HY27US （ 08/16 ） 121A系列
HY27SS （ 08/16 ） 121A系列
512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存
文档标题
512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存
修订历史
调整
号
0.0
最初的草案。
历史
草案日期
2004年9月
备注
初步
0.1
1 ）正确的零件号（更改模式）
- 2A 1A -> （顺序排写着：禁止->启用）
2 ）正确Table.5 &表12
- 正确的命令集
- 正确的交流时序特性（ TWP ： 40 ->为25ns ，雷公藤： 20 ->15ns ）
3 ）正确的摘要说明& page.7
- 缓存功能是在总结说明删除。
10月22日2004年
- 注3将被删除。 （ page.7 ）
4 ）使用CE不在乎（页面添加系统接口。 38 ）
5 ）变更TSOP1 ， WSOP1 ， FBGA封装尺寸&数字。
- 改变TSOP1 ， WSOP1 ， FBGA封装机械数据
- 改变TSOP1 ， WSOP封装的数字
6 ）正确TSOP1 ， WSOP1引脚配置
- 第38届NC表示已更改Lockpre （图2,3 ）
7 ）加入坏块管理
1） LOCKPRE改变为PRE
- 文本，表格和数字，被改变。
2 ）修改命令集
- 读A ，B更改为是Read1 。
- 读取C变化到Read2则。
3 ）改变AC， DC特性的影响
初步
0.2
- TRB ， tCRY ， tCEH和TOH加入。
4 ）正确的程序时间（最大值）
- 前： 700us
- 后
： 500US
5 ）编辑数字
- 地址名称更改。
6 ）改变FBGA封装尺寸
- FD1 ： 1.70 （前） -> 0.90 （后）
三月08. 2005年初步
修订版1.3 / 2006年6月
1
HY27US （ 08/16 ） 121A系列
HY27SS （ 08/16 ） 121A系列
512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存
修订历史
调整
号
历史
1 ）改变AC特性（ 1.8V器件）
TRC
前
后
50
60
激进党
25
40
tREH定义
15
20
TWC
50
60
TWP
25
40
亿千瓦时
15
20
TREA
30
40
- 续
草案日期
备注
2 ）改变AC参数
0.3
前
后
tCRY(3.3V)
50+tr(R/B#)
60+tr(R/B#)
tCRY(1.8V)
50+tr(R/B#)
80+tr(R/B#)
TOH
15
10
七月08 2005
初步
3 ）变更图20,22
4 ）添加读取ID表
5 ）变更PAD配置
- GND改变为VSS。
6 ）添加标识信息
1 ）测试条件我
CC1
工作电流进行校正。
tCRY(3.3V)
前
0.4
t
RC
=50ns,
CE＃
V
IL
,
I
OUT
=0mA
t
RC
(1.8V=60ns,
3.3V=50ns)
CE＃
V
IL
,
I
OUT
=0mA
七月15， 2005
初步
后
修订版1.3 / 2006年6月
2
HY27US （ 08/16 ） 121A系列
HY27SS （ 08/16 ） 121A系列
512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存
修订历史
调整
号
历史
1）试验条件进行校正。
测试条件（
I
CC1)
前
测试条件（
I
李，
I
LO
)
VIN = VOUT = 0 3.6V
- 续
草案日期
备注
t
RC
=50ns
,
CE＃
V
IL
,
I
OUT
=
0mA
t
RC
(1.8V=60ns,
3.3V=50ns)
CE＃
V
IL
,
I
OUT
=
0mA
0.5
后
VIN = VOUT = （ 1.8V ， 0至1.95V ）
= （ 3.3V ， 0至3.6V ）
七月20， 2005
初步
2 ）改变VIL参数（最大）
1.8V
前
后
0.2xVcc
0.4
3.3V
0.2xVcc
0.8
1 ）修正测试条件（ DC特性表）
测试条件（
I
李，
I
LO
)
前
VIN = VOUT = （ 1.8V ， 0至1.95V ）
= （ 3.3V ， 0至3.6V ）
VIN = VOUT = 0到Vcc （最大）
0.6
后
七月22， 2005
初步
2 ）改变AC条件表
3 ）加入TWW参数（ TWW = 100ns内，分）
