HY29LV400
4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）低电压闪存
主要特点
n
单电源工作
- 读取，编程和擦除操作，从
2.7到3.6伏
- 非常适合电池供电的应用
高性能
- 70和90 ns访问时版本全
电压范围内操作
- 55 ns访问时间版本操作
从3.0到3.6伏
超低功耗（典型
值）
- 自动休眠模式电流： 0.2 μA
- 待机模式电流： 0.2 μA
- 读电流： 7毫安（在5 MHz ）
- 编程/擦除电流： 15毫安
灵活的部门架构：
- 一个16 KB ， 2个8 KB ， 1个32 KB和
在字节模式7 64 KB行业
- 一个8千瓦， 2个4千瓦， 1个16千瓦，
在字模式7 32 KW行业
- 顶部或底部启动块配置
可用的
扇区保护
- 允许一个部门或部门的锁
防止编程或擦除操作
该部门内
- 部门可锁定在系统或通过
编程设备
- 临时机构撤消允许
改变锁业（要求高
电压RESET ＃引脚）
快速编程和擦除时间
- 扇区擦除时间： 0.5秒典型的为每
扇形
- 芯片擦除时间： 5秒典型
- 字节编程时间： 9
s
典型
- Word程序时间： 11
s
典型
解锁绕道程序命令
- 发行时减少编程时间
多个程序的命令序列
自动擦除算法Preprograms
和擦除扇区的任意组合
或整个芯片
自动程序算法和写入
在指定地址的数据验证
n
每个部门最少10万次擦写循环
n
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存器件
- 高级无意写保护
数据＃查询和翻转位
- 提供软件确认
编程和擦除完毕
操作
就绪/忙＃引脚
- 提供硬件确认
编程和擦除完毕
操作
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作，使
从或编程数据读出的数据
到，一个没有被擦除扇区
- 擦除恢复可以被调用来
完全擦除暂停
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）复位
设备读取阵列数据
节省空间的封装
- 48引脚TSOP和48球FBGA封装
n
n
n
n
n
n
n
n
n
逻辑图
18
A[17:0]
DQ [7：0 ]
7
CE＃
OE ＃
WE＃
RESET＃
BYTE ＃
DQ [14： 8]
DQ[15]/A[-1]
RY / BY ＃
8
n
n
n
n
初步
1.0修订版， 2001年11月
HY29LV400
概述
该HY29LV400是4兆， 3伏只， CMOS
组织为524,288 （ 512K ）字节Flash存储器
或262,144 （ 256K ）的话可用在48-
引脚TSOP和48球FBGA封装。字处理
范围内的数据（ ×16）上出现的DQ [15：0 ]和字节的
宽的（x8）数据出现在DQ [7：0 ] 。
该HY29LV400可以编程和擦除
在系统用一个3伏V
CC
供应量。之间
应受产生稳压电压亲
vided用于编程和擦除操作，以便
该设备不要求较高的电压V
PP
电源来执行这些功能。 DE-的
副也可以在标准EPROM编程
程序员。存取时间低至70 ns的过
2.7在整个工作电压范围 - 3.6伏特
供时序与零的兼容性
等到高速状态下的要求微处理器的
处理机。 A 55 ns的版本运行在3.0至
3.6伏也可以。为了消除总线CON-
张力，在HY29LV400有独立的芯片使能
（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能
（ OE ＃ ）控制。
该设备与JEDEC兼容单
电源闪存命令集的标准。 COM的
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。他们是
然后传送到内部状态机的CON组
指令对擦除和编程电路。设备
编程时，每次执行一个字节/字
通过执行四冲程程序命令
写序。这将启动内部算法
自动时间程序的脉冲宽度
并验证正确的电池余量。更快的编程
明朝时代可以通过将实现
HY29LV400在解锁绕道模式，
只需要两个写周期编程数据IN-
代替四。
该HY29LV400的扇区擦除架构允许
要被擦除并重新任何数值列的扇区
在不影响数据内容的目的
其他部门。设备擦除是通过启动
执行擦除命令序列。这
该自动启动一个内部算法
preprograms阵列（如果它尚未亲
编程）执行擦除操作之前。
由于在编程周期，设备自动
matically次擦除脉冲宽度和veri-
外商投资企业适当的细胞保证金。硬件部门保护
化选择性禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
所述存储器阵列，而临时机构外部器件了
TECT允许在系统擦除和修改代码
在以前受保护的行业。擦除挂起
使用户能够把擦除搁置任何PE-
时间RIOD读取数据，或程序数据，
未选择擦除任何部门。真
背景擦除可以由此来实现。 DE-的
出厂时，副完全删除。
所需的编程地址和数据
和擦除操作过程中被内部锁存
写周期，并且在主机系统可以检测到
编程或擦除操作完成所
观察RY / BY ＃引脚，或通过读出的DQ [7]
（数据＃查询）和DQ [6] （切换）的状态位。
硬件数据保护措施，包括低
