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初步

HY27UF （ 08/16 ） 1G2M系列

HY27SF （ 08/16 ） 1G2M系列

1千兆位（ 128Mx8bit / 64Mx16bit ）NAND闪存

文档标题

1千兆位（ 128Mx8bit / 64Mx16bit ）NAND闪存

修订历史

调整

号

0.0

1 ）初步草案。

1 ）阅读后，正确的顺序图10进行循环

2 ）文本添加到图1 ， Table.1 ， Table.2

- 文： IO15 - IO8 （ X16只）

3 ）删除“ 3.2页的程序注释1 。

- 注意：如果可能的话，最好是删除此约束

4 ）更改文本（第10,13 ， 45 ）

- 2.2地址输入： 28地址-> 27个地址

- 3.7复位：图29图30 ->

- 电源后读5.1自动向上翻页：图30图29 ->

5 ）添加5.3解决方案操作&图34

1 ）改变TSOP ， WSOP ， FBGA封装尺寸&数字。

- 改变TSOP ， WSOP ， FBGA封装机械数据

- 更改FBGA厚度（ 1.2 -> 1.0毫米）

2 ）正确的TSOP ， WSOP引脚配置。

- 第38届NC表示已更改Lockpre （图

3,4)

3 ）编辑图15,19 &表4

4 ）添加坏块管理

5 ）更改设备标识符第3个字节

- 第3个字节的ID被改变。（保留->不在乎）

- 第三字节ID表被删除。

1 ）添加勘误

TCLS

规范

宽松价值

tclh

TWP

TALS

TALH

TDS

TWC

历史

草案日期

2004年8月

备注

初步

0.1

2004年9月

初步

0.2

2004年10月

初步

0.3

0.4

2 ） LOCKPRE更改为PRE 。

- 文本，表格，数字发生变化。

3 ）添加备注4 （ table.14 ）

4 ）块锁定机制被删除。

- 文本，表格，数字将被删除。

5 ）加入应用笔记（电源开/关序列&自动睡眠模式。）

- 文本&数字相加。

6 ）编辑的数字。（＃ 10 25 ）

1 ）改变AC特性（ tREH定义）

前： 20ns的->后： 30ns的

2 ）编辑注1 （第21页）

3 ）编辑应用笔记1,2

4 ）编辑地址周期图（ X8 ， X16 ）

2004年11月29日

初步

2005年1月19日

初步

修订版0.7 / 2005年4月

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修订历史

调整

号

历史

1 ）正确的交流特性（ tREH定义）

前： 30ns的- >后： 20ns的

2 ）添加勘误

例

0.5

规格读取（全部）

RELAXED

价值

以外

ID读

1 ）改变AC特性

TDH

前

0.6

后

2 ）添加tADL参数

- tADL = 100ns的

3 ）正确table.9

1 ）正确的AC时序特性表

- 勘误值eddited 。

- tADL （最大）被改变为tADL （分钟）。

2 ）修改勘误表

- TREA从勘误表中删除

例

前

后

以外

ID读

0.7

阅读（全部）

TRC

激进党

tREH定义

四月06. 2005年

初步

三月09. 2005年

初步

TRC

激进党

tREH定义

TREA

1月25日2005年

初步

- 续 -

草案日期

备注

3 ）编辑引脚说明表

4 ）删除多个模具&堆叠设备的访问

- 文本&表被删除。

5 ）编辑数据保护文本

6 ）添加读取ID表

7 ）加入TOH参数

- TOH = 15ns的（最小）

8 ）添加标识信息

9 ）正确应用注2

- 塔塔咨询服务公司（ 2us的）改变为100ns 。

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HY27SF （ 08/16 ） 1G2M系列

1千兆位（ 128Mx8bit / 64Mx16bit ）NAND闪存

功能摘要

高密度NAND闪存

- 成本效益的解决方案，为大容量存储的应用

NAND接口

- x8或x16总线宽度。

- 复用的地址/数据

- 适用于所有密度引脚兼容

快速块擦除

- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）

状态寄存器

电子签名

- 制造商代码

电源电压

- 3.3V器件： VCC = 2.7 3.6V

- 设备代码

： HY27UFXX1G2M

CHIP ENABLE DO NOT CARE选项

- 简单的接口与微控制器

自动翻页0阅读POWER- UP选项

- 从NAND引导支持

- 自动记忆下载

序列号选项

硬件数据保护

- 在电源转换编程/擦除锁定

数据完整性

- 100,000编程/擦除周期

- 10年的数据保留

包

- HY27 （U / S ）， F（ 08/16 ） 1G2M -T （ P）

： 48引脚TSOP1 （ 12 ×20 ×1.2 MM）

- HY27 （U / S ）， F（ 08/16 ） 1G2M -T （铅）

- HY27 （U / S ）， F（ 08/16 ） 1G2M -TP （无铅）

- HY27 （U / S ）， F（ 08/16 ） 1G2M -V （ P）

