HY29F040A系列
512K ×8位CMOS 5.0伏只，扇区擦除闪存
主要特点
·
5.0 V± 10 ％读取，编程和擦除
- 最大程度降低系统级功耗要求
·
高性能
-
55 ns访问时间
·
兼容JEDEC标准的命令
- 使用软件命令，引脚和
以下为行业标准包装
单电源闪存
·
最低100,000编程/擦除周期
·
扇区擦除架构
- 64K的八个大小相同部门的每个字节
- 任何部门的结合可以被删除
同时，还支持整片擦除
·
擦除挂起/恢复
- 挂起扇区擦除操作允许
数据读取或编程的一个部门不
在同一设备内被擦除
·
内部擦除算法
- 自动擦除扇区，任意组合
扇区或整个芯片的
·
内部编程算法
- 自动程序并在验证数据
指定的地址。
·
低功耗
- 最大40mA有效的读电流
- 60 mA（最大值）编程/擦除电流
- 5
mA
最大待机电流
·
扇区保护
- 硬件方法禁用任意组合
从编程或擦除操作部门
描述
该HY29F040A是4兆， 5.0伏的CMOS只
闪存设备组织成一个512K字节
每个8位。该器件采用标准
32引脚PDIP ， 32引脚PLCC和32引脚TSOP封装
老少皆宜。它被设计成被编程和
擦除在系统具有5.0伏电源和
也可以在标准的PROM重新编程
程序员。
该HY29F040A提供55纳秒， 70次访问
NS， NS 90 ， 120纳秒和150纳秒。该装置具有另行
利率芯片使能（ / CE ） ，写使能（ / WE）和输出
把使能（ / OE ）控制。韩国现代闪存
设备可靠地存储，即使存储数据
100,000编程/擦除周期。
该HY29F040A完全是引脚和指令集
与4兆的JEDEC标准兼容
位的闪存设备。该命令令状
10到命令寄存器使用标准微处理器的
处理器的写时序。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机，它控制
擦除和编程电路。写周期
内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。
该HY29F040A通过执行编程
程序命令序列。这将启动
内部字节编程算法
自动时间的编程脉冲宽度和
也验证了适当的细胞保证金。擦除是
通过执行扇区擦除或完成
芯片擦除命令序列。这将启动
内部擦除算法，自动倍
擦除脉冲宽度，也验证了适当的
电池余量。没有预编程之前进行所需的
执行内部擦除算法。行业
该HY29F040A闪存阵列是electri-
通过福勒- Nordheim隧穿美云擦除。字节
被编程的一个字节的时间，使用热
电子注入机制。
该HY29F040A设有一个扇区擦除架构。
设备存储器阵列被分成8个扇区的
64K字节的每一个。该部门可擦除indi-
vidually或成组而不影响数据
其他行业。多扇区擦除和全
芯片擦除功能，增加了灵活性，以改变
在该装置的数据。保护数据的设备
意外编程和擦除，设备
还具有扇区保护功能。此功能
硬件写保护的选定行业。部门
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。现代电子不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
Rev.03/Aug.97
韩国现代半导体公司
引脚说明
引脚名称
A0 - A18
DQ0 - DQ7
/ CE
/ OE
/ WE
VSS
VCC
引脚功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
接地装置
器件电源
(5.0V
±
为-70 10％时， -90 ， -120和-150 ）
(5.0V
±
为-55 5％）
引脚连接
A1 1
A9
A8
A1 3
A1 4
A1 7
WE
V CC
A1 8
A1 6
A1 5
A1 2
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A1 0
CE
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
V SS
DQ 2
DQ 1
DQ 0
A0
A1
A2
A3
