【HY27SS （ 08/16 ） 121M系列HY27US （ 08/16 ） 121M系列512M】,IC型号HY27US08121M,HY27US08121M PDF资料,HY27US08121M经销商,ic,电子元器件-51电子网

HY27SS （ 08/16 ） 121M系列

HY27US （ 08/16 ） 121M系列

512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存

文档标题

512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存

修订历史

号

0.0

0.1

0.2

0.3

最初的草案

重建产品组

使PKG信息的决定

追加1.8V操作产品数据表

1 ）添加勘误

TWC

规范

0.4

宽松价值

亿千瓦时

TWP

TRC

tREH定义

激进党

TREA @ ID读

Mar.28.2004

初步

历史

草案日期

Sep.17.2003

Oct.07.2003

Nov.08.2003

Dec.01.2003

备注

初步

2 ）修改设备操作的说明

- / CE不在乎启用（禁用） ->顺序行读残疾人

（启用）（第20页）

3 ）加入系统接口的描述使用CE不在乎

(Page37)

1 ）删除勘误表

2 ）变化特征（ 3V产品）

0.5

TCRY

前

后

60 + TR

70 + TR

TREA @ ID读

六月01. 2004年

初步

3）删除缓存计划

0.6

1 ）改变TSOP1 ， WSOP1 ， FBGA封装尺寸

2 ）编辑TSOP1 ， WSOP1数据包

3 ）改变FBGA封装图

10月20日2004年

这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士不承担任何责任

使用电路的说明。没有专利许可。

修订版0.6 / 2004年10月

HY27SS （ 08/16 ） 121M系列

HY27US （ 08/16 ） 121M系列

512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存

功能摘要

高密度NAND闪存

- 成本效益的解决方案，为大容量存储的应用

快速块擦除

- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）

NAND接口

- x8或x16总线宽度。

- 复用的地址/数据

- 适用于所有密度引脚兼容

状态寄存器

电子签名

电源电压

顺序行读取选项

： HY27USXX121M

- 3.3V器件： VCC = 2.7 3.6V

- 1.8V器件： VCC = 1.7 1.95V ： HY27SSXX121M

自动翻页0阅读POWER- UP

选项

- 从NAND引导支持

- 自动记忆下载

存储单元阵列

- 528Mbit = 528字节× 32页X 4096块

序列号选项

硬件数据保护

- 在电源转换编程/擦除锁定

PAGE SIZE

- X8装置：（ 512 + 16备用）字节

： HY27 （ U / S） S08121M

- X16设备：（ 256 + 8备用）词

： HY27 （ U / S） S16121M

数据完整性

- 100,000编程/擦除周期

- 10年的数据保留

BLOCK SIZE

- X8设备：（ 16K + 512备用）字节

- X16设备：（ 8K + 256备用）词

包

- HY27US （ 08/16 ） 121M -T （ P）

： 48引脚TSOP1 （ 12 ×20 ×1.2 MM）

- HY27US （ 08/16 ） 121M -T （铅）

- HY27US （ 08/16 ） 121M -TP （无铅）

- HY27US08121M -V （ P）

： 48引脚WSOP1 （ 12 ×17× 0.7mm）的

- HY27US08121M -V （主承销商）

- HY27US08121M -VP （无铅）

- HY27 （ U / S） S（ 08/16 ） 121M -F （ P）

： 63球FBGA （ 8.5 ×15 ×1.2 MM）

- HY27US （ 08/16 ） 121M -F （主承销商）

- HY27US （ 08/16 ） 121M -FP （无铅）

- HY27SS （ 08/16 ） 121M -F （主承销商）

- HY27SS （ 08/16 ） 121M -FP （无铅）

PAGE读取/编程

- 随机访问： 12us （最大值）

- 顺序存取：为50ns （分钟）

- 页编程时间： 200us的（典型值）