V
CC
探测器可以自动抑制写OP-
在电源转换操作。
经过编程或擦除周期一直的COM
pleted ，或者RESET ＃引脚断言（后
终止任何正在进行的操作） ，该设备
准备读数据或接受其它的COM
命令。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
两个省电功能都体现在
HY29LV400 。当地址已经稳定
对于一个指定的时间量时，器件进入
自动睡眠模式。主机也可以将
设备进入待机模式。功率变
消耗是在这两个模式下大大降低。
2
1.0版/十一月01
HY29LV400
框图
DQ [15：0 ]
A[17:0, 1]
状态
控制
DQ [15：0 ]
WE＃
CE＃
OE ＃
BYTE ＃
RESET＃
RY / BY ＃
节目
电压
发电机
命令
注册
擦除电压
发生器和
行业SWITCHES
I / O控制
I / O缓冲器
数据锁存器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
V
C C
探测器
定时器
A[17:0, -1]
X解码器
4 MB闪存
内存
ARRAY
（ 11个部门）
信号说明
名字
A[17:0]
DQ[15]/A[-1],
DQ [14 ：0]
BYTE ＃
权证＃
TYPE
输入
描述
地址，高电平有效。
这18个输入，结合DQ [ 15 ] / A [-1]输入
字节模式，阵列的读或写操作中选择一个位置。
数据总线，高电平有效
。这些引脚为读取8位或16位数据通道
输入/输出
操作和写操作。在字节模式下， DQ [15] / A [-1]作为19位的LSB
三州
字节的地址输入。 DQ [14 ： 8 ]使用，仍在保持三态字节模式。
字节模式，低电平有效。
选择低字节模式下，选择高字模式。
输入
输入
芯片使能，低电平有效。
该输入必须置读取数据或
WRI TE数据的HY29LV400 。当GH嗨，数据总线I S三-stated和
装置被置于待机模式。
输出使能，低电平有效
。断言读操作和否定的
写操作。字节＃判定是否一个字节或者在一个字被读出
读操作。
W R ITE简体A，B文件，一个C TIV é 1。·瓦特
C 0 ntro LS WRI TI NG ofcomma次sorcomma次
序列以便编程数据或擦除存储器阵列的扇区。写
操作发生时， WE＃为有效，而CE＃为低和OE ＃为高电平。
hardw是复位，低电平有效。
提供复位的硬件方法
HY29LV400到读阵列状态。当设备被立即复位，它
终止正在进行的任何操作。当RESET ＃是断言，设备
将处于待机模式。
A D Y / B美的TA恩秒。
工业ICA释磨片的RA WRI TE矿岭山高MMA届ISIN
进展或已经完成。 Remai ns低WHI乐的德维CE I S ACTI vely
编程数据或擦除，并且变高，当它准备好读取阵列的数据。
3伏（标称值）的电源。
POW ER和信号地。
OE ＃
输入
WE＃
输入
RESET＃
输入
RY / BY ＃
V
CC
V
SS
产量
漏极开路
--
--
1.0版/十一月01
3
HY29LV400
销刀豆网络gurations
48球FBGA （ 6 ×8毫米，顶视图，球朝下）
A6
A[13]
B6
A[12]
C6
A[14]
D6
A[15]
E6
A[16]
F6
BYTE ＃
G6
DQ[15]/A[-1]
H6
V
SS
A5
A[9]
B5
A[8]
C5
A[10]
D5
A[11]
E5
DQ[7]
F5
DQ[14]
G5
DQ[13]
H5
DQ[6]
A4
WE＃
B4
RESET＃
C4
NC
D4
NC
E4
DQ[5]
F4
DQ[12]
G4
V
CC
H4
DQ[4]
A3
RY / BY ＃
B3
NC
C3
NC
D3
NC
E3
DQ[2]
F3
DQ[10]
G3
DQ[11]
H3
DQ[3]
A2
A[7]
B2
A[17]
C2
A[6]
D2
A[5]
E2
DQ[0]
F2
DQ[8]
G2
DQ[9]
H2
DQ[1]
A1
A[3]
B1
A[4]
C1
A[2]
D1
A[1]
E1
A[0]
F1
CE＃
G1
OE ＃
H1
V
SS
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
RESET＃
NC
NC
RY / BY ＃
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
TSOP48
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE ＃
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
V
SS
CE＃
A0
4
1.0版/十一月01
HY29LV400
约定
除非另有说明，一个正逻辑（活性
高）约定假定整个文档
精神疾病，由此存在下，在较高的引脚，则
更多的正电压（V
IH
）导致的断言
信号。下面的信号名称中的“＃ ”符号，例如，
RESET＃ ，表示该信号被认定在
低状态（V
IL
） 。见DC规格为V
IH
和V
IL
值。
存储器阵列组织
4兆位闪存阵列是由
11块所谓的
扇区
(S0, S1, . . . , S10).