OE
A1 0
CE
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
V SS
DQ 2
DQ 1
DQ 0
A0
A1
A2
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
32
31
31
30
30
29
29
28
28
27
27
26
26
25
25
24
24
23
23
22
22
21
21
20
20
19
19
18
18
17
17
A1 1
A9
A8
A1 3
A1 4
A1 7
WE
V CC
A1 8
A1 6
A1 5
A1 2
A7
A6
A5
A4
标准TSOP
反向TSOP
A1 2
A1 5
A1 6
A1 8
A1 7
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
14
15
16
17
18
19
20
V CC
32
A1 8
A1 6
A1 5
A1 2
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ 0
DQ 1
DQ 2
V SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V CC
WE
A1 4
A1 3
A8
A9
A1 1
OE
A1 0
CE
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ 0
31
A1 7
4
3
2
1
WE
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A1 4
A1 3
A8
A9
A1 1
OE
A1 0
CE
DQ 7
DQ 1
DQ 2
V SS
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 3
PDIP
HY29F040A
PLCC
3
DQ 6
总线操作
表1.公交车运营
(1)
手术
电子标识制造商代码
(2)
电子设备的ID码
(2)
读
(3)
待机
输出禁用
写
使部门保护
验证部门保护
/ CE
L
L
L
H
L
L
L
L
/ OE
L
L
L
X
H
H
V
ID
L
/ WE
H
H
H
X
H
L
L
H
A0
L
H
A0
X
X
A0
X
L
A1
L
L
A1
X
X
A1
X
H
A6
L
L
A6
X
X
A6
X
L
A9
V
ID
V
ID
A9
X
X
A9
V
ID
V
ID
I / O
CODE
CODE
D
OUT
高Z
高Z
D
IN(4)
X
CODE
注意事项：
1. L = V
IL
，H = V
IH
， X =无关。见DC特性的电压等级。
2.生产厂商和设备代码，也可以通过一个命令寄存器顺序访问。参照表4 。
3 /我们能为V
IL
如果/ CE为V
IL
， / OE在V
IH
启动写操作。
4.请参考表4为有效D
IN
在写操作。
表2扇区保护验证电子标识代码
TYPE
A18
A17
A16
A6
A1
A0
CODE
（十六进制）
ADH
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
生产代码
HY29F040A
器件代码
扇区保护
X
X
X
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
1
0
1
0
1
1
0
1
X
X
X
A4H
01H
(1)
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
扇区地址
注意事项：
1.输出01H ，在受保护的扇区地址，并输出00H ，在无保护的扇区地址。
4
HY29F040A
表3.扇区地址
A18
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
0
0
0
0
1
1
1
1
A17
0
0
1
1
0
0
1
1
A16
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000H - 地址0FFFFh
