HY29F002T
HY29F002T有独立的芯片使能（ CE ＃ ），写
使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
该设备与JEDEC兼容单
电源闪存命令集的标准。 COM的
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写的定时，从那里
它们被路由到一个内部状态机那
控制擦除和编程电路。
器件编程时，每次执行一个字节
通过执行四循环程序命令。
这将启动一个内部算法， automati-
美云次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
该HY29F002T的扇区擦除架构允许
要被擦除并重新任何数值列的扇区
在不影响数据内容的目的
其他部门。设备擦除是通过启动
执行擦除命令。这将启动一个
内部算法自动preprograms
阵列（如果它尚未被编程）之前
在执行擦除操作。在擦除
擦除周期后，设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
为了保护设备中的数据不被意外或
未经授权擅自进行编程或擦除
设备，而它是在系统中（例如，由病毒） ，
框图
DQ [7：0 ]
该装置具有一个扇区保护功能这
硬件写保护特定的行业。该
部门保护和取消保护功能可恩
体健的PROM编程器。暂见第
器解除，这需要一个高电压， AL-
低点在系统中预先擦除和修改代码
viously保护部门。
擦除挂起使用户把擦除
持为任何一段时间，以从读出的数据，或
未被选择的节目数据，以，任何扇区
擦除。因此，真正的背景擦除可
实现的。运时，该设备被完全擦除
从工厂。
所需的编程地址和数据
和擦除操作过程中被内部锁存
写周期，并且在主机系统可以检测到
编程或擦除操作完成所
读出的DQ [7]（数据＃查询）和DQ [6]
（切换）状态位。从设备中读取数据
类似于从SRAM中读出或EPROM DE-
恶习。硬件数据保护措施包括：
低V
CC
探测器可以自动抑制写
在电源转换操作。
主机可以将器件置于备用
模式。功耗大大降低
此模式。
状态
控制
DQ [7：0 ]
WE＃
CE＃
OE ＃
RESET＃
电子
ID
命令
注册
擦除电压
发生器和
行业SWITCHES
I / O控制
I / O缓冲器
数据锁存器
节目
电压
发电机
y解码器
Y型GATING
2兆位
FL灰
内存
ARRAY
（ 7部门）
V
SS
V
CC
A[17:0]
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
X解码器
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修订版4.1 / 5月1日
HY29F002T
销刀豆网络gurations
A[11]
A[9]
A[8]
A[13]
A[14]
A[17]
WE＃
V
CC
RESET＃
A[16]
A[15]
A[12]
A[7]
A[6]
A[5]
A[4]
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE ＃
A[10]
CE＃
DQ[7]
DQ[6]
DQ[5]
DQ[4]
DQ[3]
V
SS
DQ[2]
DQ[1]
DQ[0]
A[0]
A[1]
A[2]
A[3]
TSOP32
A[7]
A[6]
A[5]
A[4]
A[3]
A[2]
A[1]
A[0]
DQ[0]
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A[12]
A[15]
A[16]
RESET＃
V
CC
WE＃
A[17]
4 3 2 1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A[14]
A[13]
A[8]
A[9]
A[11]
OE ＃
A[10]
CE＃
DQ[7]
PLCC32
14 15 16 17 18 19 20
DQ[1]
DQ[2]
V
SS
DQ[3]
DQ[4]
DQ[5]
DQ[6]
约定
除非另有说明，一个正逻辑（活性
高）约定假定整个文档
精神疾病，由此存在下，在较高的引脚，则
更多的正电压（标称值为5VDC ）的原因
断言的信号。继A' ＃ '符号
信号的名称，例如， RESET ＃ ，表示该显
最终被认定为低状态（通常为0伏） 。
当一个信号被分成编号
位，例如，DQ [7] ，DQ [6 ]，...， DQ [ 0]中，家庭
位也可以共同地示出，例如，如
DQ [7：0 ] 。
指定0xNNNN （N = 0 ， 1，2， 。 。 。 ， 9 ，A 。
。 。 ， E， F）表示数表示在六 -
十进制格式。指定0bXXXX indi-
凯茨一个数来表示二进制表示法（x =
0, 1).
