军事&空间产品
32K ×8 ROM - SOI
特点
辐射
与RICMOS捏造
四，绝缘体上硅
（SOI） 0.75
m
过程（L
EFF
= 0.6
m)
总剂量硬度通过1×10
6
RAD （SIO
2
)
典型工作功耗<15毫瓦/兆赫
动态和静态瞬态翻转
通过1×10的硬度
9
RAD （SI ） / S
剂量率生存能力通过1×10
11
RAD （SI ） / S
中子通过硬度1×10
14
cm
-2
SEU免疫
闭锁免费
异步操作
CMOS或TTL兼容的I / O
采用5 V单
±
10 ％的电力供应
其他
读周期时间
< 17纳秒（典型值）
≤
25纳秒（ -55 125°C ）
HX6656
包装选项
- 28引脚扁平封装（ 0.500英寸x 0.720的。 ）
- 28引脚DIP ， MIL -STD- 1835 ， CDIP2 - T28
- 36引脚扁平封装（ 0.630英寸x 0.650的。 ）
概述
在32K ×8抗辐射ROM是一种高perform-
ANCE 32,768字×8位只读与存储业界
标准功能。它是制作与霍尼韦尔
辐射固化技术，并且被设计用于在
系统在辐射环境中工作。该ROM
工作在整个军用温度范围和重
张塌塌米只采用5 V单
±
10 ％的电力供应。该ROM是
可与TTL或CMOS兼容的I / O 。动力
消费通常小于15毫瓦/兆赫在操作中，
和小于5毫瓦时取消选择。该ROM操作
是完全异步的，有相关的典型接入
14纳秒的时间。
霍尼韦尔增强型SOI RICMOS
IV（辐射Insen-
sitive CMOS）技术是通过辐射硬化
采用先进的和专有的设计，布局和亲
塞斯硬化技术。该RICMOS
第四方法是
5伏， SIMOX CMOS技术具有150埃的栅极氧化
和0.75的最小拉伸特征尺寸
m
(0.6
m
有效栅长-L
EFF
） 。其他功能还包括
通过插头钨，霍尼韦尔的专利SHARP安慰剂
narization过程，和一个轻掺杂漏（ LDD） struc-
TURE以改善短通道的可靠性。
HX6656
工作原理图
A:0-8,12-13
11
ROW
解码器
32,768 x 8
内存
ARRAY
CE
NCS
列解码器
数据O UT UTP
Q :0-7
8
无辰
CS CE OE
（ 0 =高Z）
信号
1 = ENAB主导
#
信号
A:9-11,14
4
所有的控制必须Bé
时使能导致一个信号以
P的屁股。 （ ＃ ：麻木的ER
B uffers ，默认值= 1 ）
信号定义
A: 0-14
Q: 0-7
NCS
地址输入引脚，选择存储阵列中特定8位字。
数据输出引脚。
负芯片选择，在低电平时，允许正常的读操作。当处于高电平的NCS迫使
ROM的预充电状态，保持在高阻抗状态的数据输出驱动器，并禁用所有输入
缓冲区CE除外。如果不使用该信号就必须连接到VSS。
负输出使能，当在较高的水平保持在高阻抗状态的数据输出驱动器。当
处于低电平时，数据输出驱动器的状态由NCS和CE的限定。如果不使用该信号必须是
连接到Vss 。
芯片使能，当在较高的水平，允许正常操作。当处于低电平的CE强制ROM以一
预充电状态，保持在高阻抗状态的数据输出驱动器，并禁用所有的输入缓冲器
除了NCS输入缓冲区。如果不使用这个信号必须将其连接到VDD。
诺埃
CE *
真值表
NCS
L
H
X
CE *
H
X
L
诺埃
L
XX
XX
模式
读
取消
残
Q
数据输出
高Z
高Z
注意事项：
X： VI = VIH或VIL
XX ： VSS≤VI≤VDD
NOE = H：高Z输出状态保持
对于NCS = X ， CE = X
*不采用28引脚DIP或28引脚扁平封装
2
HX6656
辐射特性
总的电离辐射剂量
该ROM将符合规定的所有功能和电气
规格在整个工作温度范围
经过指定的总电离辐射剂量。所有电气
和时序性能参数将保持在
=反弹在VDD后，规格5.5 V和T = 125°C
外推到十多年的经营。总剂量硬度