复制回编程模式

- 快速页复印，无需外部缓冲

这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士不承担任何责任

使用电路的说明。没有专利许可。

修订版0.6 / 2004年10月

HY27SS （ 08/16 ） 121M系列

HY27US （ 08/16 ） 121M系列

512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存

描述

海力士HY27 （ U / S） SXX121M系列是一个家庭的使用NAND单元技术的非易失性闪存。该

器件工作3.3V和1.8V电源电压。一个页面的大小可以是528字节（ 512 + 16备用）或264字

（256 + 8备用），这取决于该设备是否具有x8或x16总线宽度。

地址线被上多路复用x8或x16输入/输出总线复用的数据输入/输出信号。

此接口减少了引脚数，并有可能迁移到其它密度而不改变足迹。

每个模块进行编程和擦除超过10万次。延长NAND闪存器件的寿命是

强烈建议执行错误修正码（ ECC ）。一个写保护引脚可用来提供一个硬

洁具防止编程和擦除操作。

这些器件可用于识别一个开漏就绪/忙输出，如果编程/擦除/读（ PER ）

控制器是目前活跃。采用漏极开路输出允许的Ready / Busy引脚数从回忆

被连接到一个单一的上拉电阻。

副本返回命令可优化缺陷块的管理。当页面编程操作

出现故障时，数据可以在另一页面，而无需重新发送到被编程的数据进行编程。

该器件可在下列包：

48-TSOP1

（12 ×20× 1.2毫米）

- 48 - WSOP1

（ 12 ×17× 0.7mm）的

- 63 - FBGA

（ 8.5 ×15 ×1.2毫米， 6× 8球阵列， 0.8mm间距）

有三个选项可用于NAND闪存系列：

- 自动页面0读在掉电后，它允许单片机直接从下载启动代码

第0页。

- 芯片使能不在乎，这使得代码可以直接下载一个微控制器，为芯片使能转换

在等待时间不停止读操作。

- 一个序列号，它允许每个设备被唯一标识。序列号的选项是受保密协议

（保密协议），因此在数据表中没有描述。有关此选项的更多详细信息，请联系您的近

美国东部时间HYNIX销售办事处。

设备出厂带座0总是有效和存储内容的位，在有效的块，擦除

'1'.

修订版0.6 / 2004年10月

HY27SS （ 08/16 ） 121M系列

HY27US （ 08/16 ） 121M系列

512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存

VCC

I / O

8-15

I / O8 -I / O15 ， X16

数据输入/输出，适用于x16的设备

数据输入/输出，输入地址，或COM的

命令输入的x8和x16设备

地址锁存使能

命令锁存使能

芯片使能

读使能

读/忙（漏极开路输出）

写使能

写保护

电源电压

地

在内部没有连接

不要使用

I / O

0-7

ALE

CLE

I / O0 -I / O7 ， X8 / X16

CLE

NAND

FL灰

VCC

VSS

图1 ：逻辑图

表1：信号名称

地址

ALE

CLE

命令寄存器

命令

接口

逻辑

P / E / R

控制器

高压

发电机

X解码器

NAND闪存

存储阵列

页面缓存

缓存寄存器

Y译码

I / O缓冲器&

锁存器

I / O0 -I / O7 ， X8 / X16

I / O8 -I / O15 ， X16

图2.逻辑框图

修订版0.6 / 2004年10月

HY27SS （ 08/16 ） 121M系列

HY27US （ 08/16 ） 121M系列

512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存

VCC

VSS

CLE

ALE

NAND闪存

(x8)

I / O 7

I / O 6

I / O 5

I / O 4

VCC

VSS

I / O 3

I / O 2

I / O 1

I / O 0

VCC

VSS

CLE

ALE

NAND闪存

(x16)

VSS

I/O15

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

VCC

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

VSS

图3. 48 TSOP1 Contactions ， x8和x16设备

VCC

VSS

CLE

ALE

NAND闪存

WSOP1

(x8)

