锑化铟霍尔元件
HW-101A
高灵敏度InSb霍尔元件。
迷你模具表面贴装封装（符合SOT143焊盘图形） 。
装运包带盘（每盘3000PCS ） 。
注意：请阅读并接受"IMPORTANT NOTICE" 。
请注意， AKE产品并非设计用于生活用
支持设备，装置或系统。在这种使用AKE产品
应用程序需要适当的提前书面批准
AKE官。
利用半导体器件可以包括潜在的某些应用
人身伤害，财产损失或人员伤亡的风险。为了
尽量减少这些风险，充分的设计与操作安全措施
应该由客户提供，以减少固有的或程序性
危害。的AKE在这类应用产品包含被理解为
完全在使用AKE装置或系统的客户的风险。
.Absolute最大额定值
项
符号
极限
单位
马克斯。输入电流
Ic
常量。电流驱动
20
mA
工作温度。范围
TOPR 。
-40到+110
C
储存温度。范围
TSTG 。
-40到+125
C
输出霍尔电压分类（V
H
)
秩
V
H
[毫伏]
122
144
168
196
228
266
310
to
to
to
to
to
to
to
150
174
204
236
274
320
370
B = 50吨，VC = IV
恒压驱动
条件
电气特性（Ta = 25℃）
项
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
A
B
C
D
122
370
mV
E
F
G
输出的霍尔电压
V
H
常量。电压驱动器
B = 50吨，VC = IV
B = 0mT ， IC = 0.1毫安
B = 0mT ， IC = 0.1毫安
B = 0mT ，VC = IV
输入阻抗
输出电阻
失调电压
凛
大败
VOS
240
240
–7
550
550
注：订购时，指定3级或更大范围的（E ·G · ， BCD ） 。
输入电流降额曲线
+7
mV
20
输入阻抗
凛： 240 550
温度。 V系数
H
V
H
B = 50吨， IC = 5毫安
–1.8
%/C
输入电流（mA ）
温度。凛系数
凛
B = 0mT ， IC = 0.1毫安
–1.8
%/C
10
介电强度
100V D.C
1.0
M
注意事项： 1， V
H
= VHM - V
os
（ VHM ：仪表指示）
2. V
H
=
3. R
in
=
1
V
H
(T
3
) – V
H
(T
2
)
V
H
(T
1
)
X
(T
3
– T
2
)
1
R
in
(T
3
) – R
in
(T
2
)
R
in
(T
1
)
X
(T
3
– T
2
)
X 100
X 100
0
– 40
– 20
0
20
40
60
80
环境温度（℃）
100
120
T
1
= 20°C ，T
2
= 0° C，T
3
= 40C
尺寸图（毫米）
2.9±0.1
0.5
1.9
0.5
0.4
0.35
注释：R
in
霍尔元件周围温度迅速下降
增加。确保符合输入电流降额曲线包络线，
在整个工作温度范围内。
输入电压降额曲线
2.0
输入阻抗
凛： 240 550
2
1.55±0.1
2.9±0.2
1
0-0.1
N
5
5
3
4
0.1
输入电压（ V）
1.0
+0.2
–0.1
0.3
3
1.1
0.8
钉扎
输入
产量
1(±)
2(±)
3
4
(±)
(±)
10
– 40
0
– 20
0
20
40
60
80
环境温度（℃）
100
120
注意：对于恒压驱动，停留在此输入电压降额
曲线包络。
11
HW-101A
a
特性曲线
RIN -T
2000
1800
输入电阻值：R
in
( )
输出电压： V
H
（毫伏）
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
–50
0
50
100
环境温度（ ° C）
150
0.0
0
10
20
30
磁通密度B （MT ）
40
50
500.0
400.0
300.0
Vc
200.0
100.0
V
H
-B
600.0
IC常量
VC常量
IC = 5 （毫安）
维生素C = 1 （V）的
TA = 25 （C ）
Ic
c
V
H
-T
2000
1750
输出电压： V
H
（毫伏）
1500
1250
1000
750
500
Vc
250
0
–50
Ic
IC常量
VC常量
V
H
-vc ，V
H
-IC
1200
1000
800
600
400
200
0
0.0
5
0.5
10
1.0
IC （ mA）的电流输入
VC （ V）输入电压
15
1.5
20 IC ： （毫安）
2.0维生素C （ V）
Vc
IC常量
VC常量
B = 50 （MT ）
TA = 25 （C ）
Ic
IC = 5 （毫安）
维生素C = 1 （V）的
B = 50 （MT ）
输出电压： V
H
（毫伏）
f
0
50
100
环境温度（ ° C）
150
V
OS
-T
40
IC常量
VC常量
失调电压： V
os
（毫伏）
30
Ic
20
IC = 5 （毫安）
维生素C = 1 （V）的
B = 0 （MT ）
V
OS
-vc ，V
OS
-IC
20
18
失调电压： V
os
（毫伏）
16
14
12
10
8
6
4
2
5
0.5
10
1.0
IC （ mA）的电流输入
VC （ V）输入电压
15
1.5
20
IC ： （毫安）
2.0
V
c
:(V)
Vc
IC常量
VC常量
B = 0 （MT ）
TA = 25 （C ）
Ic
i
10
Vc
0
–50
0
50
100
环境温度（ ° C）
150
0
0.0
*磁通密度
1(mT)=10(G)
在本实施例：琳= 350 （） ，沃斯= 4.7 （毫伏） ，维生素C = 1 （V）的
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锑化铟霍尔元件
