【HY27UG088G （ 5 / D）M系列的8GB （ 1Gx8bit ） NAND闪存8GB N】,IC型号HY27UG088G5M,HY27UG088G5M PDF资料,HY27UG088G5M经销商,ic,电子元器件-51电子网

HY27UG088G （ 5 / D）M系列

的8GB （ 1Gx8bit ） NAND闪存

8GB NAND FLASH

HY27UG088G5M

HY27UG088GDM

这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士不承担任何责任

使用电路的说明。没有专利许可。

修订版0.6 / 2006年12月

HY27UG088G （ 5 / D）M系列

的8GB （ 1Gx8bit ） NAND闪存

文档标题

的8GB （ 1Gx8bit ） NAND闪存

修订历史

调整

号

0.0

最初的草案。

1 ）添加HY27UG088G5M & HY27UG088GDM产品。

- 文本&数字相加。

2 ）改变AC特性

前

后

TCLS

0.1

前

后

TAR

TWP

TDS

TREA

TWC

tRHZ

tADL

100

TCHZ

激进党

TCEA

TRC

10月23日2005年

初步

历史

草案日期

九月08. 2005年

备注

初始

3 ）加入tCRRH （ 100纳秒，最小值）

- tCRRH ：缓存读取RE高

4 ）修改第3次读ID

- 第三读取ID改为C1H

- 对设备标识符表第3个字节被添加。

5 ）变更NOP

- 在同一页面部分程序循环数变更为4 。

6 ）删除并发操作。

1 ）改变AC特性

TREA

0.2

前

后

TCEA

TCS

11月16日2005年

初步

修订版0.6 / 2006年12月

HY27UG088G （ 5 / D）M系列

的8GB （ 1Gx8bit ） NAND闪存

修订历史

调整

号

1 ）正确读取ID命名

2 ）添加ECC算法。（ 1位/ 512字节）

3 ）改变有效的块数（最大）

有效的块数

前

后

0.3

8092

8192

六月20， 2006

CC2

典型值

最大

CC3

典型值

最大

初步

- 续

历史

草案日期

备注

4 ）变更NOP

5 ）改变直流特性的影响

CC1

典型值

前

后

最大

6 ）删除TSOP 1CE包装尺寸为&的数字。

0.4

0.5

0.6

1 ）初步删除。

1 ）正确副本回功能。

1 ）删除PRE功能。

2 ）删除锁定&解锁功能。

3）删除自动读取功能。

七月10， 2006

十月02. 2006年

12月26日2006年

修订版0.6 / 2006年12月

HY27UG088G （ 5 / D）M系列

的8GB （ 1Gx8bit ） NAND闪存

功能摘要

高密度NAND闪存

- 成本效益的解决方案，为大容量存储的应用

NAND接口

- X8宽度。

- 复用的地址/数据

- 适用于所有密度引脚兼容

状态寄存器

电子签名

- 第一个周期：制造商代码

- 第二个周期：设备代码

CHIP ENABLE DO NOT CARE

- 简单的接口与微控制器

序列号选项

硬件数据保护

- 在电源转换编程/擦除锁定

数据完整性

- 100,000编程/擦除周期（有1位/ 512byte的ECC ）

- 10年的数据保留

包

- HY27UG088G5M -T （ P）

： 48引脚TSOP1 （ 12 ×20 ×1.2 MM）

- HY27UG088G5M -T （铅）

- HY27UG088G5M -TP （无铅）

- HY27UG088GDM -UP

： 52- ULGA （ 12 ×17× 0.65毫米）

- HY27UG088GDM -DP （无铅）

电源电压

- 3.3V器件： VCC = 2.7 3.6V ： HY27UG088G （ 5 / D）M

存储单元阵列

= （ 2K + 64 ）字节×64页X 8,192块

PAGE SIZE

- X8设备：（ 2K + 64备用）字节

： HY27UG088G （ 5 / D）M

BLOCK SIZE

- X8设备：（ 128K + 4K备用）字节

PAGE读取/编程

- 随机访问： 25US （最大）

- 顺序存取：为30ns （分钟）

- 页编程时间： 200us的（典型值）。

复制回编程模式

- 快速页复印，无需外部缓冲

缓存编程模式

- 内部缓存寄存器改进方案

吞吐量

快速块擦除

- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）

修订版0.6 / 2006年12月

HY27UG088G （ 5 / D）M系列

的8GB （ 1Gx8bit ） NAND闪存

1，概要说明

海力士HY27UG088G （ 5 / D）M系列是1Gx8bit有备用32Mx8位的能力。该器件采用3.3V的Vcc

电源。

它的NAND单元为固态大容量存储市场最具成本效益的解决方案。

所述存储器被划分成可以独立地被擦除，以便能够保持而老的有效数据的块

数据被擦除。

该器件包含8192个块，由64页组成的32系列两个与非连接的结构组成

闪存单元。

程序操作允许写典型为200us 2112字节的页和擦除操作可以执行

一个128K字节（ X8设备）模块典型2ms的。

在页模式下的数据可在每字节30ns的周期时间被读出。在I / O引脚作为地址的端口和

数据输入/输出以及命令输入。该接口允许减少引脚数量和对昼夜温差轻松迁移

同的密度，不占用任何重排。

命令，数据和地址使用CE ， WE ， ALE和CLE输入引脚被同步引进。

片内编程/擦除控制器自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在那里

要求和内部验证和数据的裕度。

改性可以使用WP输入引脚被锁定。

输出引脚; R / B （漏极开路缓冲器）信号的装置的每个操作期间的状态。在多系统

的PLE存储器中的R / B的引脚可以连接在一起，以提供一个全局状态信号。

即使是写密集型系统可以利用HY27UG088G的优势（ 2/5 / D）M扩展的100K亲可靠性

克/提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法擦除周期。

该芯片可提供与CE不在乎功能。此功能允许代码从直接下载

通过微控制器的NAND闪存器件中，由于CE的转变不会停止读操作。

复制回功能使有缺陷的块管理的优化：当页面编程操作失败

该数据可以在不耗费时间序列直接编程在同一阵列部分内的另一页

数据插入阶段。

高速缓存程序功能允许在高速缓存寄存器中的数据的插入，而数据寄存器被复制到

闪存阵列。这种流水线的程序操作时，提高长文件里面写的程序吞吐量

内存。

缓存读取功能也可以实现。此功能允许大幅提高读取吞吐量CON组时，

secutive页面要流出来。

该器件还包括像OTP /唯一ID区域，读取ID2扩展额外的功能。

海力士HY27UG088G （ 5 / D） M系列是48可用 - TSOP1 12 ×20毫米， 52 ULGA 12 ×17毫米。

1.1产品列表

产品型号

HY27UG088G5M

HY27UG088GDM

ORIZATION

VCC范围

2.7V - 3.6伏特

包

48TSOP1

52-ULGA

修订版0.6 / 2006年12月