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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第244页 > HY29DL163
HY29DL162/HY29DL163
16兆位（ 2M ×8 / 1M ×16）低电压，
双行，同步读/写闪存
主要特点
n
单电源工作
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
读取，编程和擦除操作
从2.7到3.6 V
非常适合电池供电的应用
同时读/写操作
主机系统可以进行编程或擦除一个
银行同时从任何阅读
部门与零延迟其他银行
读取和写入操作之间
高性能
70和80 ns访问时间与版本
30pF的负载
90和120 ns访问时间与版本
100pF的负载
超低功耗（典型
值）
自动睡眠模式电流： 200 nA的
待机模式电流： 200 nA的
读电流： 10毫安（在5 MHz ）
编程/擦除电流： 15毫安
引导块部门架构与39
行业中两家银行的快速的在系统
代码更改
担保行业：一个额外的64字节扇区
可以：
工厂锁定和识别： 16个字节
供安全的，随机出厂
编程的电子序列号
客户可锁定：可以读取，编程
MED ，或擦除就像其他行业
灵活的部门架构
扇区保护允许的锁定
一个或多个扇区，以防止程序或
该部门擦除操作
临时机构撤消允许
改变锁业（要求高
电压RESET ＃引脚）
自动擦除算法擦除任何
部门的组合或整个芯片
自动程序算法和写入
在指定地址的数据验证
符合通用闪存
接口（ CFI ）规格
每个部门最少10万次擦写循环
（1,000,000次典型）
兼容JEDEC标准
脚分布和软件兼容
单电源闪存器件
高级无意写保护
n
数据＃查询和翻转位
n
n
n
n
n
n
提供完成软件确认
编程或擦除操作
就绪/忙＃引脚
提供硬件确认
编程或擦除操作完成
擦除挂起
暂停擦除操作，使
编程数据到或者从读取数据
在同一行的扇区
删除恢复就可以调用来
完成擦除暂停
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）复位
设备读取阵列数据
WP ＃ / ACC输入引脚
写保护（ WP ＃ ）功能允许
两个最外层的引导硬件保护
行业，无论行业的保护状态
加速（ ACC ）功能提供
加速计划时间
快速编程和擦除时间
扇区擦除时间： 0.5秒典型
利用字节/字编程时间
加速功能： 10 μs的典型
节省空间的封装
48引脚TSOP和48球FBGA封装
逻辑图
20
A[19:0]
DQ [7：0 ]
7
CE＃
OE ＃
WE＃
RESET＃
BYTE ＃
DQ [14： 8]
DQ[15]/A[-1]
WP ＃ / ACC
RY / BY ＃
8
初步
版本1.3 ， 2001年6月
HY29DL162/HY29DL163
概述
该HY29DL162 / HY29DL163 （ HY29DL16x ）是一个
16兆位， 3伏的CMOS只闪存奥尔加
的发布的2,097,152 （2M）个字节或1,048,576 （1M）
话。该器件采用48引脚TSOP提供
和48球FBGA封装。字宽数据
（ ×16）上出现的DQ [15：0 ]和字节宽的（x8）数据
上出现的DQ [7：0 ] 。
该HY29DL16x闪存阵列是由
成两家银行39扇区。银行1包含
8个8 KB的启动/参数部门和3个或7
较大的64千字节的扇区，每个扇区，取决于
该设备的版本。银行2包含
其余的存储器阵列，组织为28或24的
64千字节扇区：
银行1
HY29DL162
HY29DL163
8× 8KB / 4KW
3× 64KB / 32KW
8× 8KB / 4KW
7× 64KB / 32KW
2银行
28× 64KB / 32KW
24× 64KB / 32KW
器件编程在执行字节/字
一时间通过执行四循环程序的COM
命令写序。这将启动一个内部
算法自动次方案
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。快
编程时间可以通过将实现
在HY29DL16x在解锁绕道模式，
只需要两个写周期编程数据IN-
代替四。
该HY29DL16x的扇区擦除架构允许
任何数量的阵列扇区中的一个或两个银行，
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。设备擦除
通过执行擦除命令启动SE-
quence 。这将启动一个内部算法，
前EX-自动preprograms行业
