【Supertex公司公司。八通道，高速，单极，超声脉冲发生器150V 1.5A特点HVCMOS技术用】,IC型号HV7355K6-G,HV7355K6-G PDF资料,HV7355K6-G经销商,ic,电子元器件-51电子网

Supertex公司公司。

八通道，高速，单极，

超声脉冲发生器150V 1.5A

特点

HVCMOS技术用于高性能

高密度集成的超声波发射器

0到+ 150V的输出电压

± 1.5A源和吸收电流（分钟）

在CW模式± 300毫安电流

高达18MHz的工作频率

匹配的延迟时间

内置栅极驱动器的浮动电压调节器

2.5 3.3V CMOS逻辑接口

HV7355

概述

Supertex公司的HV7355是一款8通道，单极性，高电压，

高速脉冲发生器。它是专为医用超声

应用程序。这种高电压和高速集成电路可以

也可用于在其它压电式，电容式或MEMS传感器

超声波无损检测和声纳测距仪的应用程序。

在HV7355由一个控制器逻辑接口电路，电平

翻译， MOSFET栅极驱动器和大电流P沟道和

N沟道MOSFET作为输出级的每个信道。

每个信道的输出级被设计成提供高峰

输出电流在± 1.5A为脉冲，当MC = 1 ，具有高达150V

秋千。当MC = 0时，所有输出级下降的峰值电流

到± 500毫安用于低压CW模式下操作，以节省电力。这

栅极驱动器直接耦合拓扑结构不仅节约了一人多高

每个通道的电压电容器，也使得PCB布局更加简单。

应用

便携式医疗超声成像

压电换能器驱动程序

无损检测超声发射

脉冲波形发生器

典型应用电路

+3.3V

+5.0V

+5.0至150V

VLL

AVDD

VDD

LR

VSS

公积金

VPF

VPP

EN

MC

IN0

PWR

VDD

VPP

CWD

LT

VPF

Q0

VDD

TX0

X0

LT

+3.3V

逻辑

RGND

VDD

VPP

LT

IN7

Q7

Q[7:0]

VDD

VPF

VDD

TX7

X7

SET

LE

CS

SCK

SDO

数据锁存器

移位寄存器。

Q7

D0

LT

RGND

子

RGND

SDI

VSUB

GND

VSS

-5.0V

DOC 。＃ DSFP - HV7355

D070813

Supertex公司公司。

www.supertex.com

HV7355

订购信息

产品型号

HV7355K6-G

HV7355K6 -G M937

封装选项

56引脚QFN （ 8×8 ）

填料

250/Tray

2000/Reel

引脚配置

56

1

-G表示无铅（Pb ） - 免费/ RoHS兼容封装

绝对最大额定值

参数

V

LL

，正逻辑电源

GND ， RGND和V

子

价值

0V

-0.5V至+ 7.0V

+ 0.5V至-7.0V

-0.5V到+ 160V

-0.5V至+ 7.0V

-40°C至125°C

-65 ℃150 ℃的

56引脚QFN

（ TOP VIEW ）

V

DD

，正逻辑和电平转换器供应

V

PP

高电压的正电源

(V

TXX

- RGND ）电压

( V

PP

-V

TXX

）电压

V

SS

，负电平转换器和电源LR

包装标志

HV7355K6

LLLLLLLLL

YYWW

AAA CCC

工作温度

储存温度

所有的逻辑输入引脚

X

， NIN

X

和EN电压

L =批号

YY =年密封

WW =周密封

A =汇编ID

C =原产地

= “绿色”包装

封装可以包括或不包括以下标记： Si或

56引脚QFN

绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏可能

发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续运行

该设备在绝对评价等级会影响器件的可靠性。所有的电压都是

参考器件接地。

典型热阻

包

56引脚QFN （ 8.0x8.0 ）

θ

ja

21

O

C / W

上电顺序

步

1

2

3

4

5

描述

V

SS

V

LL

用逻辑信号为低

V

DD

V

PP

EN &逻辑信号到高

断电顺序

步

1

3

4

5

6

描述

EN &逻辑低电平信号

V

PP

V

DD

V

LL

V

SS

注意：

在任意的顺序加电/下不会对器件造成的损坏。在加电/断电顺序只推荐

为了最大限度地减少可能的浪涌电流。

真值表

（ MC = X ）

逻辑输入

EN

1

0

Q[7:0]