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

VCC

VSS

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

图4. 48 WSOP1 Contactions ， X8设备

修订版0.6 / 2004年10月

HY27SS （ 08/16 ） 121M系列

HY27US （ 08/16 ） 121M系列

512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存

文档标题

512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存

修订历史

号

0.0

0.1

0.2

0.3

最初的草案

重建产品组

使PKG信息的决定

追加1.8V操作产品数据表

1 ）添加勘误

TWC

规范

0.4

宽松价值

亿千瓦时

TWP

TRC

tREH定义

激进党

TREA @ ID读

Mar.28.2004

初步

历史

草案日期

Sep.17.2003

Oct.07.2003

Nov.08.2003

Dec.01.2003

备注

初步

2 ）修改设备操作的说明

- / CE不在乎启用（禁用） ->顺序行读残疾人

（启用）（第20页）

3 ）加入系统接口的描述使用CE不在乎

(Page37)

1 ）删除勘误表

2 ）变化特征（ 3V产品）

0.5

TCRY

前

后

60 + TR

70 + TR

TREA @ ID读

六月01. 2004年

初步

3）删除缓存计划

0.6

1 ）改变TSOP1 ， WSOP1 ， FBGA封装尺寸

2 ）编辑TSOP1 ， WSOP1数据包

3 ）改变FBGA封装图

10月20日2004年

这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士不承担任何责任

使用电路的说明。没有专利许可。

修订版0.6 / 2004年10月

HY27SS （ 08/16 ） 121M系列

HY27US （ 08/16 ） 121M系列

512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存

功能摘要

高密度NAND闪存

- 成本效益的解决方案，为大容量存储的应用

快速块擦除

- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）

NAND接口

- x8或x16总线宽度。

- 复用的地址/数据

- 适用于所有密度引脚兼容

状态寄存器

电子签名

电源电压

顺序行读取选项

： HY27USXX121M

- 3.3V器件： VCC = 2.7 3.6V

- 1.8V器件： VCC = 1.7 1.95V ： HY27SSXX121M

自动翻页0阅读POWER- UP

选项

- 从NAND引导支持

- 自动记忆下载

存储单元阵列

- 528Mbit = 528字节× 32页X 4096块

序列号选项

硬件数据保护

- 在电源转换编程/擦除锁定

PAGE SIZE

- X8装置：（ 512 + 16备用）字节

： HY27 （ U / S） S08121M

- X16设备：（ 256 + 8备用）词

： HY27 （ U / S） S16121M

数据完整性

- 100,000编程/擦除周期

- 10年的数据保留

BLOCK SIZE

- X8设备：（ 16K + 512备用）字节

- X16设备：（ 8K + 256备用）词

包

- HY27US （ 08/16 ） 121M -T （ P）

： 48引脚TSOP1 （ 12 ×20 ×1.2 MM）

- HY27US （ 08/16 ） 121M -T （铅）

- HY27US （ 08/16 ） 121M -TP （无铅）

- HY27US08121M -V （ P）

： 48引脚WSOP1 （ 12 ×17× 0.7mm）的

- HY27US08121M -V （主承销商）

- HY27US08121M -VP （无铅）

- HY27 （ U / S） S（ 08/16 ） 121M -F （ P）

： 63球FBGA （ 8.5 ×15 ×1.2 MM）

- HY27US （ 08/16 ） 121M -F （主承销商）

- HY27US （ 08/16 ） 121M -FP （无铅）

- HY27SS （ 08/16 ） 121M -F （主承销商）

- HY27SS （ 08/16 ） 121M -FP （无铅）

PAGE读取/编程

- 随机访问： 12us （最大值）

- 顺序存取：为50ns （分钟）

- 页编程时间： 200us的（典型值）

复制回编程模式

- 快速页复印，无需外部缓冲