HW-101A
高灵敏度InSb霍尔元件。
迷你模具表面贴装封装（符合SOT143焊盘图形） 。
装运包带盘（每盘3000PCS ） 。
注意：请阅读并接受"IMPORTANT NOTICE" 。
请注意， AKE产品并非设计用于生活用
支持设备，装置或系统。在这种使用AKE产品
应用程序需要适当的提前书面批准
AKE官。
利用半导体器件可以包括潜在的某些应用
人身伤害，财产损失或人员伤亡的风险。为了
尽量减少这些风险，充分的设计与操作安全措施
应该由客户提供，以减少固有的或程序性
危害。的AKE在这类应用产品包含被理解为
完全在使用AKE装置或系统的客户的风险。
.Absolute最大额定值
项
符号
极限
单位
马克斯。输入电流
Ic
常量。电流驱动
20
mA
工作温度。范围
TOPR 。
-40到+110
C
储存温度。范围
TSTG 。
-40到+125
C
输出霍尔电压分类（V
H
)
秩
V
H
[毫伏]
122
144
168
196
228
266
310
to
to
to
to
to
to
to
150
174
204
236
274
320
370
B = 50吨，VC = IV
恒压驱动
条件
电气特性（Ta = 25℃）
项
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
A
B
C
D
122
370
mV
E
F
G
输出的霍尔电压
V
H
常量。电压驱动器
B = 50吨，VC = IV
B = 0mT ， IC = 0.1毫安
B = 0mT ， IC = 0.1毫安
B = 0mT ，VC = IV
输入阻抗
输出电阻
失调电压
凛
大败
VOS
240
240
–7
550
550
注：订购时，指定3级或更大范围的（E ·G · ， BCD ） 。
输入电流降额曲线
+7
mV
20
输入阻抗
凛： 240 550
温度。 V系数
H
V
H
B = 50吨， IC = 5毫安
–1.8
%/C
输入电流（mA ）
温度。凛系数
凛
B = 0mT ， IC = 0.1毫安
–1.8
%/C
10
介电强度
100V D.C
1.0
M
注意事项： 1， V
H
= VHM - V
os
（ VHM ：仪表指示）
2. V
H
=
3. R
in
=
1
V
H
(T
3
) – V
H
(T
2
)
V
H
(T
1
)
X
(T
3
– T
2
)
1
R
in
(T
3
) – R
in
(T
2
)
R
in
(T
1
)
X
(T
3
– T
2
)
X 100
X 100
0
– 40
– 20
0
20
40
60
80
环境温度（℃）
100
120
T
1
= 20°C ，T
2
= 0° C，T
3
= 40C
尺寸图（毫米）
2.9±0.1
0.5
1.9
0.5
0.4
0.35
注释：R
in
霍尔元件周围温度迅速下降
增加。确保符合输入电流降额曲线包络线，
在整个工作温度范围内。
输入电压降额曲线
2.0
输入阻抗
凛： 240 550
2
1.55±0.1
2.9±0.2
1
0-0.1
N
5
5
3
4
0.1
输入电压（ V）
1.0
+0.2
–0.1
0.3
3
1.1
0.8
钉扎
输入
产量
1(±)
2(±)
3
4
(±)
(±)
10
– 40
0
– 20
0
20
40
60
80
环境温度（℃）
100
120
注意：对于恒压驱动，停留在此输入电压降额
曲线包络。
11
HW-101A
a
特性曲线
RIN -T
2000
1800
输入电阻值：R
in
( )
输出电压： V
H
（毫伏）
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
–50
0
50
100
环境温度（ ° C）
150
0.0
0
10
20
30
磁通密度B （MT ）
40
50
500.0
400.0
300.0
Vc
200.0
100.0
V
H
-B
600.0
IC常量
VC常量
IC = 5 （毫安）
维生素C = 1 （V）的
TA = 25 （C ）
Ic
c
V
H
-T
2000
1750
输出电压： V
H
（毫伏）
1500
1250
1000
750
500
Vc
250
0
–50
Ic
IC常量
VC常量
V
H
-vc ，V
H
-IC
1200
1000
800
600
400
200
0
0.0
5
0.5
10
1.0
IC （ mA）的电流输入
VC （ V）输入电压
15
1.5
20 IC ： （毫安）
2.0维生素C （ V）
Vc
IC常量
VC常量
B = 50 （MT ）
TA = 25 （C ）
Ic
IC = 5 （毫安）
维生素C = 1 （V）的
B = 50 （MT ）
输出电压： V
H
（毫伏）
f
0
50
100
环境温度（ ° C）
150
V
OS
-T
40
IC常量
VC常量
失调电压： V
os
（毫伏）
30
Ic
20
IC = 5 （毫安）
维生素C = 1 （V）的
B = 0 （MT ）
V
OS
-vc ，V
OS
-IC
20
18
失调电压： V
os
（毫伏）
16
14
12
10
8
6
4
2
5
0.5
10
1.0
IC （ mA）的电流输入
VC （ V）输入电压
15
1.5
20
IC ： （毫安）
2.0
V
c
:(V)
Vc
IC常量
VC常量
B = 0 （MT ）
TA = 25 （C ）
Ic
i
10
Vc
0
–50
0
50
100
环境温度（ ° C）
150
0
0.0
*磁通密度
1(mT)=10(G)
在本实施例：琳= 350 （） ，沃斯= 4.7 （毫伏） ，维生素C = 1 （V）的
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QQ：2880707522 复制