ecuting擦除操作。由于编程过程中
铭周期，设备会自动倍
擦除脉冲宽度和验证正确的细胞马歇尔
杜松子酒。五金行业组保护方案 -
盟友禁用这两个编程和擦除操作
在扇区基团的任何组合，而
临时机构集团撤消，其重新
张塌塌米一个引脚上的高电压，允许在系统
在以前受保护的擦除和修改代码
行业团体。擦除挂起使用户
把擦除搁置在银行的任何时期
时间来读取数据或程序数据的任何
机构在银行未选择era-
肯定。因此，真正的背景擦除可
实现的。由于HY29DL16x功能Si-所示
multaneous读/写能力，也没有必要
暂停从位于一个扇区读
不含有扇区行标记为era-
肯定。运时，该设备被完全擦除
从工厂。
所需的编程地址和数据
和擦除操作过程中被内部锁存
写周期。主机系统可以检测到完井
化的程序或通过观察擦除操作
该RY / BY ＃引脚或通过读取DQ [7]（数据＃
轮询）和DQ [6]（切换）的状态位。硬件
数据保护措施，包括低V
CC
DE-
tector自动禁止写操作
在上电期间的过渡。
经过编程或擦除周期一直的COM
pleted ，或者RESET ＃引脚断言（后
终止任何正在进行的操作） ，该设备
准备读数据或接受其它的COM
R1.3 / 6月01日
该设备的特点是同时读/写OP-
关合作，允许主机系统来调用
编程或擦除在一个银行， im-操作
的治疗中，并同时从读出的数据
其他的银行，除非该银行有任何部门
标记为删除，零延迟。这再
从等待完成租赁系统
程序或擦除操作，从而提高了
系统的整体性能。
该HY29DL16x可以编程和擦除
在系统用一个2.7 - 3.6伏V
CC
供应量。
内部产生，调节电压
提供用于编程和擦除操作，以便
该设备不要求较高的电压V
PP
电源来执行这些功能。 DE-的
副也可以在标准EPROM编程
程序员。存取时间低至70 ns的是
供与零等待时间的兼容性
高速microproces-国家要求
感器。为了消除总线冲突， HY29DL16x
有独立的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能
（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
该设备与JEDEC兼容单
电源闪存命令集的标准。 COM的
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写的定时，从那里
它们被路由到一个内部状态机那
控制擦除和编程电路。
2
HY29DL162/HY29DL163
命令。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
担保行业是一个额外的64字节扇区
能够被永久锁定在外交事务委员会
保守党或客户。受保护的标志位
（通过电子识别模式下访问）是perma-
nently设置为1，如果部分厂家锁定，
永久设置为0，如果客户上锁。这
这样，绝不能用顾客的可锁定部件
更换一个工厂锁定部分。工厂锁定
部分提供了几个选项。担保见第
器可以存储一个安全的，随机的16字节的ESN （ Elec-
TRONIC序列号） ，客户代码编程
在出厂时，或者两者兼而有之。客户可锁定部分
可以利用加密扇区作为奖金的空间，
阅读和写作就像任何其他的Flash部门，或
可以永久地锁定自己的代码存在。
在WP ＃ / ACC引脚提供两个功能的访问
系统蒸发散。写保护功能提供了硬件
保护某些引导扇区洁具方法
不使用高电压。该加速功能
化加速编程操作，并且是
主要是为了实现更快的生产
吞吐量。
框图
DQ [15：0 ]
两个省电功能都体现在
HY29DL16x 。当地址已经稳定
对于一个指定的时间量时，器件进入
自动睡眠模式。主机也可以将
设备进入待机模式。功率变
消耗是在这两个模式下大大降低。
通用闪存接口（ CFI ）
为了使闪存互换和
鼓励采用新的Flash技术，
主要的闪存供应商开发一个灵活，
识别闪存大小IBLE方法
配置中，所有必要的闪存设备
参数直接在设备上存储。
存储的参数包括内存大小，字节/字
配置，行业配置，必要的电压
年龄和时间的信息。这允许一组
软件驱动器的识别和使用的各种
不同，当前和未来的闪存产品。该
标准，它详细介绍了软件界面必要请
埃森访问该设备，以确定它与以
确定它的特点是通用闪存
存储器接口（ CFI ）规格。该
HY29DL16x完全符合本说明书中。
A[19:0], A[-1]
状态
控制
命令
注册
擦除电压
发生器和
行业SWITCHES
CFI数据。
内存
节目
电压
发电机
y解码器
I / O控制