是有保证的过程监控晶体管的晶圆级测试
使用10千电子伏X射线和钴60器和ROM产品
辐射源。晶体管栅极阈移correla-
系统蒸发散已施加在10keV的X射线之间
剂量为1×10的速度
5
RAD （SIO
2
） / min的在T = 25℃和伽玛
射线（钴60源），以确保晶片级的X射线
测试与标准的军用辐射试验一致
环境。
该ROM将满足任何功能性或电气规范
暴露于辐射脉冲后和灰
≤50
ns的时间
高达1×10
11
RAD （SI ） /秒，当在应用推荐
操作条件。
中子辐射
该ROM将满足任何功能或时序规格
达1×10的总中子注后
14
cm
-2
应用的
在推荐的操作或储存条件。这
假定1兆电子伏特的等效中子能量。
单粒子现象
瞬态脉冲电离辐射
该ROM是能够阅读并保留所存储的数据
中和暴露于瞬态电离辐射后
脉冲
≤1 s
病程可达1×10
9
拉德（硅） /秒，施加时
在推荐的工作条件。为了确保弗吉尼亚州
所有规定的性能参数之前效度，能很好地协同
荷兰国际集团，以及照射后（在转录的定时降解
过性脉冲辐射（期间短暂时间退化
脉冲辐射
≤10%),
有人建议，加强
电容被放置在或封装接近VDD和
VSS时，与包之间的最大电感
（芯片）以及每部分0.7 nH的加固电容。如果
没有工作，通过要求，典型电路
板安装在去耦电容器被推荐。
在ROM中的所有存储元件不受单身
事件扰动。没有访问时间或其他性能deg-
将出现支持让190兆电子伏/平方厘米/毫克radation
2
.
闭锁
该ROM将未闭锁由于上述任何辐射的
在推荐的应用时，曝光条件
操作条件。制作与SIMOX子
施特拉特材料提供相邻的氧化物隔离
PMOS和NMOS晶体管，并消除了任何潜在的
SCR闭锁结构。足够的晶体管体引出CON-
nections到p型和n型沟道衬底制成，以
确保没有源极/漏极折返发生。
辐射硬度值（ 1 ）
参数
总剂量
瞬时剂量率翻转（ 3 ）
瞬时剂量率生存能力（ 3 ）
中子注量
极限（ 2 ）
≥1x10
6
≥1x10
9
≥1x10
11
≥1x10
14
单位
RAD （SIO
2
)
RAD （SI ） / S
RAD （SI ） / S
牛顿/厘米
2
测试条件
T
A
=25°C
脉冲宽度
≤1 s
脉冲宽度
≤50
纳秒， X射线，
VDD = 6.0 V，T
A
=25°C
1兆电子伏的能量相当于，
无偏，T
A
=25°C
（1）设备不会闭锁由于任何指定的辐射照射的条件。
（ 2 ）工作条件（除非另有说明） ： VDD = 4.5 V至5.5 V ， TA = -55 ° C至125°C 。
（ 3 ）不保证使用28引脚DIP封装。
3
HX6656
绝对最大额定值
(1)
等级
符号
VDD
VPIN
Tstore
Tsolder
PD
IOUT
VPROT
参数
正电源电压（ 2 ）
任何引脚电压（ 2 ）
存储温度（零偏）
焊接温度·时间
总计封装功耗（ 3 ）
DC或平均输出电流
ESD输入保护电压（ 4 ）
28 FP / 36 FP
热电阻（ JCT-到案例）
结温
28 DIP
2000
2
10
175
民
-0.5
-0.5
-65
最大
7.0
VDD+0.5
150
2705
2.5
25
单位
V
V
°C
μC的
W
mA
V
° C / W
°C
Θ
JC
TJ
（ 1 ）强调超过上述所列可能导致永久性损坏。这些压力额定值只，和运行在这些级别是不
暗示。经常或长期暴露在绝对最大条件可能会影响器件的可靠性。
（2 ）电压引用到VSS。
（ 3 ） ROM功耗（ IDDSB + IDDOP ）加上ROM驱动器的输出功率耗散由于外部载荷不得超过本规范。
（ 4 ） 2级静电放电（ ESD）保护的输入。按降序认证的实验室按照MIL -STD -883方法3015进行测试。
推荐工作条件
描述
符号
VDD
TA
VPIN
参数
电源电压（参考VSS ）
环境温度
