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HVD316
变容二极管的BS / CS调谐器
REJ03G1467-0100
Rev.1.00
2006年7月27日
特点
高电容比(n = 9.0分钟)
低串联电阻。 (R
s
= 2.2
MAX )
超小型扁平引脚封装( SFP )是适用于表面贴装设计。
订购信息
型号
HVD316
激光标记
B3
包名称
SFP
封装代码
PUSF0002ZB-A
管脚配置
阴极标记
标志
1
B3
2
1.阴极
2.阳极
Rev.1.00 2006年7月27日第1页4
HVD316
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
反向电压
结温
储存温度
符号
V
R
Tj
TSTG
价值
30
125
55
+125
单位
V
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
反向电流
电容
电容比
串联电阻
匹配的错误
符号
I
R1
I
R2
C
1
C
25
n
r
S
C/C
*
1
5.16
0.48
9.0
典型值
最大
10
100
7.22
0.76
2.20
6.00
单位
nA
pF
%
测试条件
V
R
= 30 V
V
R
= 30 V , TA = 60℃
V
R
= 1 V , F = 1兆赫
V
R
= 25V , F = 1兆赫
C
1
/ C
25
V
R
= 1 V , F = 470 MHz的
V
R
= 1至25 V中,f = 1 MHz的
注意事项: 1, CC系统(持续关连录音系统),使作出的任何10个的
C/C
在连续卷轴,
预计扩展来另一组。
计算匹配误差,
(的Cmax - 的Cmin )
C/C
=
×
100 (%)
CMIN
2.对于SFP封装,铅的材料暴露于切割平面。在那里,无铅烙铁头焊接性质
部分被认为是毫无疑问的。请笑纳焊接性质。
Rev.1.00 2006年7月27日第2页4
HVD316
主要特点
10
-6
10
-7
8
反向电流I
R
(A)
10
f=1MHz
10
-8
10
-9
10
-10
10
-11
电容C (PF )
6
4
2
10
-12
10
-13
0
10
20
30
40
50
0
1.0
反向电压V
R
(V)
图1的反向电流比。反向电压
10
反向电压V
R
(V)
30
图2电容比。反向电压
2.0
f=470MHz
串联电阻r
S
()
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1.0
10
反向电压V
R
(V)
图3系列电阻与反向电压
Rev.1.00 2006年7月27日第3页4
HVD316
包装尺寸
包名称
SFP
JEITA封装代码
瑞萨代码
PUSF0002ZB-A
以前的代码
SFP / SFPV
质量[典型值]
0.0010g
D
b
E
H
E
c
A
φ
b
e
1
参考
符号
尺寸以毫米为单位
终端位置的区域格局
A
b
c
D
E
H
E
φ
b
e
1
0.50
0.25
0.08
0.55
0.90
1.30
0.30
0.13
0.60
1.00
1.40
0.50
1.40
最大
0.55
0.35
0.18
0.65
1.10
1.50
Rev.1.00 2006年7月27日第4页4
销售战略规划事业部。
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有限公司
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后记.6.0
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