： 48引脚WSOP1 （ 12 ×17× 0.7mm）的

- HY27 （U / S ）， F（ 08/16 ） 1G2M -V （主承销商）

- HY27 （U / S ）， F（ 08/16 ） 1G2M -VP （无铅）

- HY27 （U / S ）， F（ 08/16 ） 1G2M -F （ P）

： 63球FBGA （ 9.5 ×12 ×1.0 MM）

- HY27 （U / S ）， F（ 08/16 ） 1G2M -F （主承销商）

- HY27 （U / S ）， F（ 08/16 ） 1G2M -FP （无铅）

- 1.8V器件： VCC = 1.7 1.95V ： HY27SFXX1G2M

存储单元阵列

= （ 2K + 64 ）字节×64页×1024块

= （ 1K + 32 ）字× 64页×1024块

PAGE SIZE

- X8设备：（ 2K + 64备用）字节

： HY27 （ U / S） F081G2M

- X16设备：（ 1K + 32备用）词

： HY27 （ U / S） F161G2M

BLOCK SIZE

- X8设备：（ 128K + 4K备用）字节

- X16设备：（ 64K + 2K备用）词

PAGE读取/编程

- 随机访问： 27us

(1)

（ MAX 。）

- 顺序访问： 60ns的

(1)

（分）

- 页编程时间： 300US （典型值）。

复制回编程模式

- 快速页复印，无需外部缓冲

缓存编程模式

- 内部缓存寄存器改进方案

吞吐量

注意：

1.这些参数应用到勘误表。

修订版0.7 / 2005年4月

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1千兆位（ 128Mx8bit / 64Mx16bit ）NAND闪存

1，概要说明

海力士HY27 （U / S ）， F（ 08/16 ） 1G2M系列是128Mx8bit有备用4Mx8位的能力。该器件采用1.8V

VCC电源和3.3V VCC电源。

它的NAND单元为固态大容量存储市场最具成本效益的解决方案。

所述存储器被划分成可以独立地被擦除，以便能够保持而老的有效数据的块

数据被擦除。

该器件包含1024块，由64页组成的32系列两个与非连接的结构组成

闪存单元。

程序操作允许写典型300US的2112字节的页和擦除操作可以执行

一个128K字节（ X8设备）模块典型2ms的。

在页模式中的数据可以被读出，在60ns的

(1)

每个字的周期时间。在I / O引脚作为地址的端口和

数据输入/输出以及命令输入。该接口允许减少引脚数量和对昼夜温差轻松迁移

同的密度，不占用任何重排。

命令，数据和地址使用CE ＃， WE＃， ALE和CLE输入引脚被同步引进。

片内编程/擦除控制器自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在那里

要求和内部验证和数据的裕度。

改性可以使用WP ＃输入引脚被锁定。

输出引脚的RB ＃（漏极开路输出缓冲器）的信号的设备的状态，每个操作过程。在mul-系统

tiple存储器的RB＃引脚可以连接在一起，以提供一个全局状态信号。

即使是写密集型系统可以采取HY27 （ U / S） F（ 08/16 ） 1G2M延长100K亲可靠性的优势

克/提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法擦除周期。

可选的芯片可提供与CE ＃不在乎功能。此选项允许的直接下载

由微控制器的NAND闪存器件的代码，因为CE＃转换不会停止读操作

化。

复制回功能使有缺陷的块管理的优化：当页面编程操作失败

该数据可以在不耗费时间序列直接编程在同一阵列部分内的另一页

数据插入阶段。

高速缓存程序功能允许在高速缓存寄存器中的数据的插入，而数据寄存器被复制到

闪存阵列。这种流水线的程序操作时，提高长文件里面写的程序吞吐量

内存。

缓存读取功能也可以实现。此功能允许大幅提高读取吞吐量CON组时，

secutive页面要流出来。

该器件还包括像OTP /唯一ID区域，自动读取上电时，读取ID2扩展额外的功能。

海力士HY27 （U / S ）， F（ 08/16 ） 1G2M系列48可用 - TSOP1 12 ×20毫米， 48 - WSOP1 12 ×17毫米，

FBGA 9.5 ×12毫米。

1.1产品列表

产品型号

HY27SF081G2M

HY27SF161G2M

HY27UF081G2M

HY27UF161G2M

ORIZATION

x16

VCC范围

1.70 - 1.95伏

63FBGA / 48TSOP1 / 48WSOP1

2.7V - 3.6伏特

包

注意：

1.此参数应用到勘误。

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图1 ：逻辑图

IO15 - IO8

IO7 - IO0

CLE

ALE

CE＃

RE ＃

WE＃

WP ＃

RB ＃

VCC

VSS

PRE

数据输入/输出（ X16只）

数据输入/输出

命令锁存使能

地址锁存使能

芯片使能

读使能

写使能

写保护

READY / BUSY

电源

地

无连接

上电读使能

表1 ：信号名称

修订版0.7 / 2005年4月