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HVB350BYP
硅外延平面变容二极管的VCO
REJ03G0487-0100
(上一个: ADE- 208-1420 )
Rev.1.00
2005年1月11日
特点
高电容比。 ( N = 2.8分钟)
低串联电阻。 ( RS = 0.5最大值)
良好的C-V的线性度。
CMPAK - 4封装适合于高密度的表面安装和高速装配。
订购信息
型号
HVB350BYP
激光标记
V1
封装代码
CMPAK-4
管脚配置
4
3
4
3
1.阳极
2.阳极
3.阴极
4.阴极
V1
1
( TOP VIEW )
2
1
( TOP VIEW )
2
Rev.1.00 2005年1月11日第1页4
HVB350BYP
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
反向电压
结温
储存温度
符号
V
R
Tj
TSTG
价值
15
125
55
+125
单位
V
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
反向电流
电容
电容比
符号
I
R1
I
R2
C
1
C
4
n
15.5
5.0
2.8
典型值
最大
10
100
17.0
6.0
0.5
单位
nA
pF
测试条件
V
R
= 15 V
V
R
= 15 V , TA = 60℃
V
R
= 1 V , F = 1兆赫
V
R
= 4 V,F = 1兆赫
C
1
/ C
4
V
R
= 1 V , F = 470 MHz的
串联电阻
r
s
注: 1。每一个设备。
Rev.1.00 2005年1月11日第2页4
HVB350BYP
主要特点
10
-6
10
-7
反向电流I
R
(A)
30
f=1MHz
25
电容C (PF )
10
-8
10
-9
10
-10
20
15
10
-11
10
-12
10
-13
10
5
0
4
8
12
16
反向电压V
R
(V)
20
0
0.1
1.0
反向电压V
R
(V)
10
图1的反向电流比。反向电压
图2电容比。反向电压
0.5
f=470MHz
0.4
串联电阻r
S
()
L
F
=
Δ ( LogC )
/
Δ (日志
V
R
)
0
-0.5
0.3
0.2
-1.0
0.1
0
0.5
1.0
10
反向电压V
R
(V)
30
-1.5
0.1
1.0
反向电压V
R
(V)
Fig.4
L
F
与反向电压
10
图3系列电阻与反向电压
Rev.1.00 2005年1月11日第3页4
HVB350BYP
包装尺寸
截至, 2003年1月
单位:mm
2.0 ± 0.2
1.3 ± 0.2
(0.65) (0.65)
0.3 ± 0.05
0.3 ± 0.05
(0.425)
0.16
– 0.06
2.1 ± 0.2
+ 0.1
(0.425) 1.25 ± 0.1
0 – 0.1
0.3 ± 0.05
0.3 ± 0.05
(0.65) (0.65)
1.3 ± 0.2
0.9 ± 0.1
(0.2)
封装代码
JEDEC
JEITA
质谱(参考值)
CMPAK-4
符合
0.006 g
Rev.1.00 2005年1月11日第4页4
销售战略规划事业部。
保持安全第一在你的电路设计!