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HY29F002T
信号说明
名字
A[17:0]
DQ [7：0 ]
权证＃
TYPE
描述
地址，高电平有效。
这些18输入选择262,144一（ 256K ）
输入
该阵列的读或写操作中的字节。 A [ 17 ]的MSB和A [ 0]
LSB的。
输入/输出
数据总线，高电平有效
。这些引脚提供一个8位的数据路径，读取和
三州
写操作。
芯片使能，低电平有效。
该输入必须置读取数据或
输入
WRI TE数据的HY29F002T 。当GH嗨，数据总线I S三-stated和
装置被置于待机模式。
输出使能，低电平有效
。这个输入必须置为读操作
输入
和否定的写操作。当从设备的高，数据输出
残疾人和数据总线引脚被置于高阻抗状态。
W R ITE简体A，B文件，一个C TIV é 1。·瓦特
C 0 ntro LS WRI TI NG ofco MMA届sorco MMA次
输入
SE Q UE NCE中ER RD为P RO克RA MDA TA orpe RFO RM澳索岭TI 纳秒。一个WRI TE
操作发生时， WE＃为有效，而CE＃为低和OE ＃为高电平。
hardw是复位，低电平有效。
提供复位的硬件方法
HY29F002T到读阵列状态。当设备被立即复位，它
输入
终止正在进行的任何操作。数据总线为三态，所有的读/写
命令会被忽略，而输入为有效。当RESET ＃是断言，
该设备将处于待机模式。
5伏（标称值）的电源。
--
--
POW ER和信号地。
OE ＃
WE＃
RESET＃
V
CC
V
SS
存储器阵列组织
256 Kbyte闪存阵列是由
成七块称为
扇区
(S0, S1, . . . ,
骤S6）。一个扇区是可以的最小单位
擦除和可被保护，以防止
意外或未经授权的删除。看到“巴士
操作'和'命令定义“部分
本文对这些额外信息
功能。
表1. HY29F002T内存阵列组织
扇形
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
SIZ ê
（千字节）
64
64
64
32
8
8
16
扇区地址
在HY29F002T ，四个行业，其中的COM
奖品
引导块，
大小不等，从8到32
千字节，而其余三个行业是
在64字节大小均匀。在该装置中，所述
引导块位于所述地址的顶部
范围内。
表1定义了扇区地址和corre-
应的地址范围为HY29F002T 。
地址范围
A[14]
X
X
X
X
0
0
1
A[13]
X
X
X
X
0
1
X
0x00000 - 0x0FFFF
0x10000处 - 0x1FFFF
地址0x20000 - 0x2FFFF
0x30000 - 0x37FFF
0x38000 - 0x39FFF
0x3A000 - 0x3BFFF
0x3C000 - 0x3FFFF
A[17]
0
0
1
1
1
1
1
A[16]
0
1
0
1
1
1
1
A[15]
X
X
X
0
1
1
1
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修订版4.1 / 5月1日
HY29F002T
表2. HY29F002T普通公交车运营
1
手术
读
写
输出禁用
CE＃ TTL待机
CE＃ CMOS待机
硬件复位（ TTL待机）
硬件复位（ CMOS待机）
CE＃
L
L
L
H
V
CC
± 0.5V
X
X
OE ＃
L
H
H
X
X
X
X
WE＃
H
L
H
X
X
X
X
RESET ＃
H
H
H
H
V
CC
± 0.5V
L
V
SS
± 0.5V
A[17:0]
A
IN
A
IN
X
X
X
X
X
DQ [7：0 ]
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
注意事项：
1. L = V
IL
，H = V
IH
， X =无所谓，D
OUT
=数据输出，D
IN
=数据输入。见DC特性的电压等级。
巴士业务
设备总线操作是通过启动
内部命令寄存器，它由套
存储的命令，连同锁存器
地址和数据信息，如果有的话，需要
执行特定命令。命令
注册本身并不占用任何寻址
存储器位置。该命令的内容
寄存器作为输入，内部状态马
折角的输出控制的操作
装置。表2列出了公交车的正常运营，
的输入，并且它们需要控制的水平，并且
结果输出。某些总线操作要求
高电压上的一个或多个管脚。那些
在表3中描述。
读操作
数据从HY29F002T通过使用标读
准微处理器读周期，同时把
的字节的地址被读取关于设备的
地址输入， A [ 17 ： 0 ] 。如表2所示，该
主机系统必须驱动CE ＃和OE ＃输入
低和驱动WE＃高一个有效的读操作
化发生。该器件输出的试样
上的DQ田间阵列数据[7：0 ] 。
该HY29F002T被读取自动设置
之后，设备上电和后硬阵列数据
器复位，以确保没有虚假改造
电源转录过程中发生了存储器内容
习得。没有命令是必要的，此模式
获取数组数据，以及设备保持启用
对于读访问，直到该命令寄存器可
帐篷被改变。
该器件具有擦除挂起模式。
在此模式下，主机可以读出的数组
修订版4.1 / 5月1日
从数据或程序数据转换成的任何扇区
未标记为删除的记忆。如果主机
试图从一个地址的即先擦内读
悬挂方面，或在设备perform-
荷兰国际集团擦除或字节编程，单片机
副输出状态数据，而不是阵列的数据。后
在完成编程操作中的擦除
暂停模式中，系统可以再次读
用相同的例外阵列数据如上所述。
在完成内部程序或内部后
擦除算法，该HY29F002T自动重新
轮流读阵列数据模式。
主机必须发出硬件复位或软
洁具复位命令（参见命令定义）
到扇区返回到读阵列数据模式，如果
DQ [5]云在节目高或擦除周期，
或将设备返回到读阵列数据模式
而它是在电子识别模式。
写操作
某些操作，包括编程数据
和擦除的存储扇区，需要主机
写命令或命令序列的
HY29F002T 。写入到设备中进行
通过将一个字节地址在设备的AD-
裙输入，而将要写入的数据被输入
上的DQ [7：0 ] 。主机系统必须驱动CE＃
和WE ＃引脚为低电平，并推动OE ＃高的一个有效
写操作发生。所有的地址都
锁存WE＃或CE ＃下降沿，而─
后来没发生过。所有的数据被锁存的利培
荷兰国际集团的WE＃或CE ＃ ，先发生者为准边缘。
5
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