HY29LV160
16兆位（ 2M ×8 / 1M ×16 ）低电压闪存
主要特点
n
单电源工作
- 读取，编程和擦除操作，从
2.7到3.6伏
- 非常适合电池供电的应用
高性能
- 70 ， 80 ， 90和120 ns访问时间
版本
超低功耗（典型
在5MHz的值）
- 自动休眠模式电流： 1 μA
- 待机模式电流： 1 μA
- 读电流： 9毫安
- 编程/擦除电流：20mA
灵活的部门架构：
- 一个16 KB ， 2个8 KB ， 1个32 KB和
在字节模式31 64 KB的行业
- 一个8千瓦， 2个4千瓦， 1个16千瓦，
在字模式31 32 KW行业
- 顶部或底部启动块配置
可用的
扇区保护
- 允许一个部门或部门的锁
防止编程或擦除操作
该部门内
- 部门可锁定在系统或通过
编程设备
- 临时机构撤消允许
改变锁业（要求高
电压RESET ＃引脚）
快速编程和擦除时间
- 扇区擦除时间： 0.25秒典型
各部门
- 芯片擦除时间： 8秒典型
- 字节编程时间： 9
s
典型
解锁绕道程序命令
- 发行时减少编程时间
多个程序的命令序列
自动擦除算法Preprograms
和擦除扇区的任意组合
或整个芯片
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作，使
从或编程数据读出的数据
到，一个没有被擦除扇区
- 擦除恢复可以被调用来
完全擦除暂停
自动程序算法和写入
在指定地址的数据验证
n
每个部门最少10万次擦写循环
n
数据＃查询和翻转位
- 提供软件确认
编程和擦除完毕
操作
就绪/忙＃引脚
- 提供硬件确认
编程和擦除完毕
操作
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）复位
设备读取阵列数据
符合通用闪存
接口（ CFI ）规格
- 闪存设备参数直接保存
在设备上
- 允许软件驱动程序识别和使用
各种不同的当前和未来的
闪存产品
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存器件
- 高级无意写保护
节省空间的封装
- 48引脚TSOP和48球FBGA封装
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
逻辑图
20
A[19:0]
DQ [7：0 ]
7
CE＃
OE ＃
WE＃
RESET＃
BYTE ＃
DQ [14： 8]
DQ15/A-1
RY / BY ＃
8
n
n
n
n
初步
1.2版2001年5月
HY29LV160
概述
该HY29LV160是16兆， 3伏只， CMOS
组织为2,097,152 （ 2M ）字节Flash存储器
或1,048,576 （1M）的话可用在48-
引脚TSOP和48球FBGA封装。字处理
范围内的数据（ ×16）上出现的DQ [15：0 ]和字节的
宽的（x8）数据出现在DQ [7：0 ] 。
该HY29LV160可以编程和擦除
在系统用一个3伏V
CC
供应量。之间
应受产生稳压电压亲
vided用于编程和擦除操作，以便
该设备不要求较高的电压V
PP
电源来执行这些功能。 DE-的
副也可以在标准EPROM编程
程序员。存取时间低至80 ns的过
在整个工作电压范围为2.7 - 3.6伏特，
和70纳秒为3.0有限的电压范围 - 3.6
伏，供时序与兼容性
高速零等待状态的要求MI-
croprocessors 。为了消除总线冲突，
HY29LV160有独立的芯片使能（ CE ＃ ），写
使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
该设备与JEDEC兼容单
电源闪存命令设置标
准。命令被写入命令稳压
存器采用标准的微处理器写时序。
然后将它们发送到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。
器件编程在执行字节/字
一时间通过执行四循环程序的COM
命令写序。这将启动一个内部AL-
gorithm自动倍的编程脉冲