立邦大厦, 2-6-2 , Ohte酒店町,千代田区,东京100-0004 ,日本
1.瑞萨科技投入的最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性,但总是有可能的麻烦
他们可能会发生。麻烦半导体可能会导致人身伤害,火灾或财产损失。
还记得让你的电路设计时,适当的措施,如替代性,辅助电路(一)配售充分考虑到安全性给予,
(ⅱ)利用针对任何故障或事故不燃材料或(iii)预防。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考,帮助我们的客户在瑞萨科技产品的选择最适合客户的
应用;不传达任何许可下的任何知识产权,或任何其他权利,属于瑞萨科技公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何损害任何第三方的权利,或者侵犯在使用任何产品的数据概不负责,始发,
图,表,程序,算法或电路的应用中包含这些材料的例子。
3.包含在这些资料,包括产品数据,图,表,程序和算法的所有信息表示在时间上的产品信息
公布这些材料,并受到了瑞萨科技公司,恕不另行通知更改,由于产品改进或其他原因。这是
因此,建议客户联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商最新产品
购买此列出产品之前的信息。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失,责任或其他损失,这些不准确或错误上涨不承担任何责任。
另请注意公布的瑞萨科技公司通过各种方式的信息,包括瑞萨科技半导体
主页( http://www.renesas.com ) 。
4.当使用任何包含在这些资料,包括产品数据,图,表,程序和算法的部分或全部信息,请您务必
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定之前评估的所有信息作为一个整体系统。瑞萨科技公司承担
对于任何损害,责任或此处包含的信息所导致的其他损失不承担任何责任。
5.瑞萨科技半导体没有设计或制造用于在设备或系统中使用的是根据情况使用在人类生活
是潜在的威胁。考虑到使用的时候请联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商
本文所包含的任何具体目的,诸如装置或系统的交通,车辆,医疗,航空航天,核,或海底中继器产品
使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准,不得翻印或者复制全部或部分这些材料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制限制,所以一定要根据许可由日本政府和出口
不能导入超过核定目的地之外的国家。
禁止任何转移或再出口违反出口管制法律和日本和/或目的地国家的相关规定。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料的详细信息或其中包含的产品。
瑞萨销售办事处
请参阅"http : //www.renesas.com/en/network"最新的信息和详细信息。
瑞萨科技美国公司
霍尔格450路,圣何塞,加利福尼亚95134-1368 ,U.S.A
联系电话: <1> ( 408 ) 382-7500 ,传真: <1> ( 408 ) 382-7501
瑞萨科技欧洲公司
郡王草地,压榨板路,伯恩结束,白金汉郡, SL8 5FH ,英国
联系电话: <44> ( 1628 ) 585-100 ,传真: <44> ( 1628 ) 585-900
瑞萨科技
(香港)有限公司
7楼,北塔,世界金融中心,海港城,广东道1 ,尖沙咀,九龙,香港
联系电话: <852> 2265-6688 ,传真: <852> 2730-6071
瑞萨科技台湾有限公司
有限公司
10楼, 99号, Fushing北路,台北,台湾
联系电话: <886> ( 2 ) 2715年至2888年,传真: <886> ( 2 ) 2713年至2999年
瑞萨科技(上海)有限公司
有限公司
Unit2607瑞景大厦205号茂名路(S ) ,上海200020 ,中国
联系电话: <86> ( 21 ) 6472-1001 ,传真: <86> ( 21 ) 6415-2952
瑞萨科技(新加坡) 。有限公司
1港前大道, # 06-10 ,吉宝湾大厦,新加坡098632
联系电话: <65> 6213-0200 ,传真: <65> 6278-8001
http://www.renesas.com
2004年瑞萨科技公司,保留所有权利。日本印刷。
后记3.2.0
HVB350BYP
硅外延平面变容二极管的VCO
REJ03G0487-0100
(上一个: ADE- 208-1420 )
Rev.1.00
2005年1月11日
特点
高电容比。 ( N = 2.8分钟)
低串联电阻。 ( RS = 0.5最大值)
良好的C-V的线性度。
CMPAK - 4封装适合于高密度的表面安装和高速装配。
订购信息
型号
HVB350BYP
激光标记
V1
封装代码
CMPAK-4
管脚配置
4
3
4
3
1.阳极
2.阳极
3.阴极
4.阴极
V1
1
( TOP VIEW )
2
1
( TOP VIEW )
2
Rev.1.00 2005年1月11日第1页4
HVB350BYP
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
反向电压
结温
储存温度
符号
V
R
Tj
TSTG
价值
15
125
55
+125
单位
V
