HV57009
64通道串行到并行转换
用P沟道开漏可控输出电流
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80引脚四方
陶瓷鸥翼
80引脚四方
胶鸥翼
DIE
80引脚四方
陶瓷鸥翼
( MIL - STD- 833加工* )
RBHV57009DG
HV57009
HV57009DG
HV57009PG
HV57009X
*对于高可靠性的工艺流程,请参阅数据手册的第5-3页。
特点
处理与HVCMOS
技术
5V CMOS逻辑
输出电压可达-85V
输出电流源控制
相当于16MHz的数据传输速率
锁存输出数据
正向和反向转换选项( DIR引脚)
二极管V
DD
让英法fi cient恢复供电
高可靠性的处理提供
概述
在HV570是低电压的串行到高电压平行CON-
变频器与P沟道开漏输出。该装置已
设计用作用于等离子面板的驱动。
该装置具有两个平行的32位移位寄存器,允许数据
速率1的两倍的速度(它们的时钟一起) 。那里
也是64的锁存器和控制逻辑来执行的消隐
的输出。 HV
OUT
1被连接到所述第一变速的第一阶段
注册通过消隐逻辑。数据是通过偏移
上的逻辑低到时钟的高电平的转换移位寄存器。该
DIR引脚使CCW换挡时连接到V
SS
和CW
当连接到V转换
DD
。提供数据输出缓冲器
用于级联的设备。这个输出反映当前状态的
移位寄存器的最后一位(HV
OUT
64)。移位操作
寄存器不受对LE (锁存使能) ,或对BL
(空白)输入。数据从移位寄存器转移到
当LE输入为高电平时锁存器。在锁存器中的数据
被存储时, LE是低的。
该HV570具有64个通道的输出恒流采购
能力。他们是可调范围为0.1 2.0毫安通过一个
外部电阻器或电流源。
绝对最大额定值
电源电压,V
DD1
输出电压V
NN1
逻辑输入电平
1
地电流
2
连续总功率耗散
3
塑料
陶瓷的
工作温度范围
存储温度范围
铅温度1.6mm ( 1/16英寸)
从案例10秒
-0.5V至+ 7.5V
V
DD
+ 0.5V至-95V
-0.3V到V
DD
+0.3V
1.5A
1200mW
1900mW
塑料
-40 ° C至+ 85°C
陶瓷-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
260°C
注意事项:
1.所有电压参考V
SS
.
2.通过将总功率耗散在包的限制。
3.对于经营超过25° C的环境减免线性最大运行
温度在20毫瓦/°C,适用于塑料和19MW / ℃的陶瓷。
03/12/02
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1
HV57009
图3 :功能框图
D
I / O
2A
I / O
1A
LE
BL
V
DD
I / O
DIR
CLK
LATCH
SR1
LATCH
HV
OUT
1
HV
OUT
2
HV
OUT
3
HV
OUT
32
HV
OUT
33
HV
OUT
34
HV
OUT
35
HV
OUT
64
LATCH
SR2
LATCH
I / O
可编程
当前
D
I / O
2B + D
I / O
1B
V
SS
V
BP
+ IN
-IN
注意:
每个SR (移位寄存器)提供32路输出。 SR1提供输出1到32和SR2供给输出33至64 。
图4 :功能表
输入
功能
所有的O / P高
数据漏网
(锁存Tansparent )
在锁存器存储数据
I / O关系
DATA IN
X
L
H
X
D
I / O
1-2A
D
I / O
1-2A
D
I / O
1-2B
D
I / O
1-2B
X
CLK
X
LE
X
H
H
L
H
L
L
H
BL
L
H
H
H
H
H
H
H
DIR
X
X
X
X
H
H
L
L
SHIFT REG
*
L....L
H....H
*
Q
n
→Q
n+1
Q
n
→Q
n+1
Q
n
→Q
n-1
Q
n
→Q
n-1
输出
高压输出
ON
ON
关闭
反转
存储数据
新开或关
上一页ON或OFF
上一页ON或OFF
数据输出
*
L
H
*
D
I / O
1-2B
D
I / O
1-2B
D
I / O
1-2A
D
I / O
1-2A
新开或关
注意事项:
* =取决于前一阶段的状态。参见图7
IN
和D
OUT
引脚指定为顺时针和逆时针转向。
H = V
DD
(逻辑) / V
NN
( HV输出)
L = V
SS
5