10000H - 1FFFFH
20000H - 2FFFFh
30000H - 3FFFFH
40000H - 4FFFFh
50000H - 5FFFFh
60000H - 6FFFFh
70000h - 7FFFFH
电子ID模式
电子ID模式允许读出
从设备的二进制代码，并将确定其
制造商和设备类型。这种模式是IN-
倾向于使用由编程设备的
自动匹配的设备成为目的
与其相应的编程编程
算法。此模式是官能在整个
温度范围内的装置。
以激活此模式中，编程设备
必须强制V
ID
（ 11.5V至12.5V ）地址引脚
A9 。两个标识符字节可接着进行测序
从通过切换地址A0器件输出
从V
IL
到V
IH
。所有的地址都不用管它EX-
概念A0，A1 ，A6和A9 。
的制造商，设备代码也可以是
通过命令寄存器（读即，当
HY29F040A被擦除或在一个系统编程
没有获得高电压的引脚A9 ） 。该
命令序列示于表4中（参照
以电子ID命令部分） 。
字节0 （ A0 = V
IL
）表示制造商的代码
（现代电子= ADH）和字节1 （ A0 = V
IH
)
该装置识别码（ HY29F040A = A4H ） 。
这两个字节，在表2中的所有identifi-定
器的制造商和设备将展出奇
平价与MSB （ DQ7 ）定义为奇偶
位。为了能阅读的正确的设备代码
执行电子ID时， A1必须是V
IL
（见表2）。
读取模式
该HY29F040A有三个控制功能这
必须满足在输出端得到的数据。 /
CE是功率控制和应使用
设备选择。 / OE为输出控制和
应该用于栅极的数据到输出引脚，如果一个
设备被选择。如表1所示， / WE
应在V举行
IH
除了在写入模式和
使部门保护模式。
地址访问时间（t
加
）等于延迟
从稳定的地址有效输出数据。该
芯片使能访问时间（t
CE
）是从延迟
稳定的地址和稳定/ CE到有效数据
的输出引脚。输出使能访问时间是
从/ OE到有效数据的下降沿的延迟
在输出管脚（假设地址具有
一直保持稳定至少吨
加
-t
OE
时间）。
待机模式
该HY29F040A有两种待机模式： CMOS
待机模式（在Vcc ±0.5V保持/ CE的输入）中，当
电流消耗典型地小于1
毫安;
AND A
TTL待机模式（ / CE保持在V
IH
）当
需要典型电流被降低到1毫安。在
待机模式下，输出处于高阻抗
国家，独立的/ OE输入。
如果设备在编程过程中或取消
擦除，该装置将利用有功电流，直到
编程或擦除操作完成。
HY29F040A
5
HY29F040A
4兆位（ 512K ×8 ） ， 5伏只，闪存
主要特点
n
5伏读取，编程和擦除
- 最大程度降低系统级功耗
需求
n
高性能
- 存取时间快55纳秒
n
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- 5 μA最大的CMOS待机电流
n
兼容JEDEC标准
- 封装，引脚排列和命令集
与单电源闪存兼容
设备标准
- 提供卓越的意外写
保护
n
扇区擦除架构
- 64K字节八个大小相同行业
每
- 命令可以删除任意组合
扇区
- 支持整片擦除
n
擦除挂起/恢复
- 临时挂起一个扇区擦除
操作，以允许将数据从读出，或
编入，任何部门不作为
删除
n
扇区保护
- 扇区可以被锁定，以防止
在该程序或擦除操作
扇形
n
自动擦除算法
- 删除的扇区中的任意组合
扇区或整个芯片
n
自动编程算法
- 程序并验证数据在指定的
地址
n
快速编程和擦除时间
- 字节编程时间： 7 μs的典型
- 扇区擦除时间： 1.0秒典型
- 芯片擦除时间： 8秒典型
n
数据＃投票和切换状态位
- 提供软件确认
编程或擦除完毕
操作
n
最低100,000编程/擦除周期
n
节省空间的封装
- 提供行业标准的32针
TSOP和反向TSOP和32引脚
PLCC封装
概述
该HY29F040A是4兆， 5伏只， CMOS
组织为524,288 （ 512K ）字节Flash存储器
的每个8比特。该器件采用行业
尝试标准的32引脚TSOP和反向TSOP和
