HY27SS （ 08/16 ） 561M系列
HY27US （ 08/16 ） 561M系列
的256Mbit （ 32Mx8bit / 16Mx16bit ）NAND闪存
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的256Mbit （ 32Mx8bit / 16Mx16bit ）NAND闪存
修订历史
号
0.0
0.1
0.2
最初的草案
重建产品组
追加1.8V操作产品数据表
插入备用启用功能的GND引脚（ ＃ 6 ）
- 如果读或编程， GND引脚的（ ＃ 6 ）应低
或高。
- 更改待机电流参考表13的试验条件。
更改CSP封装的名字&厚度
- 名称： VFBGA -> FBGA
- 厚度： 1.0毫米（最大） -> 1.2毫米（最大）
1 ）删除缓存编程模式
2 ）修改设备操作的说明
- / CE不在乎启用（禁用） ->顺序行读
禁用（启用） （第23页）
1 ）改变尺寸FBGA
:
厚度： 1.2毫米（最大） -> 1.0毫米（最大）
2 ）修改图33的读操作与CE不在乎
1 ）改变TSOP1 ， WSOP1 ， FBGA封装尺寸
0.6
- 改变TSOP1 ， WSOP1 ， FBGA机械数据
- 英寸参数已被排除在机械数据表
1 ）改变TSOP1 ， WSOP1 ， FBGA封装尺寸
2 ）编辑TSOP1 ， WSOP1数据包
3 ）改变FBGA封装图
10月18日2004年
初步
历史
草案日期
七月10， 2003
十二月08 2003
十二月08 2003
备注
初步
初步
初步
0.3
三月08. 2004年
初步
0.4
六月01. 2004年
初步
0.5
九月24， 2004
初步
0.7
10月20日2004年
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士不承担任何责任
使用电路的说明。没有专利许可。
修订版0.7 / 2004年10月
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HY27SS （ 08/16 ） 561M系列
HY27US （ 08/16 ） 561M系列
的256Mbit （ 32Mx8bit / 16Mx16bit ）NAND闪存
功能摘要
高密度NAND闪存
- 成本效益的解决方案，为大容量存储的应用
快速块擦除
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）
NAND接口
- x8或x16总线宽度。
- 复用的地址/数据
- 适用于所有密度引脚兼容
状态寄存器
电子签名
电源电压
CHIP ENABLE DO NOT CARE选项
- 简单的接口与微控制器
- 3.3V器件： VCC = 2.7 3.6V ： HY27USXX561M
- 1.8V器件： VCC = 1.7 1.95V ： HY27SSXX561M
自动翻页0阅读POWER- UP
选项
- 从NAND引导支持
- 自动记忆下载
存储单元阵列
- 的256Mbit = 528字节× 32页X 2048块
序列号选项
PAGE SIZE
- X8装置： （ 512 + 16备用）字节
： HY27US08561M
- X16设备： （ 256 + 8备用）词
： HY27US16561M
硬件数据保护
- 在电源转换编程/擦除锁定
数据完整性
- 100,000编程/擦除周期
- 10年的数据保留
BLOCK SIZE
- X8设备： （ 16K + 512备用）字节
- X16设备： （ 8K + 256备用）词
包
- HY27US （ 08/16 ） 561M -T （ P）
： 48引脚TSOP1 （ 12 ×20 ×1.2 MM）
- HY27US （ 08/16 ） 561M -T （铅）
- HY27US （ 08/16 ） 561M -TP （无铅）
- HY27US08561M -V （ P）
： 48引脚WSOP1 （ 12 ×17× 0.7mm）的
- HY27US08561M -V （主承销商）
- HY27US08561M -VP （无铅）
- HY27 （ U / S） S（ 08/16 ） 561M -F （ P）
： 63球FBGA （ 9.0 ×11 ×1.0 MM）
- HY27US （ 08/16 ） 561M -F （主承销商）
- HY27US （ 08/16 ） 561M -FP （无铅）
- HY27SS （ 08/16 ） 561M -F （主承销商）
- HY27SS （ 08/16 ） 561M -FP （无铅）
PAGE读取/编程
- 随机访问：为10μs （最大值）
- 顺序存取：为50ns （分钟）
- 页编程时间： 200us的（典型值）
复制回编程模式
- 快速页复印，无需外部缓冲
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士不承担任何责任
使用电路的说明。没有专利许可。
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HY27SS （ 08/16 ） 561M系列
HY27US （ 08/16 ） 561M系列