1111,1111

0

X

IN0~7

0

1

X

产量

TX0~7

GND

VPP

GND

成为HiZ

驱动模式控制表

MC

0

1

(A)

I

SC

R

ONP

18

8.0

R

ONN

13

3.0

0.50

1.6

注意：

V

PP

= +150V, V

DD

= +5.0 V, V

LL

= +3.3V, V

SS

= -5.0V, V

子

= 0V

DOC 。＃ DSFP - HV7355

D070813

2

Supertex公司公司。

www.supertex.com

HV7355

工作电源电压和电流（八活动通道）

符号

V

LL

V

DD

V

PP

V

SS

V

PF

I

LL

I

DDQ

I

DDEN

I

DDEN

I

DDENCW

I

SSQ

I

SSEN

I

SSEN

I

SSENCW

I

PPQ

I

PPEN

I

PPEN

I

PPENCW

参数

逻辑电压参考

内部电源

正栅极驱动电源

负低压电源

栅极驱动电压浮动

V

LL

目前EN =低

V

DD

目前EN =低

V

DD

目前EN =高

V

DD

目前MC =高

V

DD

目前MC =低

V

SS

目前EN =低

V

SS

目前EN =高

V

SS

目前MC =高

V

SS

目前MC =低

V

PP

目前EN =低

V

PP

目前EN =高

V

PP

目前MC =高

V

PP

目前MC =低

民

2.37

4.5

V

DD

-5.5

-

典型值

3.30

5.0

-

-5.0

5.0

2.0

50

1.0

160

12

5.0

1.0

95

50

2.0

200

370

300

最大

3.47

5.5

+150

-4.5

-

10

150

4.0

-

20

4.0

-

10

450

-

V

μA

mA

μA

mA

μA

mA

---

F = 0MHz处

F = 5.0MHz ，连续

无负荷

---

F = 0MHz处

F = 5.0MHz ，连续

无负荷

---

F = 0MHz处

F = 5.0MHz ，连续

无负荷

（工作条件，除非另有规定ED ，V

LL

= +3.3V, V

添加

= V

DD

= +5.0V, V

SS

= -5.0V ,V

PP

= + 150V ，T

A

= 25°C)

单位条件

欠压和过温保护

符号

V

UVDD

V

UVLL

V

UVPF

参数

V

DD

门槛

V

LL

门槛

V

PP

- V

PF

门槛

民

3.4

-

2.5

典型值

-

1.7

-

最大

4.4

-

3.8

单位条件

V

（仅限内部使用）

逻辑输入

符号

V

IH

V

IL

I

IH

I

IL

C

IN

（工作条件，除非另有规定ED ，V

LL

= +3.3V, V

添加

= V

DD

= +5.0V, V

SS

= -5.0V ,V

PP

= + 150V ，T

A

= 25°C)

参数

输入逻辑高电压

输入逻辑低电压

输入逻辑高电流

输入逻辑低电流

输入逻辑电容

民

(V

LL

- 0.4)

0

-

-1.0

-

典型值

-

最大

V

LL

0.4

1.0

-

5.0

单位条件

V

μA

pF

---

DOC 。＃ DSFP - HV7355

D070813

3

Supertex公司公司。

www.supertex.com

HV7355

电气特性

符号

I

OUT

R

ON

I

OUT

R

ON

符号

I

OUT

R

ON

I

OUT

R

ON

参数

输出饱和电流

通道电阻

输出饱和电流

通道电阻

参数

输出饱和电流

通道电阻

输出饱和电流

通道电阻

（工作条件，除非另有规定ED ，V

LL

= +3.3V, V

添加

= V

DD

= +5.0V, V

SS

= -5.0V ,V

PP

= + 150V ，T

A

= 25°C)