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
反向电流
电容
电容比
符号
I
R1
I
R2
C
1
C
4
n
15.5
5.0
2.8
典型值
最大
10
100
17.0
6.0
0.5
单位
nA
pF
测试条件
V
R
= 15 V
V
R
= 15 V , TA = 60℃
V
R
= 1 V , F = 1兆赫
V
R
= 4 V,F = 1兆赫
C
1
/ C
4
V
R
= 1 V , F = 470 MHz的
串联电阻
r
s
注: 1。每一个设备。
Rev.1.00 2005年1月11日第2页4
HVB350BYP
主要特点
10
-6
10
-7
反向电流I
R
(A)
30
f=1MHz
25
电容C (PF )
10
-8
10
-9
10
-10
20
15
10
-11
10
-12
10
-13
10
5
0
4
8
12
16
反向电压V
R
(V)
20
0
0.1
1.0
反向电压V
R
(V)
10
图1的反向电流比。反向电压
图2电容比。反向电压
0.5
f=470MHz
0.4
串联电阻r
S
()
L
F
=
Δ ( LogC )
/
Δ (日志
V
R
)
0
-0.5
0.3
0.2
-1.0
0.1
0
0.5
1.0
10
反向电压V
R
(V)
30
-1.5
0.1
1.0
反向电压V
R
(V)
Fig.4
L
F
与反向电压
10
图3系列电阻与反向电压
Rev.1.00 2005年1月11日第3页4
HVB350BYP
包装尺寸
截至, 2003年1月
单位:mm
2.0 ± 0.2
1.3 ± 0.2
(0.65) (0.65)
0.3 ± 0.05
0.3 ± 0.05
(0.425)
0.16
– 0.06
2.1 ± 0.2
+ 0.1
(0.425) 1.25 ± 0.1
0 – 0.1
0.3 ± 0.05
0.3 ± 0.05
(0.65) (0.65)
1.3 ± 0.2
0.9 ± 0.1
(0.2)
封装代码
JEDEC
JEITA
质谱(参考值)
CMPAK-4
符合
0.006 g
Rev.1.00 2005年1月11日第4页4
销售战略规划事业部。
保持安全第一在你的电路设计!
立邦大厦, 2-6-2 , Ohte酒店町,千代田区,东京100-0004 ,日本
1.瑞萨科技投入的最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性,但总是有可能的麻烦
他们可能会发生。麻烦半导体可能会导致人身伤害,火灾或财产损失。
还记得让你的电路设计时,适当的措施,如替代性,辅助电路(一)配售充分考虑到安全性给予,
(ⅱ)利用针对任何故障或事故不燃材料或(iii)预防。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考,帮助我们的客户在瑞萨科技产品的选择最适合客户的
应用;不传达任何许可下的任何知识产权,或任何其他权利,属于瑞萨科技公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何损害任何第三方的权利,或者侵犯在使用任何产品的数据概不负责,始发,
图,表,程序,算法或电路的应用中包含这些材料的例子。
3.包含在这些资料,包括产品数据,图,表,程序和算法的所有信息表示在时间上的产品信息
公布这些材料,并受到了瑞萨科技公司,恕不另行通知更改,由于产品改进或其他原因。这是
因此,建议客户联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商最新产品
购买此列出产品之前的信息。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失,责任或其他损失,这些不准确或错误上涨不承担任何责任。
另请注意公布的瑞萨科技公司通过各种方式的信息,包括瑞萨科技半导体
主页( http://www.renesas.com ) 。
4.当使用任何包含在这些资料,包括产品数据,图,表,程序和算法的部分或全部信息,请您务必
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定之前评估的所有信息作为一个整体系统。瑞萨科技公司承担
对于任何损害,责任或此处包含的信息所导致的其他损失不承担任何责任。
5.瑞萨科技半导体没有设计或制造用于在设备或系统中使用的是根据情况使用在人类生活
是潜在的威胁。考虑到使用的时候请联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商
本文所包含的任何具体目的,诸如装置或系统的交通,车辆,医疗,航空航天,核,或海底中继器产品
使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准,不得翻印或者复制全部或部分这些材料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制限制,所以一定要根据许可由日本政府和出口
不能导入超过核定目的地之外的国家。
禁止任何转移或再出口违反出口管制法律和日本和/或目的地国家的相关规定。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料的详细信息或其中包含的产品。
瑞萨销售办事处
请参阅"http : //www.renesas.com/en/network"最新的信息和详细信息。
瑞萨科技美国公司
霍尔格450路,圣何塞,加利福尼亚95134-1368 ,U.S.A
联系电话: <1> ( 408 ) 382-7500 ,传真: <1> ( 408 ) 382-7501