I / O缓冲器
WE＃
CE＃
OE ＃
RESET＃
BYTE ＃
RY / BY ＃
WP ＃ / ACC
CFI
控制
数据锁存器
地址锁存
Y型GATING
16 MB闪存
内存
ARRAY
（ 2银行，
39扇区）
定时器
A[19:0], A[-1]
X解码器
V
CC
探测器
0.5 MB闪存
安全部门
R1.3 / 6月01日
3
HY29DL162/HY29DL163
销刀豆网络gurations
A[15]
A[14]
A[13]
A[12]
A[11]
A[10]
A[9]
A[8]
A[19]
NC
WE＃
RESET＃
NC
WP ＃ / ACC
RY / BY ＃
A[18]
A[17]
A[7]
A[6]
A[5]
A[4]
A[3]
A[2]
A[1]
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A[16]
BYTE ＃
V
SS
DQ[15]/A[-1]
DQ[7]
DQ[14]
DQ[6]
DQ[13]
DQ[5]
DQ[12]
DQ[4]
V
CC
DQ[11]
DQ[3]
DQ[10]
DQ[2]
DQ[9]
DQ[1]
DQ[8]
DQ[0]
OE ＃
V
SS
CE＃
A[0]
TSOP48
48球FBGA （顶视图，球朝下）
A6
A[13]
B6
A[12]
C6
A[14]
D6
A[15]
E6
A[16]
F6
BYTE ＃
G6
DQ[15]/A[-1]
H6
V
SS
A5
A[9]
B5
A[8]
C5
A[10]
D5
A[11]
E5
DQ[7]
F5
DQ[14]
G5
DQ[13]
H5
DQ[6]
A4
WE＃
B4
RESET＃
C4
NC
D4
A[19]
E4
DQ[5]
F4
DQ[12]
G4
V
CC
H4
DQ[4]
A3
RY / BY ＃
B3
WP ＃ / ACC
C3
A[18]
D3
NC
E3
DQ[2]
F3
DQ[10]
G3
DQ[11]
H3
DQ[3]
A2
A[7]
B2
A[17]
C2
A[6]
D2
A[5]
E2
DQ[0]
F2
DQ[8]
G2
DQ[9]
H2
DQ[1]
A1
A[3]
B1
A[4]
C1
A[2]
D1
A[1]
E1
A[0]
F1
CE＃
G1
OE ＃
H1
V
SS
4
R1.3 / 6月01日
HY29DL162/HY29DL163
信号说明
名字
A[19:0]
TYPE
输入
描述
地址，高电平有效。
在文字模式下，这20个输入选择的1,048,576 1
（ 1M），用于读或写操作在阵列内的字。在字节模式下，这些
输入结合DQ [ 15 ] / A [-1]输入（ LSB）选择的2,097,152 1
（ 2M ）的阵列的读或写操作中的字节。
DQ[15]/A[-1],
DQ [14 ：0]
BY TE ＃
CE＃
数据总线，高电平有效
。在文字模式下，这些引脚提供16位数据通道
输入/输出进行读取和写入操作。在字节模式下， DQ [ 7 ： 0 ]提供一个8位数据路径
三州
和DQ [15] / A [-1]用作21位字节的地址输入的LSB 。 DQ [14： 8]
未使用并保持三态字节模式。
输入
输入
字节模式，低电平有效。
控制装置的字节/字的配置。
选择低字节模式下，选择高字模式。
芯片使能，低电平有效。
该输入必须置读取数据或
写数据到HY 29DL16x 。高电平时，数据总线为三态和
装置被置于待机模式。
输出使能，低电平有效
。这个输入必须置为读操作
和否定的写操作。按TE ＃判定是否一个字节或字
在读操作期间被读出。当从设备的高，数据输出
残疾人和数据总线引脚被置于高阻抗状态。
写使能，低电平有效。
控制，以书面形式命令序列来
节目数据或擦除存储器阵列的扇区。写操作需要
地方瓦特母鸡WE ＃为ASSER吨ED瓦特往往微不足道CE＃为低和OE ＃为高电平。 BY TE ＃
确定一个字节或一个字是否在写入操作期间被写入。
硬件复位，低电平有效。
提供复位的硬件方法
HY 29DL16x到读阵列状态。当设备被立即复位，它
终止正在进行的任何操作。数据总线为三态，所有的读/写
命令会被忽略，而输入为有效。当RESET ＃是断言，
该设备将处于待机模式。
再一个DY /总线圣一吨我们。
我ND IC atesw他T他RAWR它eoreraseco MMA届是在
进展或已经完成。有效后，最后WE＃上升沿
脉冲的命令序列组成。余吨仍低水往往微不足道T他的设备是充当结构延续
编程数据或擦除，并且变高，当它准备好读取阵列的数据。
写保护，低电平有效/加速（V
HH
).