任何引脚电压（参考VSS ）
民
4.5
-55
-0.3
典型值
5.0
25
最大
5.5
125
VDD+0.3
单位
V
°C
V
电容
(1)
符号
CI
CO
参数
输入电容
输出电容
典型
(1)
最坏的情况下
民
最大
7
9
单位
pF
pF
测试条件
VI = VDD和VSS ， F = 1兆赫
VIO = VDD和VSS ， F = 1兆赫
（ 1 ）该参数仅在最初的设计特性进行测试。
4
HX6656
DC电气特性
符号
IDDSB1
参数
静态电源电流
典型的最坏情况
(2)
单位
(1)
民
最大
1.5
1.5
4.0
-1
-1
CMOS
TTL
CMOS
TTL
0.7xV
DD
测试条件
VIH = VDD IO = 0
VIL = VSS输入稳定
NCS = VDD ， IO = 0 ，
F = 40MHz的
F = 1MHz时， IO = 0 ， CE = VIH = VDD
NCS = VIL = VSS
VSS≤VI≤VDD
VSS≤VIO≤VDD
输出=高阻
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
IDDSBMF待机电源电流 - 取消选择
IDDopr
II
IOZ
VIL
动态电源电流，选择
输入漏电流
输出漏电流
低电平输入电压
+1
+1
0.3xV
DD
0.8
VDD = 4.5V
VIH
高电平输入电压
2.2
0.4
0.05
4.2
V
DD
-0.05
VDD = 5.5V
VDD = 4.5V ， IOL = 10毫安
VDD = 4.5V ， IOL = 200
A
VDD = 4.5V ， IOH = -5毫安
VDD = 4.5V ， IOH = -200
A
VOL
低电平输出电压
V
V
V
V
VOH
高电平输出电压
（ 1 ）典型工作条件： VDD = 5.0 V ， TA = 25℃ ，预辐射。
（ 2 ）最坏的情况下，工作条件： VDD = 4.5 V至5.5 V ， -55 ° C至+ 125°C ，后总剂量为25 ℃。
（3）所有的输入开关。直流平均电流。
2.9 V
Vref1
249
DUT
产量
Vref2
+
-
有效的高
产量
+
-
有效的低
产量
CL >50 pF的*
* CL = 5 pF适用于TWLQZ ， TSHQZ ， TELQZ和TGHQZ
测试仪的等效负载电路
5
军事&空间产品
32K ×8 ROM - SOI
特点
辐射
与RICMOS捏造
四，绝缘体上硅
（SOI） 0.75
m
过程（L
EFF
= 0.6
m)
总剂量硬度通过1×10
6
RAD （SIO
2
)
典型工作功耗<15毫瓦/兆赫
动态和静态瞬态翻转
通过1×10的硬度
9
RAD （SI ） / S
剂量率生存能力通过1×10
11
RAD （SI ） / S
中子通过硬度1×10
14
cm
-2
SEU免疫
闭锁免费
异步操作
CMOS或TTL兼容的I / O
采用5 V单
±
10 ％的电力供应
其他
读周期时间
< 17纳秒（典型值）
≤
25纳秒（ -55 125°C ）
HX6656
包装选项
- 28引脚扁平封装（ 0.500英寸x 0.720的。 ）
- 28引脚DIP ， MIL -STD- 1835 ， CDIP2 - T28
- 36引脚扁平封装（ 0.630英寸x 0.650的。 ）
概述
在32K ×8抗辐射ROM是一种高perform-
ANCE 32,768字×8位只读与存储业界
标准功能。它是制作与霍尼韦尔
辐射固化技术，并且被设计用于在
系统在辐射环境中工作。该ROM
工作在整个军用温度范围和重
张塌塌米只采用5 V单
±
10 ％的电力供应。该ROM是
可与TTL或CMOS兼容的I / O 。动力
消费通常小于15毫瓦/兆赫在操作中，
和小于5毫瓦时取消选择。该ROM操作
是完全异步的，有相关的典型接入
14纳秒的时间。
霍尼韦尔增强型SOI RICMOS