宽度和验证适当的细胞保证金。快亲
编程时间可以通过将实现
HY29LV160在解锁绕道模式，
只需要两个写周期编程数据IN-
代替四。
该HY29LV160的扇区擦除架构允许
要被擦除并重新任何数值列的扇区
在不影响数据内容的目的
其他部门。设备擦除是通过启动
执行擦除命令序列。这
该自动启动一个内部算法
preprograms阵列（如果它尚未亲
编程）执行擦除操作之前。
由于在编程周期，设备自动
matically次擦除脉冲宽度和veri-
外商投资企业适当的细胞保证金。硬件部门保护
化选择性禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
2
所述存储器阵列，而临时机构非
保护允许在系统擦除和代码
改变以前受保护的行业。抹去
挂起使用户能够把擦除搁置
任何一段时间内读取，或程序数据
未选择era-数据，任何扇区
肯定。因此，真正的背景擦除可
实现的。运时，该设备被完全擦除
从工厂。
所需的编程地址和数据
和擦除操作过程中被内部锁存
写周期，并且在主机系统可以检测到
编程或擦除操作完成所
观察RY / BY ＃引脚，或通过读出的DQ [7]
（数据＃查询）或DQ [6] （切换）状态位。硬
洁具的数据保护措施，包括低V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在上电期间的过渡。
经过编程或擦除周期一直的COM
pleted ，或者RESET ＃引脚断言（后
终止任何正在进行的操作） ，该设备
准备读数据或接受其它的COM
命令。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
两个省电功能都体现在
HY29LV160 。当地址已经稳定
对于一个指定的时间量时，器件进入
自动休眠模式。主机也可以将
该器件进入待机模式。功率消耗
灰是在这两种方式中大大降低。
通用闪存接口（ CFI ）
为了使闪存互换和
鼓励采用新的Flash技术，
主要的闪存供应商开发一个灵活，
识别闪存大小IBLE方法
配置中，所有必要的闪存设备
参数直接在设备上存储。
存储的参数包括内存大小，字节/字
配置，行业配置，必要的电压
年龄和时间的信息。这允许一组
软件驱动器的识别和使用的各种
不同的当前和未来的闪存产品。该
标准，它详细介绍了软件界面必要请
埃森访问该设备，以确定它与以
确定它的特点是通用闪存
存储器接口（ CFI ）规格。该
HY29LV160完全符合本说明书中。
修订版1.2 / 5月1日
HY29LV160
框图
DQ [15：0 ]
A[19:0], A-1
状态
控制
DQ [15：0 ]
WE＃
CE＃
OE ＃
BYTE ＃
RESET＃
RY / BY ＃
节目
电压
发电机
命令
注册
擦除电压
发生器和
行业SWITCHES
I / O控制
I / O缓冲器
数据锁存器
V
C C
探测器
定时器
A[19:0], A-1
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
16 MB闪存
内存
ARRAY
信号说明
名字
A[19:0]
DQ[15]/A[-1],
DQ [14 ：0]
BY TE ＃
CE＃
TYPE
输入
描述
地址，高电平有效。
这20个输入，结合DQ [ 15 ] / A [-1]输入
字节模式，阵列的读或写操作中选择一个位置。
数据总线，高电平有效
。这些引脚为读取8位或16位数据通道
输入/输出
操作和写操作。在字节模式下， DQ [15] / A [-1]作为21位的LSB
三州
字节的地址输入。 DQ [14 ： 8 ]使用，仍在保持三态字节模式。
输入
输入
字节模式，低电平有效。
选择低字节模式下，选择高字模式。
芯片使能，低电平有效。
该输入必须置读取数据或
写数据到HY 29LV160 。高电平时，数据总线为三态和
装置被置于待机模式。
输出使能，低电平有效
。断言读操作和否定的
写操作。按TE ＃判定是否一个字节或者在一个字被读出
读操作。
写使能，低电平有效。
控制写入命令或命令序列
为了编程数据或擦除存储器阵列的扇区。写操作