WR它ê镨OT ECT功能该离子：配售吨他的脚在V
IL
禁止PR OGR上午ER酶
OPER在两个T ，他8个8 Kbyt E / 4千瓦或D启动教派或S的离子。自动对焦F ECT版
扇区是S0和S1中的底引导设备，或S37和S38，在顶引导
装置。如果该引脚被放置在V
IH
那些TW 部门的保护状态
返回到他们是否最后一集被保护或不受保护的利用
方法在部门组保护和unprotection的章节中描述。
加速功能：如果V
HH
应用于此输入，器件进入解锁
旁路模式，T empor AR随手unpr OT ECT s任何公关OT ECT版教派或s ，并采用T他
引脚上较高的电压，以减少所需的程序操作所需的时间。
该SYST EM瓦特·乌尔德吨母鸡使用T他TW邻周期PR OGR时的命令序列
通过解锁绕道模式所需。删除V
HH
从销返回
设备正常运行。
该引脚必须不能在V
HH
对于操作不是加速程序等，
或德维克ê损害可能 ES ULT 。离开T他脚UNC onnec吨埃德·梅 - [R ES ULT在
不一致的设备操作。
3伏（标称值）的电源。
电源和信号地。
OE ＃
输入
WE＃
输入
RESET＃
输入
RY / BY ＃
产量
漏极开路
WP ＃ / ACC
输入
V
CC
V
SS
R1.3 / 6月01日
--
--
5
HY29DL162/HY29DL163
16兆位（ 2M ×8 / 1M ×16）低电压，
双行，同步读/写闪存
主要特点
n
单电源工作
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
读取，编程和擦除操作
从2.7到3.6 V
非常适合电池供电的应用
同时读/写操作
主机系统可以进行编程或擦除一个
银行同时从任何阅读
部门与零延迟其他银行
读取和写入操作之间
高性能
70和80 ns访问时间与版本
30pF的负载
90和120 ns访问时间与版本
100pF的负载
超低功耗（典型
值）
自动睡眠模式电流： 200 nA的
待机模式电流： 200 nA的
读电流： 10毫安（在5 MHz ）
编程/擦除电流： 15毫安
引导块部门架构与39
行业中两家银行的快速的在系统
代码更改
担保行业：一个额外的64字节扇区
可以：
工厂锁定和识别： 16个字节
供安全的，随机出厂
编程的电子序列号
客户可锁定：可以读取，编程
MED ，或擦除就像其他行业
灵活的部门架构
扇区保护允许的锁定
一个或多个扇区，以防止程序或
该部门擦除操作
临时机构撤消允许
改变锁业（要求高
电压RESET ＃引脚）
自动擦除算法擦除任何
部门的组合或整个芯片
自动程序算法和写入
在指定地址的数据验证
符合通用闪存
接口（ CFI ）规格
每个部门最少10万次擦写循环
（1,000,000次典型）
兼容JEDEC标准
脚分布和软件兼容
单电源闪存器件
高级无意写保护
n
数据＃查询和翻转位
n
n
n
n
n
n
提供完成软件确认
编程或擦除操作
就绪/忙＃引脚
提供硬件确认
编程或擦除操作完成
擦除挂起
暂停擦除操作，使
编程数据到或者从读取数据
在同一行的扇区
删除恢复就可以调用来
完成擦除暂停
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）复位
设备读取阵列数据
WP ＃ / ACC输入引脚
写保护（ WP ＃ ）功能允许
两个最外层的引导硬件保护
行业，无论行业的保护状态
加速（ ACC ）功能提供
加速计划时间
快速编程和擦除时间
扇区擦除时间： 0.5秒典型
利用字节/字编程时间
加速功能： 10 μs的典型
节省空间的封装
48引脚TSOP和48球FBGA封装
逻辑图
20
A[19:0]
DQ [7：0 ]
7
CE＃
OE ＃
WE＃
RESET＃
BYTE ＃
DQ [14： 8]
DQ[15]/A[-1]
WP ＃ / ACC
RY / BY ＃
8
初步
版本1.3 ， 2001年6月
HY29DL162/HY29DL163
概述
该HY29DL162 / HY29DL163 （ HY29DL16x ）是一个