IV（辐射Insen-
sitive CMOS）技术是通过辐射硬化
采用先进的和专有的设计，布局和亲
塞斯硬化技术。该RICMOS
第四方法是
5伏， SIMOX CMOS技术具有150埃的栅极氧化
和0.75的最小拉伸特征尺寸
m
(0.6
m
有效栅长-L
EFF
） 。其他功能还包括
通过插头钨，霍尼韦尔的专利SHARP安慰剂
narization过程，和一个轻掺杂漏（ LDD） struc-
TURE以改善短通道的可靠性。
HX6656
工作原理图
A:0-8,12-13
11
ROW
解码器
32,768 x 8
内存
ARRAY
CE
NCS
列解码器
数据O UT UTP
Q :0-7
8
无辰
CS CE OE
（ 0 =高Z）
信号
1 = ENAB主导
#
信号
A:9-11,14
4
所有的控制必须Bé
时使能导致一个信号以
P的屁股。 （ ＃ ：麻木的ER
B uffers ，默认值= 1 ）
信号定义
A: 0-14
Q: 0-7
NCS
地址输入引脚，选择存储阵列中特定8位字。
数据输出引脚。
负芯片选择，在低电平时，允许正常的读操作。当处于高电平的NCS迫使
ROM的预充电状态，保持在高阻抗状态的数据输出驱动器，并禁用所有输入
缓冲区CE除外。如果不使用该信号就必须连接到VSS。
负输出使能，当在较高的水平保持在高阻抗状态的数据输出驱动器。当
处于低电平时，数据输出驱动器的状态由NCS和CE的限定。如果不使用该信号必须是
连接到Vss 。
芯片使能，当在较高的水平，允许正常操作。当处于低电平的CE强制ROM以一
预充电状态，保持在高阻抗状态的数据输出驱动器，并禁用所有的输入缓冲器
除了NCS输入缓冲区。如果不使用这个信号必须将其连接到VDD。
诺埃
CE *
真值表
NCS
L
H
X
CE *
H
X
L
诺埃
L
XX
XX
模式
读
取消
残
Q
数据输出
高Z
高Z
注意事项：
X： VI = VIH或VIL
XX ： VSS≤VI≤VDD
NOE = H：高Z输出状态保持
对于NCS = X ， CE = X
*不采用28引脚DIP或28引脚扁平封装
2
HX6656
辐射特性
总的电离辐射剂量
该ROM将符合规定的所有功能和电气
规格在整个工作温度范围
经过指定的总电离辐射剂量。所有电气
和时序性能参数将保持在
=反弹在VDD后，规格5.5 V和T = 125°C
外推到十多年的经营。总剂量硬度
是有保证的过程监控晶体管的晶圆级测试
使用10千电子伏X射线和钴60器和ROM产品
辐射源。晶体管栅极阈移correla-
系统蒸发散已施加在10keV的X射线之间
剂量为1×10的速度
5
RAD （SIO
2
） / min的在T = 25℃和伽玛
射线（钴60源），以确保晶片级的X射线
测试与标准的军用辐射试验一致
环境。
该ROM将满足任何功能性或电气规范
暴露于辐射脉冲后和灰
≤50
ns的时间
高达1×10
11
RAD （SI ） /秒，当在应用推荐
操作条件。
中子辐射
该ROM将满足任何功能或时序规格
达1×10的总中子注后
14
cm
-2
应用的
在推荐的操作或储存条件。这
假定1兆电子伏特的等效中子能量。
单粒子现象
瞬态脉冲电离辐射
该ROM是能够阅读并保留所存储的数据
中和暴露于瞬态电离辐射后
脉冲
≤1 s
病程可达1×10
9
拉德（硅） /秒，施加时
在推荐的工作条件。为了确保弗吉尼亚州
所有规定的性能参数之前效度，能很好地协同
荷兰国际集团，以及照射后（在转录的定时降解
过性脉冲辐射（期间短暂时间退化
脉冲辐射
≤10%),
有人建议，加强
电容被放置在或封装接近VDD和
VSS时，与包之间的最大电感
（芯片）以及每部分0.7 nH的加固电容。如果
没有工作，通过要求，典型电路
板安装在去耦电容器被推荐。
在ROM中的所有存储元件不受单身
事件扰动。没有访问时间或其他性能deg-
将出现支持让190兆电子伏/平方厘米/毫克radation
2
.