32引脚PLCC封装。
该HY29F040A可以编程和擦除
在系统与单5伏V
CC
供应量。之间
应受产生稳压电压亲
vided用于编程和擦除操作，以便
该设备不需要一个高电压功率
供应来执行这些功能。该设备可以
同时在标准EPROM编程亲
程序员。存取时间快55纳秒过
5.0伏的整个工作电压范围为± 10 ％
供时序与零的兼容性
等到高速状态下的要求微处理器的
处理机。
2.2修订版， 2001年5月
逻辑图
19
A[18:0]
DQ [7：0 ]
8
CE＃
OE ＃
WE＃
HY29F040A
为了消除总线冲突， HY29F040A有
独立的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）
和输出使能（ OE ＃ ）控制。
该设备与JEDEC兼容单
电源闪存命令集的标准。 COM的
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写的定时，从那里
它们被路由到一个内部状态机那
控制擦除和编程电路。
器件编程时，每次执行一个字节
通过执行四循环程序命令。
这将启动一个内部算法， automati-
美云次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
该HY29F040A的扇区擦除架构允许
要被擦除并重新任何数值列的扇区
在不影响数据内容的目的
其他部门。设备擦除是通过启动
执行擦除命令。这将启动一个
内部算法自动preprograms
阵列（如果它尚未被编程）之前
在执行擦除操作。在擦除
擦除周期后，设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
为了保护设备中的数据不被意外或
未经授权擅自进行编程或擦除
设备，而它是在系统中（例如，由病毒） ，
该装置具有一个扇区保护功能的硬
洁具写保护特定的行业。部门
保护和取消保护功能要求高电压
年龄和一般在PROM编程使能
MER 。 。
擦除挂起使用户把擦除
持为任何一段时间，以从读出的数据，或
未被选择的节目数据，以，任何扇区
擦除。因此，真正的背景擦除可
实现的。运时，该设备被完全擦除
从工厂。
所需的编程地址和数据
和擦除操作过程中被内部锁存
写周期，并且在主机系统可以检测到
编程或擦除操作完成所
读出的DQ [7]（数据＃查询）和DQ [6]
（切换）状态位。从设备中读取数据
类似于从SRAM中读出或EPROM DE-
恶习。硬件数据保护措施包括：
低V
CC
探测器可以自动抑制写
在电源转换操作。
主机可以将器件置于备用
模式。功耗大大降低
此模式。
框图
DQ [7：0 ]
状态
控制
DQ [7：0 ]
WE＃
CE＃
OE ＃
电子
ID
节目
电压
发电机
命令
注册
擦除电压
发生器和
行业SWITCHES
I / O控制
I / O缓冲器
数据锁存器
地址锁存
V
SS
y解码器
Y型GATING
4兆位闪存
内存
ARRAY
（8× 512千比特
行业）
V
CC
A[18:0]
V
C C
探测器
定时器
X解码器
2
修订版2.2 / 5月1日
HY29F040A
约定
除非另有说明，一个正逻辑（活性
高）约定假定整个文档
精神疾病，由此存在下，在较高的引脚，则
更多的正电压（标称值为5VDC ）的原因
断言的信号。继A' ＃ '符号
信号名称，例如， WE＃ ，表示该信号
被认定为低态（标称为0伏） 。
当一个信号被分成编号
位，例如，DQ [7] ，DQ [6 ]，...， DQ [ 0]中，家庭
信号说明
名字
A[18:0]
DQ [7：0 ]
CE＃
TYPE
输入
描述
地址，高电平有效。
这些19的输入选择524,2886 512K 1 ）
该阵列的读或写操作中的字节。 A [ 18 ]为MSB和A [ 0 ]
为LSB 。
位也可以共同地示出，例如，如
DQ [7：0 ] 。
指定0xNNNN （N = 0 ， 1，2， 。 。 。 ， 9 ，A 。
。 。 ， E， F）表示数表示在六 -
十进制格式。指定0bXXXX indi-
凯茨一个数来表示二进制表示法（x =
0, 1).