16兆位， 3伏的CMOS只闪存奥尔加
的发布的2,097,152 （2M）个字节或1,048,576 （1M）
话。该器件采用48引脚TSOP提供
和48球FBGA封装。字宽数据
（ ×16）上出现的DQ [15：0 ]和字节宽的（x8）数据
上出现的DQ [7：0 ] 。
该HY29DL16x闪存阵列是由
成两家银行39扇区。银行1包含
8个8 KB的启动/参数部门和3个或7
较大的64千字节的扇区，每个扇区，取决于
该设备的版本。银行2包含
其余的存储器阵列，组织为28或24的
64千字节扇区：
银行1
HY29DL162
HY29DL163
8× 8KB / 4KW
3× 64KB / 32KW
8× 8KB / 4KW
7× 64KB / 32KW
2银行
28× 64KB / 32KW
24× 64KB / 32KW
器件编程在执行字节/字
一时间通过执行四循环程序的COM
命令写序。这将启动一个内部
算法自动次方案
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。快
编程时间可以通过将实现
在HY29DL16x在解锁绕道模式，
只需要两个写周期编程数据IN-
代替四。
该HY29DL16x的扇区擦除架构允许
任何数量的阵列扇区中的一个或两个银行，
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。设备擦除
通过执行擦除命令启动SE-
quence 。这将启动一个内部算法，
前EX-自动preprograms行业
ecuting擦除操作。由于编程过程中
铭周期，设备会自动倍
擦除脉冲宽度和验证正确的细胞马歇尔
杜松子酒。五金行业组保护方案 -
盟友禁用这两个编程和擦除操作
在扇区基团的任何组合，而
临时机构集团撤消，其重新
张塌塌米一个引脚上的高电压，允许在系统
在以前受保护的擦除和修改代码
行业团体。擦除挂起使用户
把擦除搁置在银行的任何时期
时间来读取数据或程序数据的任何
机构在银行未选择era-
肯定。因此，真正的背景擦除可
实现的。由于HY29DL16x功能Si-所示
multaneous读/写能力，也没有必要
暂停从位于一个扇区读
不含有扇区行标记为era-
肯定。运时，该设备被完全擦除
从工厂。
所需的编程地址和数据
和擦除操作过程中被内部锁存
写周期。主机系统可以检测到完井
化的程序或通过观察擦除操作
该RY / BY ＃引脚或通过读取DQ [7]（数据＃
轮询）和DQ [6]（切换）的状态位。硬件
数据保护措施，包括低V
CC
DE-
tector自动禁止写操作
在上电期间的过渡。
经过编程或擦除周期一直的COM
pleted ，或者RESET ＃引脚断言（后
终止任何正在进行的操作） ，该设备
准备读数据或接受其它的COM
R1.3 / 6月01日
该设备的特点是同时读/写OP-
关合作，允许主机系统来调用
编程或擦除在一个银行， im-操作
的治疗中，并同时从读出的数据
其他的银行，除非该银行有任何部门
标记为删除，零延迟。这再
从等待完成租赁系统
程序或擦除操作，从而提高了
系统的整体性能。
该HY29DL16x可以编程和擦除
在系统用一个2.7 - 3.6伏V
CC
供应量。
内部产生，调节电压
提供用于编程和擦除操作，以便
该设备不要求较高的电压V
PP
电源来执行这些功能。 DE-的
副也可以在标准EPROM编程
程序员。存取时间低至70 ns的是
供与零等待时间的兼容性
高速microproces-国家要求
感器。为了消除总线冲突， HY29DL16x
有独立的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能
（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
该设备与JEDEC兼容单
电源闪存命令集的标准。 COM的
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写的定时，从那里
它们被路由到一个内部状态机那
