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HY29DL162/HY29DL163
16兆位( 2M ×8 / 1M ×16)低电压,
双行,同步读/写闪存
主要特点
n
单电源工作
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
读取,编程和擦除操作
从2.7到3.6 V
非常适合电池供电的应用
同时读/写操作
主机系统可以进行编程或擦除一个
银行同时从任何阅读
部门与零延迟其他银行
读取和写入操作之间
高性能
70和80 ns访问时间与版本
30pF的负载
90和120 ns访问时间与版本
100pF的负载
超低功耗(典型
值)
自动睡眠模式电流: 200 nA的
待机模式电流: 200 nA的
读电流: 10毫安(在5 MHz )
编程/擦除电流: 15毫安
引导块部门架构与39
行业中两家银行的快速的在系统
代码更改
担保行业:一个额外的64字节扇区
可以:
工厂锁定和识别: 16个字节
供安全的,随机出厂
编程的电子序列号
客户可锁定:可以读取,编程
MED ,或擦除就像其他行业
灵活的部门架构
扇区保护允许的锁定
一个或多个扇区,以防止程序或
该部门擦除操作
临时机构撤消允许
改变锁业(要求高
电压RESET #引脚)
自动擦除算法擦除任何
部门的组合或整个芯片
自动程序算法和写入
在指定地址的数据验证
符合通用闪存
接口( CFI )规格
每个部门最少10万次擦写循环
(1,000,000次典型)
兼容JEDEC标准
脚分布和软件兼容
单电源闪存器件
高级无意写保护
n
数据#查询和翻转位
n
n
n
n
n
n
提供完成软件确认
编程或擦除操作
就绪/忙#引脚
提供硬件确认
编程或擦除操作完成
擦除挂起
暂停擦除操作,使
编程数据到或者从读取数据
在同一行的扇区
删除恢复就可以调用来
完成擦除暂停
硬件复位引脚( RESET # )复位
设备读取阵列数据
WP # / ACC输入引脚
写保护( WP # )功能允许
两个最外层的引导硬件保护
行业,无论行业的保护状态
加速( ACC )功能提供
加速计划时间
快速编程和擦除时间
扇区擦除时间: 0.5秒典型
利用字节/字编程时间
加速功能: 10 μs的典型
节省空间的封装
48引脚TSOP和48球FBGA封装
逻辑图
20
A[19:0]
DQ [7:0 ]
7
CE#
OE #
WE#
RESET#
BYTE #
DQ [14: 8]
DQ[15]/A[-1]
WP # / ACC
RY / BY #
8
初步
版本1.3 , 2001年6月
HY29DL162/HY29DL163
概述
该HY29DL162 / HY29DL163 ( HY29DL16x )是一个
16兆位, 3伏的CMOS只闪存奥尔加
的发布的2,097,152 (2M)个字节或1,048,576 (1M)
话。该器件采用48引脚TSOP提供
和48球FBGA封装。字宽数据
( ×16)上出现的DQ [15:0 ]和字节宽的(x8)数据
上出现的DQ [7:0 ] 。
该HY29DL16x闪存阵列是由
成两家银行39扇区。银行1包含
8个8 KB的启动/参数部门和3个或7
较大的64千字节的扇区,每个扇区,取决于
该设备的版本。银行2包含
其余的存储器阵列,组织为28或24的
64千字节扇区:
银行1
HY29DL162
HY29DL163
8× 8KB / 4KW
3× 64KB / 32KW
8× 8KB / 4KW
7× 64KB / 32KW
2银行
28× 64KB / 32KW
24× 64KB / 32KW
器件编程在执行字节/字
一时间通过执行四循环程序的COM
命令写序。这将启动一个内部
算法自动次方案
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。快
编程时间可以通过将实现
在HY29DL16x在解锁绕道模式,
只需要两个写周期编程数据IN-
代替四。
该HY29DL16x的扇区擦除架构允许
任何数量的阵列扇区中的一个或两个银行,
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。设备擦除
通过执行擦除命令启动SE-
quence 。这将启动一个内部算法,
前EX-自动preprograms行业
ecuting擦除操作。由于编程过程中
铭周期,设备会自动倍
擦除脉冲宽度和验证正确的细胞马歇尔
杜松子酒。五金行业组保护方案 -
盟友禁用这两个编程和擦除操作
在扇区基团的任何组合,而
临时机构集团撤消,其重新
张塌塌米一个引脚上的高电压,允许在系统
在以前受保护的擦除和修改代码
行业团体。擦除挂起使用户
把擦除搁置在银行的任何时期
时间来读取数据或程序数据的任何
机构在银行未选择era-
肯定。因此,真正的背景擦除可
实现的。由于HY29DL16x功能Si-所示
multaneous读/写能力,也没有必要
暂停从位于一个扇区读
不含有扇区行标记为era-
肯定。运时,该设备被完全擦除
从工厂。
所需的编程地址和数据