发生在WE＃为有效，而CE＃为低和OE ＃为高电平。
硬件复位，低电平有效。
提供复位的硬件方法
HY 29LV160到读阵列状态。当设备被立即复位，它
终止正在进行的任何操作。当RESET ＃是断言，设备
将处于待机模式。
再一个DY /总线圣一吨我们。
我ND IC atesw他T他RAWR它eoreraseco MMA届是在
进展或已经完成。保持低水往往微不足道的设备正在积极
编程数据或擦除，并且变高，当它准备好读取阵列的数据。
3伏（标称值）的电源。
电源和信号地。
OE ＃
输入
WE＃
输入
RESET＃
输入
RY / BY ＃
V
CC
V
SS
产量
漏极开路
--
--
修订版1.2 / 5月1日
3
HY29LV160
约定
除非另有说明，一个正逻辑（活性
高）约定假定整个文档
精神疾病，由此存在下，在较高的引脚，则
更多的正电压（V
IH
）导致的断言
信号。下面的信号名称中的“＃ ”符号，例如，
RESET＃ ，表示该信号被认定在
低状态（V
IL
） 。见DC规格为V
IH
和V
IL
值。
存储器阵列组织
在16兆比特的闪存阵列被组织成
35块所谓的
扇区
（ S0，S1， ...， S34）。一
扇区是可以被擦除的最小单位和
可被保护，以防止意外的或未
授权擦除。看到“公交运营”和
本文档“命令定义”部分
有关这些功能的更多信息。
在HY29LV160 ，四个行业，其中的COM
奖品
引导块，
大小不等，从8到32
巴士业务
设备总线操作是通过启动
内部命令寄存器，它由套
存储的命令，连同锁存器
地址和数据信息，如果有的话，需要
执行特定命令。命令
注册本身并不占用任何寻址
存储器位置。该命令的内容
寄存器作为输入，内部状态马
折角的输出控制的操作
装置。表3列出了公交车的正常运营，
的输入，并且它们需要控制的水平，并且
结果输出。某些总线操作要求
高电压上的一个或多个管脚。那些
在表4中描述。
读操作
当一个信号被分成编号
位，例如，DQ [7] ，DQ [6 ]，...， DQ [ 0]中，家庭
位也可以共同地示出，例如，如
DQ [7：0 ] 。
指定0xNNNN （N = 0 ， 1，2， 。 。 。 ， 9 ，A 。
。 。 ， E， F）表示数表示在十六进
MAL简谱。指定0bXXXX表示
在二进制表示法表示数（X = 0,1） 。
千字节（4至16 K字） ，而剩余的31
部门是在64千字节大小均匀（ 32
K字） 。引导块可以位于所述
的地址范围的底部（ HY29LV160B ），或在
的地址范围（ HY29LV160T ）的顶部。
表1和2中定义的扇区地址和
对应的地址范围的顶部和底部
汤姆引导块的HY29LV160的版本。
器复位，以确保没有虚假改造
电源转录过程中发生了存储器内容
习得。没有命令是必要的，此模式
获取数组数据，以及设备保持启用
对于读访问，直到该命令寄存器可
帐篷被改变。
该器件具有擦除挂起模式。
在此模式下，主机可以读出的数组
从内存中未标明任何部门的数据
擦除。如果主机从一个地址读取
擦除暂停（或删除）部门，或
当设备执行一个字节或字的亲
克操作，设备输出状态数据
而不是阵列的数据。在完成一个自动后
在MATIC程序或自动擦除算法
一个扇区，该扇区会自动返回到
读阵列数据模式。完成编程后，
明操作擦除挂起模式时，
系统可以再次读取与该数组数据
上述同样的异常说明。
主机必须发出硬件复位或软
器复位命令，一个扇区返回到读
如果DQ [5]变高亲在阵列中的数据模式
克或擦除周期，或者将设备返回到
读阵列数据模式，而它是在电子
ID模式。
数据从HY29LV160通过使用标读
准微处理器读周期，同时把
对设备的地址IN-字节或字地址
放。主机系统必须驱动CE ＃和
OE ＃引脚为低电平，驱动器和WE＃为高电平有效
读操作发生。该BYTE ＃引脚DE-
了是否在设备的输出数组数据
字（DQ [15： 0]） ，或以字节为单位（DQ [7： 0]）。
该HY29LV160被读取自动设置
之后，设备上电和后硬阵列数据
修订版1.2 / 5月1日
5
HY29LV160
16兆位（ 2M ×8 / 1M ×16 ）低电压闪存