控制擦除和编程电路。
2
HY29DL162/HY29DL163
命令。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
担保行业是一个额外的64字节扇区
能够被永久锁定在外交事务委员会
保守党或客户。受保护的标志位
（通过电子识别模式下访问）是perma-
nently设置为1，如果部分厂家锁定，
永久设置为0，如果客户上锁。这
这样，绝不能用顾客的可锁定部件
更换一个工厂锁定部分。工厂锁定
部分提供了几个选项。担保见第
器可以存储一个安全的，随机的16字节的ESN （ Elec-
TRONIC序列号） ，客户代码编程
在出厂时，或者两者兼而有之。客户可锁定部分
可以利用加密扇区作为奖金的空间，
阅读和写作就像任何其他的Flash部门，或
可以永久地锁定自己的代码存在。
在WP ＃ / ACC引脚提供两个功能的访问
系统蒸发散。写保护功能提供了硬件
保护某些引导扇区洁具方法
不使用高电压。该加速功能
化加速编程操作，并且是
主要是为了实现更快的生产
吞吐量。
框图
DQ [15：0 ]
两个省电功能都体现在
HY29DL16x 。当地址已经稳定
对于一个指定的时间量时，器件进入
自动睡眠模式。主机也可以将
设备进入待机模式。功率变
消耗是在这两个模式下大大降低。
通用闪存接口（ CFI ）
为了使闪存互换和
鼓励采用新的Flash技术，
主要的闪存供应商开发一个灵活，
识别闪存大小IBLE方法
配置中，所有必要的闪存设备
参数直接在设备上存储。
存储的参数包括内存大小，字节/字
配置，行业配置，必要的电压
年龄和时间的信息。这允许一组
软件驱动器的识别和使用的各种
不同，当前和未来的闪存产品。该
标准，它详细介绍了软件界面必要请
埃森访问该设备，以确定它与以
确定它的特点是通用闪存
存储器接口（ CFI ）规格。该
HY29DL16x完全符合本说明书中。
A[19:0], A[-1]
状态
控制
命令
注册
擦除电压
发生器和
行业SWITCHES
CFI数据。
内存
节目
电压
发电机
y解码器
I / O控制
I / O缓冲器
WE＃
CE＃
OE ＃
RESET＃
BYTE ＃
RY / BY ＃
WP ＃ / ACC
CFI
控制
数据锁存器
地址锁存
Y型GATING
16 MB闪存
内存
ARRAY
（ 2银行，
39扇区）
定时器
A[19:0], A[-1]
X解码器
V
CC
探测器
0.5 MB闪存
安全部门
R1.3 / 6月01日
3
HY29DL162/HY29DL163
销刀豆网络gurations
A[15]
A[14]
A[13]
A[12]
A[11]
A[10]
A[9]
A[8]
A[19]
NC
WE＃
RESET＃
NC
WP ＃ / ACC
RY / BY ＃
A[18]
A[17]
A[7]
A[6]
A[5]
A[4]
A[3]
A[2]
A[1]
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A[16]
BYTE ＃
V
SS
DQ[15]/A[-1]
DQ[7]
DQ[14]
DQ[6]
DQ[13]
DQ[5]
DQ[12]
DQ[4]
V
CC
DQ[11]
DQ[3]
DQ[10]
DQ[2]
DQ[9]
DQ[1]
DQ[8]
DQ[0]
OE ＃
V
SS
CE＃
A[0]
TSOP48
48球FBGA （顶视图，球朝下）
A6
A[13]
B6
A[12]
C6
A[14]
D6
A[15]
E6
A[16]
F6
BYTE ＃
G6
DQ[15]/A[-1]
H6
V
SS
A5
A[9]
B5
A[8]
C5
A[10]
D5
A[11]
E5
DQ[7]
F5
DQ[14]
G5
DQ[13]
H5
DQ[6]
A4
WE＃
B4
RESET＃
C4
NC
D4
A[19]
E4
DQ[5]
F4
DQ[12]
G4
V
CC
H4
DQ[4]
A3
RY / BY ＃
B3
WP ＃ / ACC
C3
A[18]
D3
NC
E3
DQ[2]
F3