和擦除操作过程中被内部锁存
写周期。主机系统可以检测到完井
化的程序或通过观察擦除操作
该RY / BY #引脚或通过读取DQ [7](数据#
轮询)和DQ [6](切换)的状态位。硬件
数据保护措施,包括低V
CC
DE-
tector自动禁止写操作
在上电期间的过渡。
经过编程或擦除周期一直的COM
pleted ,或者RESET #引脚断言(后
终止任何正在进行的操作) ,该设备
准备读数据或接受其它的COM
R1.3 / 6月01日
该设备的特点是同时读/写OP-
关合作,允许主机系统来调用
编程或擦除在一个银行, im-操作
的治疗中,并同时从读出的数据
其他的银行,除非该银行有任何部门
标记为删除,零延迟。这再
从等待完成租赁系统
程序或擦除操作,从而提高了
系统的整体性能。
该HY29DL16x可以编程和擦除
在系统用一个2.7 - 3.6伏V
CC
供应量。
内部产生,调节电压
提供用于编程和擦除操作,以便
该设备不要求较高的电压V
PP
电源来执行这些功能。 DE-的
副也可以在标准EPROM编程
程序员。存取时间低至70 ns的是
供与零等待时间的兼容性
高速microproces-国家要求
感器。为了消除总线冲突, HY29DL16x
有独立的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
该设备与JEDEC兼容单
电源闪存命令集的标准。 COM的
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写的定时,从那里
它们被路由到一个内部状态机那
控制擦除和编程电路。
2
HY29DL162/HY29DL163
命令。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
担保行业是一个额外的64字节扇区
能够被永久锁定在外交事务委员会
保守党或客户。受保护的标志位
(通过电子识别模式下访问)是perma-
nently设置为1,如果部分厂家锁定,
永久设置为0,如果客户上锁。这
这样,绝不能用顾客的可锁定部件
更换一个工厂锁定部分。工厂锁定
部分提供了几个选项。担保见第
器可以存储一个安全的,随机的16字节的ESN ( Elec-
TRONIC序列号) ,客户代码编程
在出厂时,或者两者兼而有之。客户可锁定部分
可以利用加密扇区作为奖金的空间,
阅读和写作就像任何其他的Flash部门,或
可以永久地锁定自己的代码存在。
在WP # / ACC引脚提供两个功能的访问
系统蒸发散。写保护功能提供了硬件
保护某些引导扇区洁具方法
不使用高电压。该加速功能
化加速编程操作,并且是
主要是为了实现更快的生产
吞吐量。
框图
DQ [15:0 ]
两个省电功能都体现在
HY29DL16x 。当地址已经稳定
对于一个指定的时间量时,器件进入
自动睡眠模式。主机也可以将
设备进入待机模式。功率变
消耗是在这两个模式下大大降低。
通用闪存接口( CFI )
为了使闪存互换和
鼓励采用新的Flash技术,
主要的闪存供应商开发一个灵活,
识别闪存大小IBLE方法
配置中,所有必要的闪存设备
参数直接在设备上存储。
存储的参数包括内存大小,字节/字
配置,行业配置,必要的电压
年龄和时间的信息。这允许一组
软件驱动器的识别和使用的各种
不同,当前和未来的闪存产品。该
标准,它详细介绍了软件界面必要请
埃森访问该设备,以确定它与以
确定它的特点是通用闪存
存储器接口( CFI )规格。该
HY29DL16x完全符合本说明书中。
A[19:0], A[-1]
状态
控制
命令
注册
擦除电压
发生器和
行业SWITCHES
CFI数据。
内存
节目
电压
发电机
y解码器
I / O控制
I / O缓冲器
WE#
CE#
OE #
RESET#
BYTE #
RY / BY #
WP # / ACC
CFI
控制
数据锁存器
地址锁存
Y型GATING
16 MB闪存
内存
ARRAY
( 2银行,
39扇区)
定时器
A[19:0], A[-1]
X解码器
V
CC
探测器
0.5 MB闪存
安全部门
R1.3 / 6月01日
3
HY29DL162/HY29DL163
销刀豆网络gurations
A[15]
A[14]
A[13]
A[12]
A[11]
A[10]
A[9]
A[8]
A[19]
NC
WE#
RESET#
NC
WP # / ACC
RY / BY #
A[18]
A[17]
A[7]
A[6]
A[5]
A[4]
A[3]
A[2]
A[1]
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A[16]
BYTE #
V
SS
DQ[15]/A[-1]
DQ[7]
DQ[14]
DQ[6]
DQ[13]
DQ[5]
DQ[12]
DQ[4]
V
CC
DQ[11]
DQ[3]
DQ[10]
DQ[2]
DQ[9]
DQ[1]
DQ[8]
DQ[0]
OE #
V
SS
CE#
A[0]
TSOP48
48球FBGA (顶视图,球朝下)
A6
A[13]
B6
A[12]
C6
A[14]
D6