主要特点
n
单电源工作
- 读取，编程和擦除操作，从
2.7到3.6伏
- 非常适合电池供电的应用
高性能
- 70 ， 80 ， 90和120 ns访问时间
版本
超低功耗（典型
在5MHz的值）
- 自动休眠模式电流： 1 μA
- 待机模式电流： 1 μA
- 读电流： 9毫安
- 编程/擦除电流：20mA
灵活的部门架构：
- 一个16 KB ， 2个8 KB ， 1个32 KB和
在字节模式31 64 KB的行业
- 一个8千瓦， 2个4千瓦， 1个16千瓦，
在字模式31 32 KW行业
- 顶部或底部启动块配置
可用的
扇区保护
- 允许一个部门或部门的锁
防止编程或擦除操作
该部门内
- 部门可锁定在系统或通过
编程设备
- 临时机构撤消允许
改变锁业（要求高
电压RESET ＃引脚）
快速编程和擦除时间
- 扇区擦除时间： 0.25秒典型
各部门
- 芯片擦除时间： 8秒典型
- 字节编程时间： 9
s
典型
解锁绕道程序命令
- 发行时减少编程时间
多个程序的命令序列
自动擦除算法Preprograms
和擦除扇区的任意组合
或整个芯片
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作，使
从或编程数据读出的数据
到，一个没有被擦除扇区
- 擦除恢复可以被调用来
完全擦除暂停
自动程序算法和写入
在指定地址的数据验证
n
每个部门最少10万次擦写循环
n
数据＃查询和翻转位
- 提供软件确认
编程和擦除完毕
操作
就绪/忙＃引脚
- 提供硬件确认
编程和擦除完毕
操作
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）复位
设备读取阵列数据
符合通用闪存
接口（ CFI ）规格
- 闪存设备参数直接保存
在设备上
- 允许软件驱动程序识别和使用
各种不同的当前和未来的
闪存产品
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存器件
- 高级无意写保护
节省空间的封装
- 48引脚TSOP和48球FBGA封装
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
逻辑图
20
A[19:0]
DQ [7：0 ]
7
CE＃
OE ＃
WE＃
RESET＃
BYTE ＃
DQ [14： 8]
DQ15/A-1
RY / BY ＃
8
n
n
n
n
初步
1.2版2001年5月
HY29LV160
概述
该HY29LV160是16兆， 3伏只， CMOS
组织为2,097,152 （ 2M ）字节Flash存储器
或1,048,576 （1M）的话可用在48-
引脚TSOP和48球FBGA封装。字处理
范围内的数据（ ×16）上出现的DQ [15：0 ]和字节的
宽的（x8）数据出现在DQ [7：0 ] 。
该HY29LV160可以编程和擦除
在系统用一个3伏V
CC
供应量。之间
应受产生稳压电压亲
vided用于编程和擦除操作，以便
该设备不要求较高的电压V
PP
电源来执行这些功能。 DE-的
副也可以在标准EPROM编程
程序员。存取时间低至80 ns的过
在整个工作电压范围为2.7 - 3.6伏特，
和70纳秒为3.0有限的电压范围 - 3.6
伏，供时序与兼容性
高速零等待状态的要求MI-
croprocessors 。为了消除总线冲突，
HY29LV160有独立的芯片使能（ CE ＃ ），写
使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
该设备与JEDEC兼容单
电源闪存命令设置标
准。命令被写入命令稳压
存器采用标准的微处理器写时序。
然后将它们发送到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。
器件编程在执行字节/字
一时间通过执行四循环程序的COM
命令写序。这将启动一个内部AL-
gorithm自动倍的编程脉冲
宽度和验证适当的细胞保证金。快亲
编程时间可以通过将实现