DQ[10]
G3
DQ[11]
H3
DQ[3]
A2
A[7]
B2
A[17]
C2
A[6]
D2
A[5]
E2
DQ[0]
F2
DQ[8]
G2
DQ[9]
H2
DQ[1]
A1
A[3]
B1
A[4]
C1
A[2]
D1
A[1]
E1
A[0]
F1
CE＃
G1
OE ＃
H1
V
SS
4
R1.3 / 6月01日
HY29DL162/HY29DL163
信号说明
名字
A[19:0]
TYPE
输入
描述
地址，高电平有效。
在文字模式下，这20个输入选择的1,048,576 1
（ 1M），用于读或写操作在阵列内的字。在字节模式下，这些
输入结合DQ [ 15 ] / A [-1]输入（ LSB）选择的2,097,152 1
（ 2M ）的阵列的读或写操作中的字节。
DQ[15]/A[-1],
DQ [14 ：0]
BY TE ＃
CE＃
数据总线，高电平有效
。在文字模式下，这些引脚提供16位数据通道
输入/输出进行读取和写入操作。在字节模式下， DQ [ 7 ： 0 ]提供一个8位数据路径
三州
和DQ [15] / A [-1]用作21位字节的地址输入的LSB 。 DQ [14： 8]
未使用并保持三态字节模式。
输入
输入
字节模式，低电平有效。
控制装置的字节/字的配置。
选择低字节模式下，选择高字模式。
芯片使能，低电平有效。
该输入必须置读取数据或
写数据到HY 29DL16x 。高电平时，数据总线为三态和
装置被置于待机模式。
输出使能，低电平有效
。这个输入必须置为读操作
和否定的写操作。按TE ＃判定是否一个字节或字
在读操作期间被读出。当从设备的高，数据输出
残疾人和数据总线引脚被置于高阻抗状态。
写使能，低电平有效。
控制，以书面形式命令序列来
节目数据或擦除存储器阵列的扇区。写操作需要
地方瓦特母鸡WE ＃为ASSER吨ED瓦特往往微不足道CE＃为低和OE ＃为高电平。 BY TE ＃
确定一个字节或一个字是否在写入操作期间被写入。
硬件复位，低电平有效。
提供复位的硬件方法
HY 29DL16x到读阵列状态。当设备被立即复位，它
终止正在进行的任何操作。数据总线为三态，所有的读/写
命令会被忽略，而输入为有效。当RESET ＃是断言，
该设备将处于待机模式。
再一个DY /总线圣一吨我们。
我ND IC atesw他T他RAWR它eoreraseco MMA届是在
进展或已经完成。有效后，最后WE＃上升沿
脉冲的命令序列组成。余吨仍低水往往微不足道T他的设备是充当结构延续
编程数据或擦除，并且变高，当它准备好读取阵列的数据。
写保护，低电平有效/加速（V
HH
).
WR它ê镨OT ECT功能该离子：配售吨他的脚在V
IL
禁止PR OGR上午ER酶
OPER在两个T ，他8个8 Kbyt E / 4千瓦或D启动教派或S的离子。自动对焦F ECT版
扇区是S0和S1中的底引导设备，或S37和S38，在顶引导
装置。如果该引脚被放置在V
IH
那些TW 部门的保护状态
返回到他们是否最后一集被保护或不受保护的利用
方法在部门组保护和unprotection的章节中描述。
加速功能：如果V
HH
应用于此输入，器件进入解锁
旁路模式，T empor AR随手unpr OT ECT s任何公关OT ECT版教派或s ，并采用T他
引脚上较高的电压，以减少所需的程序操作所需的时间。
该SYST EM瓦特·乌尔德吨母鸡使用T他TW邻周期PR OGR时的命令序列
通过解锁绕道模式所需。删除V
HH
从销返回
设备正常运行。
该引脚必须不能在V
HH
对于操作不是加速程序等，
或德维克ê损害可能 ES ULT 。离开T他脚UNC onnec吨埃德·梅 - [R ES ULT在
不一致的设备操作。
3伏（标称值）的电源。
电源和信号地。
OE ＃
输入
WE＃
输入
RESET＃
输入
RY / BY ＃
产量
漏极开路
WP ＃ / ACC
输入
V
CC
V
SS
R1.3 / 6月01日
--
--
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