输出文字数组数据
（DQ [15： 0]） ，或以字节（DQ [7： 0]）。
该HY29LV800被读取自动设置
之后，设备上电和后硬阵列数据
1.0版/十一月01
5
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