输入/输出
数据总线，高电平有效
。这些引脚为读取和写入的8位数据路径
三州
操作。
输入
芯片使能，低电平有效。
该输入必须置读取数据或
写数据到HY 29F040A 。高电平时，数据总线为三态和
装置被置于待机模式。
输出使能，低电平有效
。这个输入必须置为读操作
和否定的写操作。当从设备的高，数据输出
残疾人和数据总线引脚被置于高阻抗状态。
W R是E E N A B乐，一个C吨IV E 1。·瓦特
合作NT RO LS WR其荷兰国际集团ofco MMA届sorco MMA次
序列以便编程数据或擦除存储器阵列的扇区。一
写操作发生时， WE＃为有效，而CE＃为低和OE ＃
为高。
5伏电源。
电源和信号地。
OE ＃
输入
WE＃
V
CC
V
SS
输入
--
--
4
修订版2.2 / 5月1日
HY29F040A
表1. HY29F040A内存阵列组织
1
扇形
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
扇区地址
A[18]
0
0
0
0
1
1
1
1
A[17]
0
0
1
1
0
0
1
1
A[16]
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围[ 18 ： 0 ]
0x00000 - 0x0FFFF
0x10000处 - 0x1FFFF
地址0x20000 - 0x2FFFF
0x30000 - 0x3FFFF
0x40000 - 0x4FFFF
0x50000 - 0x5FFFF
0x60000 - 0x6FFFF
0x70000 - 0x7FFFF
注意事项：
1.所有的行业都是64千字节大小。
存储器阵列组织
512 Kbyte闪存阵列是由
八个64名为千字节块
扇区
(S0, S1,
。 。 。 ， S7）。一个扇区是可以的最小单位
删除。它也可以是最小的单位
巴士业务
设备总线操作是通过启动
内部命令寄存器，它由套
存储的命令，连同锁存器
地址和数据信息，如果有的话，需要
执行特定命令。命令
注册本身并不占用任何寻址
存储器位置。该命令的内容
寄存器作为输入，内部状态马
折角的输出控制的操作
装置。表2列出了公交车的正常运营，
的输入，并且它们需要控制的水平，并且
结果输出。某些总线操作要求
高电压上的一个或多个管脚。那些
在表3中描述。
读操作
数据从HY29F040A通过使用标读
准微处理器读周期，同时把
的字节的地址被读取关于设备的
地址输入， A [ 18 ： 0 ] 。必须在主机系统
驱动CE ＃和OE ＃低投入和驱动WE＃
高一个有效的读操作发生。该
设备上输出DQ指定数组的数据[ 7 ： 0 ] 。
该HY29F040A被读取自动设置
后器件上电阵列数据以确保
记忆的内容没有虚假OC-改变
电源转换过程中小人。没有命令
必要在该模式下，得到的数组数据，并
该装置保持启用状态，直到读访问
命令寄存器的内容被改变。
保护，以防止意外或未经授权的
擦除。见“公交运营”和“命令
本文档的附加定义“部分
有关这些功能的信息。
表2. HY29F040A普通公交车运营
1
手术
读
写
输出禁用
TTL待机
CMOS待机
CE＃
L
L
L
H
V
CC
± 0.5V
OE ＃
L
H
H
X
X
WE＃
H
L
H
X
X
A[18:0]
A
IN
A
IN
X
X
X
DQ [7：0 ]
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
注意事项：
1. L = V
IL
，H = V
IH
， X =无所谓，D
OUT
=数据输出，D
IN
=数据输入。见DC特性的电压等级。
修订版2.2 / 5月1日
5
HY29F040A系列
512K ×8位CMOS 5.0伏只，扇区擦除闪存
主要特点
·
5.0 V± 10 ％读取，编程和擦除
- 最大程度降低系统级功耗要求
·
高性能
-
55 ns访问时间
·
兼容JEDEC标准的命令
- 使用软件命令，引脚和
以下为行业标准包装
单电源闪存
·
最低100,000编程/擦除周期
·
扇区擦除架构
- 64K的八个大小相同部门的每个字节
- 任何部门的结合可以被删除
同时，还支持整片擦除
·
擦除挂起/恢复
- 挂起扇区擦除操作允许
数据读取或编程的一个部门不
在同一设备内被擦除
·
内部擦除算法
- 自动擦除扇区，任意组合
扇区或整个芯片的
·
内部编程算法
- 自动程序并在验证数据
指定的地址。
·
低功耗
- 最大40mA有效的读电流
- 60 mA（最大值）编程/擦除电流
- 5
mA
最大待机电流
·
扇区保护
- 硬件方法禁用任意组合
从编程或擦除操作部门
描述
该HY29F040A是4兆， 5.0伏的CMOS只
闪存设备组织成一个512K字节
每个8位。该器件采用标准
32引脚PDIP ， 32引脚PLCC和32引脚TSOP封装
老少皆宜。它被设计成被编程和