的256Mbit （ 32Mx8bit / 16Mx16bit ）NAND闪存
描述
海力士HY27 （ U / S） SXX561M系列是一种使用NAND单元技术，一个家庭的非易失性闪存。该
器件工作3.3V和1.8V电源电压。一个页面的大小可以是528字节（ 512 + 16备用）或264字
（256 + 8备用），这取决于该设备是否具有x8或x16总线宽度。
地址线被上多路复用x8或x16输入/输出总线复用的数据输入/输出信号。
此接口减少了引脚数，并有可能迁移到其它密度而不改变足迹。
每个模块进行编程和擦除超过10万次。延长NAND闪存器件的寿命是
强烈建议执行错误修正码（ ECC ） 。一个写保护引脚可用来提供一个硬
洁具防止编程和擦除操作。
这些器件可用于识别一个开漏就绪/忙输出，如果编程/擦除/读（ PER ）
控制器是目前活跃。采用漏极开路输出允许的Ready / Busy引脚数从回忆
被连接到一个单一的上拉电阻。
副本返回命令可优化缺陷块的管理。当页面编程操作
出现故障时，数据可以在另一页面，而无需重新发送到被编程的数据进行编程。
该器件可在下列包：
-
48-TSOP1
（12 ×20× 1.2毫米）
- 48 - WSOP1
（ 12 ×17× 0.7mm）的
- 63 - FBGA
（ 9.0 ×11 ×1.0毫米， 6× 8球阵列， 0.8mm间距）
有三个选项可用于NAND闪存系列：
- 自动页面0读在掉电后，它允许单片机直接从下载启动代码
第0页。
- 芯片使能不在乎，这使得代码可以直接下载一个微控制器，为芯片使能转换
在等待时间不停止读操作。
- 一个序列号，它允许每个设备被唯一标识。序列号的选项是受保密协议
（保密协议） ，因此在数据表中没有描述。有关此选项的更多详细信息，请联系您的近
美国东部时间HYNIX销售办事处。
设备出厂带座0总是有效和存储内容的位，在有效的块，擦除
'1'.
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I / O
8-15
VCC
数据输入/输出，适用于x16的设备
数据输入/输出，输入地址，或COM的
命令输入的x8和x16设备
地址锁存使能
命令锁存使能
芯片使能
读使能
读/忙（漏极开路输出）
写使能
写保护
电源电压
地
GND输入备用区启用
在内部没有连接
I / O
0-7
I / O8 -I / O15 ， X16
I / O0 -I / O7 ， X8 / X16
GND
CE
RE
WE
ALE
CLE
WP
ALE
CLE
CE
RE
NAND
FL灰
RB
RB
WE
WP
VCC
VSS
VSS
GND
NC
图1 ：逻辑图
表1：信号名称
地址
注册/计数器
ALE
CLE
WE
CE
WP
RE
命令寄存器
命令
接口
逻辑
P / E / R
控制器
高压
发电机
X解码器
NAND闪存
存储阵列
页面缓存
缓存寄存器
Y译码
I / O缓冲器&
锁存器
RB
I / O0 -I / O7 ， X8 / X16
I / O8 -I / O15 ， X16
图2.逻辑框图
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NC
NC
NC
NC
NC
GND
RB
RE
CE
NC
NC
VCC
VSS
NC
NC
CLE
ALE
WE
WP
NC
NC
NC
NC
NC
1
48
12
13
NAND闪存
(x8)
37
36
24
25
NC
NC
NC
NC
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
NC
NC
NC
VCC
VSS
NC
NC
NC
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
GND
RB
RE
CE
NC
NC
VCC
VSS
NC
NC
CLE
ALE
WE
WP
NC
NC
NC
NC
NC
1
48
12
13
NAND闪存
(x16)
37
36
24
25
VSS
I/O15
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
NC
NC
VCC
NC
NC
NC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
VSS
图3. 48 TSOP1 Contactions ， x8和x16设备
NC
NC
NC
NC
NC
GND
RB
RE
CE
NC
NC
VCC
VSS
NC
NC
CLE
ALE
WE
WP
NC
NC
NC
NC
NC
1
48
12
13
NAND闪存
WSOP1
(x8)
37
36
24
25
NC
NC
NC
NC
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
NC
NC
NC
VCC
VSS
NC
NC
NC
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
NC
NC
NC
NC
图4. 48 WSOP1 Contactions ， X8设备
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