一个扇区是可以被擦除的最小单位
并且，可以进行保护，以防止意外或
未经授权删除。请参阅“总线操作”
和“命令定义”本文档中的部分
换货了解有关这些功能的更多信息。
在HY29LV400 ，四个行业，其中的COM
奖品
引导块，
大小不等，从8到32
巴士业务
设备总线操作是通过启动
内部命令寄存器，它由套
存储的命令，连同锁存器
地址和数据信息，如果有的话，需要
执行特定命令。命令
注册本身并不占用任何寻址
存储器位置。该命令的内容
寄存器作为输入，内部状态马
折角的输出控制的操作
装置。表3列出了公交车的正常运营，
的输入，并且它们需要控制的水平，并且
结果输出。某些总线操作要求
高电压上的一个或多个管脚。那些
在表4中描述。
读操作
当一个信号被分成编号
位，例如，DQ [7] ，DQ [6 ]，...， DQ [ 0]中，家庭
位也可以共同地示出，例如，如
DQ [7：0 ] 。
指定0xNNNN （N = 0 ， 1，2， 。 。 。 ， 9 ，A 。
。 。 ， E， F）表示数表示在十六进
MAL简谱。指定0bXXXX表示
在二进制表示法表示数（X = 0,1） 。
千字节（4至16 K字），其余的同时
七个行业是在64千字节大小均匀
（ 32 K字） 。引导块可以位于
的地址范围的底部（ HY29LV400B ）
或者在地址范围（ HY29LV400T ）的顶部。
表1和2中定义的扇区地址和
对应的地址范围的顶部和底部
汤姆引导块的HY29LV400的版本。
器复位，以确保没有虚假改造
电源转录过程中发生了存储器内容
习得。没有命令是必要的，此模式
获取数组数据，以及设备保持启用
对于读访问，直到该命令寄存器可
帐篷被改变。
该器件具有擦除挂起模式。
在此模式下，主机可以读出的数组
从内存中未标明任何部门的数据
擦除。如果主机从一个地址读取
擦除暂停（或删除）部门，或
当设备执行一个字节或字的亲
克操作，设备输出状态数据
而不是阵列的数据。在完成一个自动后
在MATIC程序或自动擦除算法
一个扇区，该扇区会自动返回到
读阵列数据模式。完成编程后，
明操作擦除挂起模式时，
系统可以再次读取与该数组数据
上述同样的异常说明。
主机必须发出硬件复位或软
器复位命令，一个扇区返回到读
如果DQ [5]变高亲在阵列中的数据模式
克或擦除周期，或者将设备返回到
读阵列数据模式，而它是在电子
ID模式。
数据从HY29LV400通过使用标读
准微处理器读周期，同时把
对设备的地址IN-字节或字地址
放。主机系统必须驱动CE ＃和
OE ＃引脚为低电平，驱动器和WE＃为高电平有效的读
操作发生。该BYTE ＃引脚决定
该设备是否输出文字数组数据
（DQ [15： 0]） ，或以字节（DQ [7： 0]）。
该HY29LV400被读取自动设置
之后，设备上电和后硬阵列数据
1.0版/十一月01
5
QQ：2880707522 复制