擦除在系统具有5.0伏电源和
也可以在标准的PROM重新编程
程序员。
该HY29F040A提供55纳秒， 70次访问
NS， NS 90 ， 120纳秒和150纳秒。该装置具有另行
利率芯片使能（ / CE ） ，写使能（ / WE）和输出
把使能（ / OE ）控制。韩国现代闪存
设备可靠地存储，即使存储数据
100,000编程/擦除周期。
该HY29F040A完全是引脚和指令集
与4兆的JEDEC标准兼容
位的闪存设备。该命令令状
10到命令寄存器使用标准微处理器的
处理器的写时序。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机，它控制
擦除和编程电路。写周期
内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。
该HY29F040A通过执行编程
程序命令序列。这将启动
内部字节编程算法
自动时间的编程脉冲宽度和
也验证了适当的细胞保证金。擦除是
通过执行扇区擦除或完成
芯片擦除命令序列。这将启动
内部擦除算法，自动倍
擦除脉冲宽度，也验证了适当的
电池余量。没有预编程之前进行所需的
执行内部擦除算法。行业
该HY29F040A闪存阵列是electri-
通过福勒- Nordheim隧穿美云擦除。字节
被编程的一个字节的时间，使用热
电子注入机制。
该HY29F040A设有一个扇区擦除架构。
设备存储器阵列被分成8个扇区的
64K字节的每一个。该部门可擦除indi-
vidually或成组而不影响数据
其他行业。多扇区擦除和全
芯片擦除功能，增加了灵活性，以改变
在该装置的数据。保护数据的设备
意外编程和擦除，设备
还具有扇区保护功能。此功能
硬件写保护的选定行业。部门
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。现代电子不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
Rev.03/Aug.97
韩国现代半导体公司
引脚说明
引脚名称
A0 - A18
DQ0 - DQ7
/ CE
/ OE
/ WE
VSS
VCC
引脚功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
接地装置
器件电源
(5.0V
±
为-70 10％时， -90 ， -120和-150 ）
(5.0V
±
为-55 5％）
引脚连接
A1 1
A9
A8
A1 3
A1 4
A1 7
WE
V CC
A1 8
A1 6
A1 5
A1 2
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A1 0
CE
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
V SS
DQ 2
DQ 1
DQ 0
A0
A1
A2
A3
OE
A1 0
CE
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
V SS
DQ 2
DQ 1
DQ 0
A0
A1
A2
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
32
31
31
30
30
29
29
28
28
27
27
26
26
25
25
24
24
23
23
22
22
21
21
20
20
19
19
18
18
17
17
A1 1
A9
A8
A1 3
A1 4
A1 7
WE
V CC
A1 8
A1 6
A1 5
A1 2
A7
A6
A5
A4
标准TSOP
反向TSOP
A1 2
A1 5
A1 6
A1 8
A1 7
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
14
15
16
17
18
19
20
V CC
32
A1 8
A1 6
A1 5
A1 2
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ 0
DQ 1
DQ 2
V SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V CC
WE
A1 4
A1 3
A8
A9
A1 1
OE
A1 0
CE
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ 0
31
A1 7
4
3
2
1
WE
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A1 4
A1 3
A8
A9
A1 1
OE
A1 0
CE
DQ 7
DQ 1
DQ 2
V SS
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 3