P沟道MOSFET输出， TX0 7

民

1.4

-

0.5

-

民

1.5

-

0.5

-

典型值

1.6

8.0

-

18

典型值

1.7

3.0

-

22

最大

-

最大

-

单位条件

A

Ω

A

Ω

MC = 1

100mA

MC = 0

100mA

N沟道MOSFET输出， TX0 7

单位条件

A

Ω

A

Ω

MC = 1

I

SD

= 100毫安

MC = 0

100mA

AC电气特性

符号

t

INRF

t

r

t

f

OUT

t

EN -ON

t

EN -OFF

t

dr

t

df

t

dm

Δt

延迟

t

j

参数

输入数据上升/下降时间最大

输出上升时间

输出下降时间

输出频率范围

最初的启用时间

输出禁止时间

延迟时间上的投入上升

延迟时间上的投入秋天

延时模式改变

延迟时间匹配

在上升或下降时延抖动

（工作条件，除非另有规定ED ，V

LL

= +3.3V, V

添加

= V

DD

= +5.0V, V

SS

= -5.0V ,V

PP

= + 150V ，T

A

= 25°C)

民

-

典型值

-

24

-

150

2.0

5.0

50

± 2.0

15

最大

10

-

18

200

5.0

-

70

-

单位条件

ns

兆赫

μs

ns

ps

---

330pF的// 2.5kΩ负载

见时序测试图

100Ω电阻负载，V

PP

= +90V

2μF每个公积金销

到90 ％的V

公积金

在5.0MHz CW

V

PP

= 25V

1.0Ω电阻负载，50％至50％的

见时序测试图

P为N，信道到信道

---

串行数据接口时序特性

符号

f

SCK

t

1

t

2

t

3

t

4

t

5

t

6

t

7

t

8

t

9

t

10

参数

串行时钟最大。频率

SDI有效期至SCK建立时间

SDI有效期至SCK保持时间

SCK高时间

SCK低电平时间

CS脉冲宽度

SCK高到CS高

CS低到SCK高

从SCK的上升沿SDO延迟

CS高到SCK的上升沿

SCK高到低LE

民

25

0

4.0

9.0

7.0

-

7.0

典型值

-

2.0

-

6.5

-

（工作条件，除非另有规定ED ，V

LL

= +3.3V, V

添加

= V

DD

= +5.0V, V

SS

= -5.0V ,V

PP

= + 150V ，T

A

= 25°C)

最大

-

单位条件

兆赫

ns

SDO 100pF电容到GND

所有从/到50 ％的上升或下降沿

（见时序图）

所有从/到50 ％的上升或下降沿

（见时序图）

DOC 。＃ DSFP - HV7355

D070813

4

Supertex公司公司。

www.supertex.com

HV7355

输出时序测试图

+3.3V

+5.0V

+5.0至150V

VLL

AVDD

VDD

LR

VSS

公积金

VPP

VPF

EN

MC

IN0

PWR

VDD

VPP

CWD

LT

VDD

VPF

VDD

R1

RGND

TX0

Q0

LT

50%

IN

X

t

DRX

I

OUT

50%

TX7

+3.3V

逻辑

t

DFX

90%

VDD

VPP

LT

IN7

Q7

Q[7:0]

VDD

VPF

VDD

SET

LE

CS

SCK

SDO

LT

RGND

TX

X

0A

t

r

10%

t

f

数据锁存器

移位寄存器。

Q7

D0

子

SDI

VSUB

GND

VSS

-5.0V

串行数据接口时序图

t

1

SCK

t

2

1

t

3

2

t

4

3

7

t

6

8

t

9

SDI

t

5

CS

t

8

SDO

LE

t

10

t

7

DOC 。＃ DSFP - HV7355

D070813

5

Supertex公司公司。

www.supertex.com