这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士不承担任何责任

使用电路的说明。没有专利许可。

修订版0.6 / 2004年10月

HY27SS （ 08/16 ） 121M系列

HY27US （ 08/16 ） 121M系列

512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存

描述

海力士HY27 （ U / S） SXX121M系列是一个家庭的使用NAND单元技术的非易失性闪存。该

器件工作3.3V和1.8V电源电压。一个页面的大小可以是528字节（ 512 + 16备用）或264字

（256 + 8备用），这取决于该设备是否具有x8或x16总线宽度。

地址线被上多路复用x8或x16输入/输出总线复用的数据输入/输出信号。

此接口减少了引脚数，并有可能迁移到其它密度而不改变足迹。

每个模块进行编程和擦除超过10万次。延长NAND闪存器件的寿命是

强烈建议执行错误修正码（ ECC ）。一个写保护引脚可用来提供一个硬

洁具防止编程和擦除操作。

这些器件可用于识别一个开漏就绪/忙输出，如果编程/擦除/读（ PER ）

控制器是目前活跃。采用漏极开路输出允许的Ready / Busy引脚数从回忆

被连接到一个单一的上拉电阻。

副本返回命令可优化缺陷块的管理。当页面编程操作

出现故障时，数据可以在另一页面，而无需重新发送到被编程的数据进行编程。

该器件可在下列包：

48-TSOP1

（12 ×20× 1.2毫米）

- 48 - WSOP1

（ 12 ×17× 0.7mm）的

- 63 - FBGA

（ 8.5 ×15 ×1.2毫米， 6× 8球阵列， 0.8mm间距）

有三个选项可用于NAND闪存系列：

- 自动页面0读在掉电后，它允许单片机直接从下载启动代码

第0页。

- 芯片使能不在乎，这使得代码可以直接下载一个微控制器，为芯片使能转换

在等待时间不停止读操作。

- 一个序列号，它允许每个设备被唯一标识。序列号的选项是受保密协议

（保密协议），因此在数据表中没有描述。有关此选项的更多详细信息，请联系您的近

美国东部时间HYNIX销售办事处。

设备出厂带座0总是有效和存储内容的位，在有效的块，擦除

'1'.

修订版0.6 / 2004年10月

HY27SS （ 08/16 ） 121M系列

HY27US （ 08/16 ） 121M系列

512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存

VCC

I / O

8-15

I / O8 -I / O15 ， X16

数据输入/输出，适用于x16的设备

数据输入/输出，输入地址，或COM的

命令输入的x8和x16设备

地址锁存使能

命令锁存使能

芯片使能

读使能

读/忙（漏极开路输出）

写使能

写保护

电源电压

地

在内部没有连接

不要使用

I / O

0-7

ALE

CLE

I / O0 -I / O7 ， X8 / X16

CLE

NAND

FL灰

VCC

VSS

图1 ：逻辑图

表1：信号名称

地址

ALE

CLE

命令寄存器

命令

接口

逻辑

P / E / R

控制器

高压

发电机

X解码器

NAND闪存

存储阵列

页面缓存

缓存寄存器

Y译码

I / O缓冲器&

锁存器

I / O0 -I / O7 ， X8 / X16

I / O8 -I / O15 ， X16

图2.逻辑框图

修订版0.6 / 2004年10月

HY27SS （ 08/16 ） 121M系列

HY27US （ 08/16 ） 121M系列

512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存

VCC

VSS

CLE

ALE

NAND闪存

(x8)

I / O 7

I / O 6

I / O 5

I / O 4

VCC

VSS

I / O 3

I / O 2

I / O 1

I / O 0

VCC

VSS

CLE

ALE

NAND闪存

(x16)

VSS

I/O15

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

VCC

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

VSS

图3. 48 TSOP1 Contactions ， x8和x16设备

VCC

VSS

CLE

ALE

NAND闪存

WSOP1

(x8)

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

VCC

VSS

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

图4. 48 WSOP1 Contactions ， X8设备

修订版0.6 / 2004年10月