HY29LV160在解锁绕道模式，
只需要两个写周期编程数据IN-
代替四。
该HY29LV160的扇区擦除架构允许
要被擦除并重新任何数值列的扇区
在不影响数据内容的目的
其他部门。设备擦除是通过启动
执行擦除命令序列。这
该自动启动一个内部算法
preprograms阵列（如果它尚未亲
编程）执行擦除操作之前。
由于在编程周期，设备自动
matically次擦除脉冲宽度和veri-
外商投资企业适当的细胞保证金。硬件部门保护
化选择性禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
2
所述存储器阵列，而临时机构非
保护允许在系统擦除和代码
改变以前受保护的行业。抹去
挂起使用户能够把擦除搁置
任何一段时间内读取，或程序数据
未选择era-数据，任何扇区
肯定。因此，真正的背景擦除可
实现的。运时，该设备被完全擦除
从工厂。
所需的编程地址和数据
和擦除操作过程中被内部锁存
写周期，并且在主机系统可以检测到
编程或擦除操作完成所
观察RY / BY ＃引脚，或通过读出的DQ [7]
（数据＃查询）或DQ [6] （切换）状态位。硬
洁具的数据保护措施，包括低V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在上电期间的过渡。
经过编程或擦除周期一直的COM
pleted ，或者RESET ＃引脚断言（后
终止任何正在进行的操作） ，该设备
准备读数据或接受其它的COM
命令。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
两个省电功能都体现在
HY29LV160 。当地址已经稳定
对于一个指定的时间量时，器件进入
自动休眠模式。主机也可以将
该器件进入待机模式。功率消耗
灰是在这两种方式中大大降低。
通用闪存接口（ CFI ）
为了使闪存互换和
鼓励采用新的Flash技术，
主要的闪存供应商开发一个灵活，
识别闪存大小IBLE方法
配置中，所有必要的闪存设备
参数直接在设备上存储。
存储的参数包括内存大小，字节/字
配置，行业配置，必要的电压
年龄和时间的信息。这允许一组
软件驱动器的识别和使用的各种
不同的当前和未来的闪存产品。该
标准，它详细介绍了软件界面必要请
埃森访问该设备，以确定它与以
确定它的特点是通用闪存
存储器接口（ CFI ）规格。该
HY29LV160完全符合本说明书中。
修订版1.2 / 5月1日
HY29LV160
框图
DQ [15：0 ]
A[19:0], A-1
状态
控制
DQ [15：0 ]
WE＃
CE＃
OE ＃
BYTE ＃
RESET＃
RY / BY ＃
节目
电压
发电机
命令
注册
擦除电压
发生器和
行业SWITCHES
I / O控制
I / O缓冲器
数据锁存器
V
C C
探测器
定时器
A[19:0], A-1
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
16 MB闪存
内存
ARRAY
信号说明
名字
A[19:0]
DQ[15]/A[-1],
DQ [14 ：0]
BY TE ＃
CE＃
TYPE
输入
描述
地址，高电平有效。
这20个输入，结合DQ [ 15 ] / A [-1]输入
字节模式，阵列的读或写操作中选择一个位置。
数据总线，高电平有效
。这些引脚为读取8位或16位数据通道
输入/输出
操作和写操作。在字节模式下， DQ [15] / A [-1]作为21位的LSB
三州
字节的地址输入。 DQ [14 ： 8 ]使用，仍在保持三态字节模式。
输入
输入
字节模式，低电平有效。
选择低字节模式下，选择高字模式。
芯片使能，低电平有效。
该输入必须置读取数据或
写数据到HY 29LV160 。高电平时，数据总线为三态和
装置被置于待机模式。
输出使能，低电平有效
。断言读操作和否定的
写操作。按TE ＃判定是否一个字节或者在一个字被读出
读操作。
写使能，低电平有效。
控制写入命令或命令序列
为了编程数据或擦除存储器阵列的扇区。写操作
发生在WE＃为有效，而CE＃为低和OE ＃为高电平。