PDIP
HY29F040A
PLCC
3
DQ 6
总线操作
表1.公交车运营
(1)
手术
电子标识制造商代码
(2)
电子设备的ID码
(2)
读
(3)
待机
输出禁用
写
使部门保护
验证部门保护
/ CE
L
L
L
H
L
L
L
L
/ OE
L
L
L
X
H
H
V
ID
L
/ WE
H
H
H
X
H
L
L
H
A0
L
H
A0
X
X
A0
X
L
A1
L
L
A1
X
X
A1
X
H
A6
L
L
A6
X
X
A6
X
L
A9
V
ID
V
ID
A9
X
X
A9
V
ID
V
ID
I / O
CODE
CODE
D
OUT
高Z
高Z
D
IN(4)
X
CODE
注意事项：
1. L = V
IL
，H = V
IH
， X =无关。见DC特性的电压等级。
2.生产厂商和设备代码，也可以通过一个命令寄存器顺序访问。参照表4 。
3 /我们能为V
IL
如果/ CE为V
IL
， / OE在V
IH
启动写操作。
4.请参考表4为有效D
IN
在写操作。
表2扇区保护验证电子标识代码
TYPE
A18
A17
A16
A6
A1
A0
CODE
（十六进制）
ADH
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
生产代码
HY29F040A
器件代码
扇区保护
X
X
X
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
1
0
1
0
1
1
0
1
X
X
X
A4H
01H
(1)
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
扇区地址
注意事项：
1.输出01H ，在受保护的扇区地址，并输出00H ，在无保护的扇区地址。
4
HY29F040A
表3.扇区地址
A18
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
0
0
0
0
1
1
1
1
A17
0
0
1
1
0
0
1
1
A16
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000H - 地址0FFFFh
10000H - 1FFFFH
20000H - 2FFFFh
30000H - 3FFFFH
40000H - 4FFFFh
50000H - 5FFFFh
60000H - 6FFFFh
70000h - 7FFFFH
电子ID模式
电子ID模式允许读出
从设备的二进制代码，并将确定其
制造商和设备类型。这种模式是IN-
倾向于使用由编程设备的
自动匹配的设备成为目的
与其相应的编程编程
算法。此模式是官能在整个
温度范围内的装置。
以激活此模式中，编程设备
必须强制V
ID
（ 11.5V至12.5V ）地址引脚
A9 。两个标识符字节可接着进行测序
从通过切换地址A0器件输出
从V
IL
到V
IH
。所有的地址都不用管它EX-
概念A0，A1 ，A6和A9 。
的制造商，设备代码也可以是
通过命令寄存器（读即，当
HY29F040A被擦除或在一个系统编程
没有获得高电压的引脚A9 ） 。该
命令序列示于表4中（参照
以电子ID命令部分） 。
字节0 （ A0 = V
IL
）表示制造商的代码
（现代电子= ADH）和字节1 （ A0 = V
IH
)
该装置识别码（ HY29F040A = A4H ） 。
这两个字节，在表2中的所有identifi-定
器的制造商和设备将展出奇
平价与MSB （ DQ7 ）定义为奇偶
位。为了能阅读的正确的设备代码
执行电子ID时， A1必须是V
IL
（见表2）。
读取模式
该HY29F040A有三个控制功能这
必须满足在输出端得到的数据。 /
CE是功率控制和应使用
设备选择。 / OE为输出控制和
应该用于栅极的数据到输出引脚，如果一个
设备被选择。如表1所示， / WE
应在V举行
IH
除了在写入模式和
使部门保护模式。
地址访问时间（t
加
）等于延迟
从稳定的地址有效输出数据。该
芯片使能访问时间（t
CE
）是从延迟
稳定的地址和稳定/ CE到有效数据
的输出引脚。输出使能访问时间是
从/ OE到有效数据的下降沿的延迟
在输出管脚（假设地址具有
一直保持稳定至少吨
加
-t
OE
时间）。
待机模式
该HY29F040A有两种待机模式： CMOS
待机模式（在Vcc ±0.5V保持/ CE的输入）中，当
电流消耗典型地小于1
毫安;
AND A
TTL待机模式（ / CE保持在V
IH
）当
需要典型电流被降低到1毫安。在
待机模式下，输出处于高阻抗
国家，独立的/ OE输入。
如果设备在编程过程中或取消
擦除，该装置将利用有功电流，直到
编程或擦除操作完成。
HY29F040A
5
QQ：2881677436 复制
