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HVV1214-100高电压,高耐用性
TM
L波段雷达脉冲功率晶体管
1200-1400兆赫, 200μS脉冲, 10 %占空比
对于基于地面雷达应用
特点
MOSFET硅技术
操作从24V到50V
高功率增益
超强的坚固
内部输入和输出匹配
优良的热稳定性
所有金键合方案
典型性能
高电压垂直的技术非常适用于在高功率脉冲的应用
L波段,包括G- DME , A- DME ,敌我识别, TCAS与S模式的应用程序。
模式
CLASS AB
频率
(兆赫)
VDD
(V)
IDQ
(MA )
动力
(W)
收益
( dB)的
(%)
η
IRL
( dB)的
VSWR
20:1
1400
50
100
120
20
45
-8
表1:
在25℃温度下具有的RF脉冲的条件在宽带文本夹具典型的RF性能
脉冲宽度=为200ps和脉冲周期= 2ms的。
描述
高功率HVV1214-100设备是专为增强型射频MOSFET功率晶体管
脉冲应用在L波段,从1200MHz至1400MHz的。高压HVVFET 技术
生产超过脉冲的输出功率为100W ,同时提供高增益,高效率,以及易于匹配的
用50V电源。垂直器件结构保证了高可靠性和耐用性的设备是
指定要承受20 :在全额定输出功率1 VSWR所有相位角。
订购信息
设备型号: HVV1214-100
演示套件型号: HVV1214-100 -EK
可通过理察森电子( http://rfwireless.rell.com/ )
HVVi半导体公司
10235 S.第51街100套房
亚利桑那州凤凰城。 85044
ISO 9001:2000认证
联系电话: ( 866 ) 429 - HVVi ( 4884 ) ,或浏览www.hvvi.com
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HVV1214-100高电压,高耐用性
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L波段雷达脉冲
电压,高耐用性
HVV1214-100高
功率晶体管
1200-1400兆赫, 200μS脉冲, 10 %占空比
L波段雷达脉冲功率
HVV1214-100高电压,高耐用性
晶体管
对于基于地面雷达应用
1200-1400兆赫, 200μS脉冲, 10 %
雷达脉冲功率晶体管
L波段
税
对于基于地面雷达应用
兆赫, 200μS脉冲, 10 %占空比
1200-1400
TM
电气特性
电气特性
电气特性
½
参数
漏源击穿
漏极漏电流
栅极漏电流
½
功率增益
输入回波损耗
½
漏EF网络效率
门静态电压
阈值电压
对于基于地面雷达应用
条件
民
VGS=0V,ID=5mA
95
VGS=0V,VDS=50V
-
VGS=5V,VDS=0V
-
F=1400MHz
18
F=1400MHz
-
F=1400MHz
43
VDD=50V,IDQ=100mA
1.1
VDD = 5V , ID = 300μA
0.7
½
典型
½
最大
-
102
50
200
1
5
20
-
-8
-5
45
-
1.45
1.8
1.2
1.7
单位
V
A
A
dB
dB
%
V
V
此次被创新的半导体公司!
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½
符号
V
BR ( DSS )
I
DSS
I
GSS
G
P1
IRL
1
η
D1
VGS ( q)的
2
VTH
脉冲
½
符号参数
条件
½
1
上升时间
F=1400MHz
T
r
1
下降时间
F=1400MHz
T
f
PD
1
脉冲下垂
F=1400MHz
热性能
特征
脉冲
特征
脉冲
特征
½
民
典型
最大
½
-
<25
50
-
<15
50
-
0.35
0.5
单位
nS
nS
dB
热
性能
热
性能
½
½
耐用性性能
在额定输出功率和在整个工作频带的标称工作电压。
½
1
注:脉冲条件下,在120W的输出功率测量的所有参数的测量
½
在120W的输出功率脉冲条件
IN A
1 )注意:在所有测量参数
与脉冲宽度= 200μsec ,占空比= 10%, VDD = 50V脉冲的5 %点, IDQ = 100毫安
½
该HVV1214-100设备能够承受的
对应于输出负载失配
an
20 : 1 VSWR
½
耐用性性能
耐用性性能
在所测量的
测试夹具。
脉冲的脉冲
of
宽带匹配
在脉冲宽度= 200μsec ,占空比= 10 % 5 % pointmeasured
1 )注意:所有参数
在120W的输出功率条件
2
和VDD = 50V , IDQ =百毫安在宽带匹配的测试夹具。
注:金额栅极电压
用脉冲的
公称
宽度= 200μsec ,占空比= 10 %
在5%的点处测量
达到要求
脉冲
静态电流。
2 )注意:达到额定静态电流要求栅极电压的金额。
和VDD = 50V , IDQ =百毫安在宽带匹配的测试夹具。
2 )注意:达到额定静态电流要求栅极电压的金额。
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公司所有
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HVV1214-100高电压,
HVV1214-100高电压,高耐用性
高耐用性
L波段雷达脉冲功率晶体管
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1200年至1400年兆赫,为200μs的脉冲,
1200-1400兆赫, 200μS脉冲, 10 %占空比
10 %占空比
对于基于地面雷达应用
基于雷达的应用
对于地面
TM
Z
o
= 10
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Z
以*
Z
出*
1200MHz
1200MHz
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演示电路板图片
演示板大纲
演示电路板图片
( AutoCAD文件用于在演示板可在网上
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( AutoCAD文件
在演示板可在网上
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( AutoCAD文件为
为演示板可在网上
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演示板大纲
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L波段雷达
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材料HVV1214-100演示电路板草案
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材料HVV1214-100演示电路板草案
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对于地面
尺寸
应用
基于雷达
包
包装尺寸
漏
门
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注:该图并非真实尺寸。
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