【HWS410砷化镓DC - 6 GHz的双刀双掷开关2006年9月V3特点低插入损耗：0.8分贝@ 】,IC型号HWS410,HWS410 PDF资料,HWS410经销商,ic,电子元器件-51电子网

HWS410

砷化镓DC - 6 GHz的双刀双掷开关

2006年9月

特点

低插入损耗：

0.8分贝@ 2.50 GHz的

QFN12L （3× 3毫米），

1.0分贝@ 5.85 GHz的

隔离：

29.5分贝@ 2.50 GHz的

20.5分贝@ 5.85 GHz的

低DC功耗

微型QFN12L （ 3×3毫米）塑料铅（Pb ）

免费套餐

pHEMT工艺

无铅并符合RoHS标准的版本

HWS383

描述

该HWS410是GaAs PHEMT MMIC DPDT

开关的DC - 6 GHz的在低成本运行

微型QFN12L （ 3× 3毫米），塑料铅（Pb ）免费

封装。该HWS410具有低插入损耗

和高隔离度非常低的直流电源

消费。此开关可以在IEEE中使用

支持802.11a / b / g的无线局域网系统的结合

发送/接收和天线分集功能。

0 ， + 3V控制电压电气规格在25 °

参数

插入损耗

测试条件

0.10-6.00 GHz的

2.40-2.50 GHz的

5.15-5.85 GHz的

0.10-6.00 GHz的

2.40-2.50 GHz的

5.15-5.85 GHz的

0.10-6.00 GHz的

2.40-2.50 GHz的

5.15-5.85 GHz的

2.00-6.00 GHz的

20 dBm的每音@ 2.50 GHz的

22 dBm的每音@ 5.85 GHz的

27.0

18.0

分钟。

典型值。

1.0

0.8

1.0

20.0

29.5

20.5

200

马克斯。

单位

DBM

1.0

1.3

隔离

回波损耗

输入电源一分贝

压缩

输入三阶互调

截取点

控制电流

注意：取得在一个50欧姆的系统与0 / + 3.0V的控制电压时，除非另有说明，所有的测量。

Hexawave公司

2富强路II ，科学工业园区，新竹，台湾。电话886-3-578-5100传真886-3-577-0512

http://www.hw.com.tw

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HWS410

砷化镓DC - 6 GHz的双刀双掷开关

2006年9月

与驱动8pF典型性能数据

电容@ + 25°C

插入损耗与频率

-0.4

-0.6

-0.8

-1.0

-1.2

绝对最大额定值

参数

RF输入功率

控制电压

工作温度

储存温度

绝对最大

+34 dBm的@ + 3V

+6V

-40 °C至+ 85°C

-65 ℃至+ 150 ℃

插入损耗（dB ）

引脚输出（顶视图）

-1.4

2.0

2.5

3.0

3.5 4.0 4.5 5.0

频率（GHz ）

5.5

6.0

GND

隔离与频率

-10

-15

隔离度（dB ）

VC1

GND

VC2

-20

GND

-25

-30

-35

-40

2.0

2.5

3.0

3.5 4.0 4.5 5.0

频率（GHz ）

5.5

6.0

ANT1

注意：

1.隔直流电容器

=驱动8pF要求所有

RF端口。

在底部2裸露焊盘必须被连接到

通孔地通过。

3. TX和RX端口可以互换使用。

回波损耗与频率

-10

-15

回波损耗（分贝）

对于开关导通路径的逻辑表

状态

VC1

VC2

ANT1

ANT2

-20

-25

-30

-35

2.0

2.5

3.0

3.5 4.0 4.5 5.0

频率（GHz ）

5.5

6.0

' 1 ' = + 3V至+ 5V

“0”= 0V至+ 0.2V

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ANT2

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