瑞萨科技欧洲公司
郡王草地,压榨板路,伯恩结束,白金汉郡, SL8 5FH ,英国
联系电话: <44> ( 1628 ) 585-100 ,传真: <44> ( 1628 ) 585-900
瑞萨科技
(香港)有限公司
7楼,北塔,世界金融中心,海港城,广东道1 ,尖沙咀,九龙,香港
联系电话: <852> 2265-6688 ,传真: <852> 2730-6071
瑞萨科技台湾有限公司
有限公司
10楼, 99号, Fushing北路,台北,台湾
联系电话: <886> ( 2 ) 2715年至2888年,传真: <886> ( 2 ) 2713年至2999年
瑞萨科技(上海)有限公司
有限公司
Unit2607瑞景大厦205号茂名路(S ) ,上海200020 ,中国
联系电话: <86> ( 21 ) 6472-1001 ,传真: <86> ( 21 ) 6415-2952
瑞萨科技(新加坡) 。有限公司
1港前大道, # 06-10 ,吉宝湾大厦,新加坡098632
联系电话: <65> 6213-0200 ,传真: <65> 6278-8001
http://www.renesas.com
2004年瑞萨科技公司,保留所有权利。日本印刷。
后记3.2.0
HVB350BYP
变容二极管的VCO
ADE - 208-1420 ( Z)
第0版
2001年5月
特点
高电容比。 ( N = 2.8分钟)
低串联电阻。 ( RS = 0.5最大值)
良好的C-V的线性度。
CMPAK - 4封装适合于高密度的表面安装和高速装配。
订购信息
型号
HVB350BYP
激光标记
V1
封装代码
CMPAK-4
管脚配置
4
3
4
3
V1
1
( TOP VIEW )
2
1
( TOP VIEW )
1.阳极
2.阳极
3.阴极
4.阴极
2
HVB350BYP
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
反向电压
结温
储存温度
符号
V
R
Tj
TSTG
价值
15
125
55
+125
单位
V
°C
°C
电气特性*
1
( TA = 25°C )
反向电流
电容
电容比
串联电阻
注意:
符号
I
R1
I
R2
C
1
C
4
n
r
s
15.5
5.0
2.8
典型值
最大
10
100
17.0
6.0
0.5
pF
单位
nA
测试条件
V
R
= 15 V
V
R
= 15 V , TA = 60℃
V
R
= 1 V , F = 1兆赫
V
R
= 4 V,F = 1兆赫
C
1
/ C
4
V
R
= 1 V , F = 470 MHz的
1.每一个设备。
Rev.0 , 2001年5月, 5个2页
HVB350BYP
主要特点
10
-6
10
-7
反向电流I
R
(A)
30
f=1MHz
25
电容C (PF )
10
-8
10
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10
-10
10
-11
10
-12
10
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20
15
10
5
4
8
12
16
反向电压V
R
(V)
20
0
0.1
1.0
反向电压V
R
(V)
10
图1的反向电流比。反向电压
图2电容比。反向电压
0.5
f=470MHz
0.4
串联电阻r
S
()
L
F
=
Δ ( LogC )
/
Δ (日志
V
R
)
0
-0.5
0.3
0.2
-1.0
0.1
0
0.5
1.0
10
30
-1.5
0.1
反向电压V
R
(V)
图3系列电阻与反向电压
1.0
反向电压V
R
(V)
Fig.4
L
F
与反向电压
10
Rev.0 , 2001年5月, 5个3页
HVB350BYP
包装尺寸
至于, 2001年1月
单位:mm
2.0 ± 0.2
1.3 ± 0.2
(0.65) (0.65)
0.3 ± 0.05
0.3 ± 0.05
(0.425)
0.16
– 0.06
+ 0.1
(0.425) 1.25 ± 0.1
2.1 ± 0.2
0 – 0.1
0.3 ± 0.05
0.3 ± 0.05
(0.65) (0.65)
1.3 ± 0.2
0.9 ± 0.1
(0.2)
日立代码
JEDEC
EIAJ
质谱(参考值)
CMPAK-4
符合
0.006 g
Rev.0 , 2001年5月, 5第4页
HVB350BYP
放弃
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使用该产品,要求特别高的应用程序之前,请联系日立的销售办事处
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人身伤害,如航天,航空,核电,燃烧控制,运输,
交通,安全设备,或用于生命支持医疗器械。
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超越了保障范围。即使在保障范围内,考虑通常预期
失败率或半导体器件的失效模式,并采用系统性的措施,如故障 -
保险柜,使结合日立产品的设备不会造成人身伤害,火灾或其它
间接损失是由于日立产品的操作。
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http://semiconductor.hitachi.com/
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台北( 105 ),台湾
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