- 文本&数字相加。
- TWW在AC时序特性表增加。
1 ）编辑复制返回编程操作步骤
2 ）使用CE不在乎图编辑系统接口。
3 ）改变AC特性（ 3.3V器件）
0.7
前
后
激进党
30
25
TREA
35
30
八月01. 2005年
初步
4 ）正确的地址周期地图。
1 ）正确的PKG尺寸（ TSOP ， USOP PKG ）
CP
0.8
前
后
0.9
0.050
0.100
十一月07. 2005年
初步
8月29日2005年
初步
1 ）正确USOP的身影。
修订版1.3 / 2006年6月
3
HY27US （ 08/16 ） 121A系列
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修订历史
调整
号
1.0
1.1
1.2
1 ）初步DELET 。
1 ）正确的数字32 。
1 ）添加ECC算法。 （ 1位/ 512字节）
2 ）正确读取ID命名
1 ）改变AC参数
tWHR
- 续
历史
草案日期
十一月08. 2005年
二月06. 2006年
五月。 09. 2006年
备注
1.3
前
后
60纳秒
50纳秒
六月20， 2006
修订版1.3 / 2006年6月
4
HY27US （ 08/16 ） 121A系列
HY27SS （ 08/16 ） 121A系列
512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存
功能摘要
高密度NAND闪存
- 成本效益的解决方案，为大容量存储的应用
NAND接口
- x8或x16总线宽度。
- 复用的地址/数据
- 适用于所有密度引脚兼容
快速块擦除
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）
状态寄存器
电子签名
- 第一个周期：制造商代码
- 第二个周期：设备代码
电源电压
- 3.3V器件： VCC = 2.7 3.6V
： HY27USXX121A
CHIP ENABLE DO NOT CARE
- 简单的接口与微控制器
自动翻页0阅读POWER- UP选项
- 从NAND引导支持
- 自动记忆下载
序列号选项
硬件数据保护
- 在电源转换编程/擦除锁定
数据完整性
- 100,000编程/擦除周期
（有1位/ 512byte的ECC ）
- 10年的数据保留
包
- HY27 （ U / S） S（ 08/16 ） 121A -T （ P）
： 48引脚TSOP1 （ 12 ×20 ×1.2 MM）
- HY27 （ U / S） S（ 08/16 ） 121A -T （铅）
- HY27 （ U / S） S（ 08/16 ） 121A -TP （无铅）
- HY27 （ U / S） S（ 08/16 ） 121A -S （ P）
： 48引脚USOP1 （ 12 ×17× 0.65毫米）
- HY27 （ U / S） S（ 08/16 ） 121A -S （主承销商）
- HY27 （ U / S） S（ 08/16 ） 121A -SP （无铅）
- HY27 （ U / S） S（ 08/16 ） 121A -F （ P）
： 63球FBGA （ 9 ×11 ×1.0 MM）
- HY27 （ U / S） S（ 08/16 ） 121A -F （主承销商）
- HY27 （ U / S） S（ 08/16 ） 121A -FP （无铅）
- 1.8V器件： VCC = 1.7 1.95V ： HY27SSXX121A
存储单元阵列
= （ 512 + 16 ）字节×32页X 4096块
= （ 256 + 8 ）字× 32页X 4096块
PAGE SIZE
- X8装置： （ 512 + 16备用）字节
： HY27 （ U / S） S08121A
- X16设备： （ 256 + 8备用）词
： HY27 （ U / S） S16121A
BLOCK SIZE
- X8设备： （ 16K + 512备用）字节
- X16设备： （ 8K + 256备用）词
PAGE读取/编程
- 随机访问： 3.3V ： 12us （最大）
1.8V ： 15US （最大）
- 顺序存取： 3.3V器件：为50ns （分钟）
1.8V器件：为60ns （分钟）
- 页编程时间： 200us的（典型值）。
复制回编程模式
- 快速页复印，无需外部缓冲
修订版1.3 / 2006年6月
5
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