闭锁
该ROM将未闭锁由于上述任何辐射的
在推荐的应用时，曝光条件
操作条件。制作与SIMOX子
施特拉特材料提供相邻的氧化物隔离
PMOS和NMOS晶体管，并消除了任何潜在的
SCR闭锁结构。足够的晶体管体引出CON-
nections到p型和n型沟道衬底制成，以
确保没有源极/漏极折返发生。
辐射硬度值（ 1 ）
参数
总剂量
瞬时剂量率翻转（ 3 ）
瞬时剂量率生存能力（ 3 ）
中子注量
极限（ 2 ）
≥1x10
6
≥1x10
9
≥1x10
11
≥1x10
14
单位
RAD （SIO
2
)
RAD （SI ） / S
RAD （SI ） / S
牛顿/厘米
2
测试条件
T
A
=25°C
脉冲宽度
≤1 s
脉冲宽度
≤50
纳秒， X射线，
VDD = 6.0 V，T
A
=25°C
1兆电子伏的能量相当于，
无偏，T
A
=25°C
（1）设备不会闭锁由于任何指定的辐射照射的条件。
（ 2 ）工作条件（除非另有说明） ： VDD = 4.5 V至5.5 V ， TA = -55 ° C至125°C 。
（ 3 ）不保证使用28引脚DIP封装。
3
HX6656
绝对最大额定值
(1)
等级
符号
VDD
VPIN
Tstore
Tsolder
PD
IOUT
VPROT
参数
正电源电压（ 2 ）
任何引脚电压（ 2 ）
存储温度（零偏）
焊接温度·时间
总计封装功耗（ 3 ）
DC或平均输出电流
ESD输入保护电压（ 4 ）
28 FP / 36 FP
热电阻（ JCT-到案例）
结温
28 DIP
2000
2
10
175
民
-0.5
-0.5
-65
最大
7.0
VDD+0.5
150
2705
2.5
25
单位
V
V
°C
μC的
W
mA
V
° C / W
°C
Θ
JC
TJ
（ 1 ）强调超过上述所列可能导致永久性损坏。这些压力额定值只，和运行在这些级别是不
暗示。经常或长期暴露在绝对最大条件可能会影响器件的可靠性。
（2 ）电压引用到VSS。
（ 3 ） ROM功耗（ IDDSB + IDDOP ）加上ROM驱动器的输出功率耗散由于外部载荷不得超过本规范。
（ 4 ） 2级静电放电（ ESD）保护的输入。按降序认证的实验室按照MIL -STD -883方法3015进行测试。
推荐工作条件
描述
符号
VDD
TA
VPIN
参数
电源电压（参考VSS ）
环境温度
任何引脚电压（参考VSS ）
民
4.5
-55
-0.3
典型值
5.0
25
最大
5.5
125
VDD+0.3
单位
V
°C
V
电容
(1)
符号
CI
CO
参数
输入电容
输出电容
典型
(1)
最坏的情况下
民
最大
7
9
单位
pF
pF
测试条件
VI = VDD和VSS ， F = 1兆赫
VIO = VDD和VSS ， F = 1兆赫
（ 1 ）该参数仅在最初的设计特性进行测试。
4
HX6656
DC电气特性
符号
IDDSB1
参数
静态电源电流
典型的最坏情况
(2)
单位
(1)
民
最大
1.5
1.5
4.0
-1
-1
CMOS
TTL
CMOS
TTL
0.7xV
DD
测试条件
VIH = VDD IO = 0
VIL = VSS输入稳定
NCS = VDD ， IO = 0 ，
F = 40MHz的
F = 1MHz时， IO = 0 ， CE = VIH = VDD
NCS = VIL = VSS
VSS≤VI≤VDD
VSS≤VIO≤VDD
输出=高阻
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
IDDSBMF待机电源电流 - 取消选择
IDDopr
II
IOZ
VIL
动态电源电流，选择
输入漏电流
输出漏电流
低电平输入电压
+1
+1
0.3xV
DD
0.8
VDD = 4.5V
VIH
高电平输入电压
2.2
0.4
0.05
4.2
V
DD
-0.05
VDD = 5.5V
VDD = 4.5V ， IOL = 10毫安
VDD = 4.5V ， IOL = 200
A
VDD = 4.5V ， IOH = -5毫安
VDD = 4.5V ， IOH = -200
A
VOL
低电平输出电压
V
V
V
V
VOH
高电平输出电压
（ 1 ）典型工作条件： VDD = 5.0 V ， TA = 25℃ ，预辐射。
（ 2 ）最坏的情况下，工作条件： VDD = 4.5 V至5.5 V ， -55 ° C至+ 125°C ，后总剂量为25 ℃。
（3）所有的输入开关。直流平均电流。
2.9 V
Vref1
249
DUT
产量
Vref2
+
-
有效的高
产量
+
-
有效的低
产量
CL >50 pF的*
* CL = 5 pF适用于TWLQZ ， TSHQZ ， TELQZ和TGHQZ
测试仪的等效负载电路
5