A[15]
E6
A[16]
F6
BYTE #
G6
DQ[15]/A[-1]
H6
V
SS
A5
A[9]
B5
A[8]
C5
A[10]
D5
A[11]
E5
DQ[7]
F5
DQ[14]
G5
DQ[13]
H5
DQ[6]
A4
WE#
B4
RESET#
C4
NC
D4
A[19]
E4
DQ[5]
F4
DQ[12]
G4
V
CC
H4
DQ[4]
A3
RY / BY #
B3
WP # / ACC
C3
A[18]
D3
NC
E3
DQ[2]
F3
DQ[10]
G3
DQ[11]
H3
DQ[3]
A2
A[7]
B2
A[17]
C2
A[6]
D2
A[5]
E2
DQ[0]
F2
DQ[8]
G2
DQ[9]
H2
DQ[1]
A1
A[3]
B1
A[4]
C1
A[2]
D1
A[1]
E1
A[0]
F1
CE#
G1
OE #
H1
V
SS
4
R1.3 / 6月01日
HY29DL162/HY29DL163
信号说明
名字
A[19:0]
TYPE
输入
描述
地址,高电平有效。
在文字模式下,这20个输入选择的1,048,576 1
( 1M),用于读或写操作在阵列内的字。在字节模式下,这些
输入结合DQ [ 15 ] / A [-1]输入( LSB)选择的2,097,152 1
( 2M )的阵列的读或写操作中的字节。
DQ[15]/A[-1],
DQ [14 :0]
BY TE #
CE#
数据总线,高电平有效
。在文字模式下,这些引脚提供16位数据通道
输入/输出进行读取和写入操作。在字节模式下, DQ [ 7 : 0 ]提供一个8位数据路径
三州
和DQ [15] / A [-1]用作21位字节的地址输入的LSB 。 DQ [14: 8]
未使用并保持三态字节模式。
输入
输入
字节模式,低电平有效。
控制装置的字节/字的配置。
选择低字节模式下,选择高字模式。
芯片使能,低电平有效。
该输入必须置读取数据或
写数据到HY 29DL16x 。高电平时,数据总线为三态和
装置被置于待机模式。
输出使能,低电平有效
。这个输入必须置为读操作
和否定的写操作。按TE #判定是否一个字节或字
在读操作期间被读出。当从设备的高,数据输出
残疾人和数据总线引脚被置于高阻抗状态。
写使能,低电平有效。
控制,以书面形式命令序列来
节目数据或擦除存储器阵列的扇区。写操作需要
地方瓦特母鸡WE #为ASSER吨ED瓦特往往微不足道CE#为低和OE #为高电平。 BY TE #
确定一个字节或一个字是否在写入操作期间被写入。
硬件复位,低电平有效。
提供复位的硬件方法
HY 29DL16x到读阵列状态。当设备被立即复位,它
终止正在进行的任何操作。数据总线为三态,所有的读/写
命令会被忽略,而输入为有效。当RESET #是断言,
该设备将处于待机模式。
再一个DY /总线圣一吨我们。
我ND IC atesw他T他RAWR它eoreraseco MMA届是在
进展或已经完成。有效后,最后WE#上升沿
脉冲的命令序列组成。余吨仍低水往往微不足道T他的设备是充当结构延续
编程数据或擦除,并且变高,当它准备好读取阵列的数据。
写保护,低电平有效/加速(V
HH
).
WR它ê镨OT ECT功能该离子:配售吨他的脚在V
IL
禁止PR OGR上午ER酶
OPER在两个T ,他8个8 Kbyt E / 4千瓦或D启动教派或S的离子。自动对焦F ECT版
扇区是S0和S1中的底引导设备,或S37和S38,在顶引导
装置。如果该引脚被放置在V
IH
那些TW 部门的保护状态
返回到他们是否最后一集被保护或不受保护的利用
方法在部门组保护和unprotection的章节中描述。
加速功能:如果V
HH
应用于此输入,器件进入解锁
旁路模式,T empor AR随手unpr OT ECT s任何公关OT ECT版教派或s ,并采用T他
引脚上较高的电压,以减少所需的程序操作所需的时间。
该SYST EM瓦特·乌尔德吨母鸡使用T他TW邻周期PR OGR时的命令序列
通过解锁绕道模式所需。删除V
HH
从销返回
设备正常运行。
该引脚必须不能在V
HH
对于操作不是加速程序等,
或德维克ê损害可能 ES ULT 。离开T他脚UNC onnec吨埃德·梅 - [R ES ULT在
不一致的设备操作。
3伏(标称值)的电源。
电源和信号地。
OE #
输入
WE#
输入
RESET#
输入
RY / BY #
产量
漏极开路
WP # / ACC
输入
V
CC
V
SS
R1.3 / 6月01日
--
--
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    HY29DL163BT-70I
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    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HY29DL163BT-70I
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