硬件复位，低电平有效。
提供复位的硬件方法
HY 29LV160到读阵列状态。当设备被立即复位，它
终止正在进行的任何操作。当RESET ＃是断言，设备
将处于待机模式。
再一个DY /总线圣一吨我们。
我ND IC atesw他T他RAWR它eoreraseco MMA届是在
进展或已经完成。保持低水往往微不足道的设备正在积极
编程数据或擦除，并且变高，当它准备好读取阵列的数据。
3伏（标称值）的电源。
电源和信号地。
OE ＃
输入
WE＃
输入
RESET＃
输入
RY / BY ＃
V
CC
V
SS
产量
漏极开路
--
--
修订版1.2 / 5月1日
3
HY29LV160
约定
除非另有说明，一个正逻辑（活性
高）约定假定整个文档
精神疾病，由此存在下，在较高的引脚，则
更多的正电压（V
IH
）导致的断言
信号。下面的信号名称中的“＃ ”符号，例如，
RESET＃ ，表示该信号被认定在
低状态（V
IL
） 。见DC规格为V
IH
和V
IL
值。
存储器阵列组织
在16兆比特的闪存阵列被组织成
35块所谓的
扇区
（ S0，S1， ...， S34）。一
扇区是可以被擦除的最小单位和
可被保护，以防止意外的或未
授权擦除。看到“公交运营”和
本文档“命令定义”部分
有关这些功能的更多信息。
在HY29LV160 ，四个行业，其中的COM
奖品
引导块，
大小不等，从8到32
巴士业务
设备总线操作是通过启动
内部命令寄存器，它由套
存储的命令，连同锁存器
地址和数据信息，如果有的话，需要
执行特定命令。命令
注册本身并不占用任何寻址
存储器位置。该命令的内容
寄存器作为输入，内部状态马
折角的输出控制的操作
装置。表3列出了公交车的正常运营，
的输入，并且它们需要控制的水平，并且
结果输出。某些总线操作要求
高电压上的一个或多个管脚。那些
在表4中描述。
读操作
当一个信号被分成编号
位，例如，DQ [7] ，DQ [6 ]，...， DQ [ 0]中，家庭
位也可以共同地示出，例如，如
DQ [7：0 ] 。
指定0xNNNN （N = 0 ， 1，2， 。 。 。 ， 9 ，A 。
。 。 ， E， F）表示数表示在十六进
MAL简谱。指定0bXXXX表示
在二进制表示法表示数（X = 0,1） 。
千字节（4至16 K字） ，而剩余的31
部门是在64千字节大小均匀（ 32
K字） 。引导块可以位于所述
的地址范围的底部（ HY29LV160B ），或在
的地址范围（ HY29LV160T ）的顶部。
表1和2中定义的扇区地址和
对应的地址范围的顶部和底部
汤姆引导块的HY29LV160的版本。
器复位，以确保没有虚假改造
电源转录过程中发生了存储器内容
习得。没有命令是必要的，此模式
获取数组数据，以及设备保持启用
对于读访问，直到该命令寄存器可
帐篷被改变。
该器件具有擦除挂起模式。
在此模式下，主机可以读出的数组
从内存中未标明任何部门的数据
擦除。如果主机从一个地址读取
擦除暂停（或删除）部门，或
当设备执行一个字节或字的亲
克操作，设备输出状态数据
而不是阵列的数据。在完成一个自动后
在MATIC程序或自动擦除算法
一个扇区，该扇区会自动返回到
读阵列数据模式。完成编程后，
明操作擦除挂起模式时，
系统可以再次读取与该数组数据
上述同样的异常说明。
主机必须发出硬件复位或软
器复位命令，一个扇区返回到读
如果DQ [5]变高亲在阵列中的数据模式
克或擦除周期，或者将设备返回到
读阵列数据模式，而它是在电子
ID模式。
数据从HY29LV160通过使用标读
准微处理器读周期，同时把
对设备的地址IN-字节或字地址
放。主机系统必须驱动CE ＃和
OE ＃引脚为低电平，驱动器和WE＃为高电平有效
读操作发生。该BYTE ＃引脚DE-
了是否在设备的输出数组数据
字（DQ [15： 0]） ，或以字节为单位（DQ [7： 0]）。
该HY29LV160被读取自动设置
之后，设备上电和后硬阵列数据
修订版1.2 / 5月1日
5
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