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HV440
高压环式发电机
订购信息
工作电压
V
PP1
- V
NN1
220V
封装选项
SOW-16
HV440WG
特点
220V的最大工作电压
集成的高电压晶体管
高达70 V
RMS
振铃信号
通过脉冲过电流保护脉冲输出
5 REN输出能力
外部MOSFET的输出提升评级至20任
概述
Supertex公司HV440是一个单片集成电路可
产生高达70V RMS正弦波输出频率
15Hz的为60Hz与5北美的REN的负载。其输出
评级可以提高到20北美的REN与
另外两个Supertex公司的MOSFET ：一个N沟道MOSFET ，
在TN2524N8和一个P沟道MOSFET ，在TP2522N8 。
高电压输出P和N沟道晶体管是CON-
由逻辑输入P独立受控
IN
和N
IN
。连
MODE引脚接地可以使与控制设备
一个单一的输入，N-
IN
。这增加了200ns的死区的控制
逻辑以避免在高电压输出交叉传导。逻辑
高n个
IN
会变成高电压的P沟道上和N-
通道关闭。高电压输出具有逐脉冲过
电流保护由两个外部检测电阻器设定。公称
PWM逻辑输入频率为100KHz 。
应用
微控制器或微处理器控制的高压
铃流发生器
机顶盒/街道中环发生器
线对增益铃流发生器
无线本地环路
光纤中的环路/到路边
同轴电缆回路
引脚配置
V
PP1
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
PP2
P
门
V
PSEN
HV
OUT
V
NSEN
N
门
V
NN2
V
NN1
绝对最大额定值
V
PP1
- V
NN1
，电源电压
V
PP1
，正高电压电源
V
PP2
，正栅极电压供给
V
NN1
负高电压电源
V
NN2
负门极电压供应
V
DD
，逻辑电源
储存温度
功耗
+240V
+120V
+120V
-170V
-170V
+7.5V
-65 ° C至+ 150°C
800mW
P
GND
GND
模式
P
IN
N
IN
EN
V
DD
顶视图
SOW-16
A032105
1
电气特性
（在工作电压，除非另有规定，T
A
= 25°C.)
HV440
民
15
V
PP1
- 9.9
V
PP1
- 220
4.5
250
250
典型值
最大
110
V
PP1
-19.1
-110
V
NN1
+ 10.5
5.5
400
550
150
60
1.7
1.9
1.0
25
0
4.0
1.0
5.0
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
A
V
V
MODE = 0V
V
DD
= 5.0V
V
DD
= 5.0V
条件
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
P
IN
= N
IN
= 0V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C
P
IN
= N
IN
= 0V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C
P
IN
= N
IN
= 0V模式= 0
P
IN
= N
IN
= 0V模式= 1
无负载，V
OUTP
和V
OUTN
在切换
为100KHz ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C
无负载，V
OUTP
和V
OUTN
在切换
为100KHz ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C
符号参数
V
PP1
V
PP2
V
NN1
V
NN2
V
DD
I
PP1Q
I
NN1Q
I
DDQ
I
DDQ
I
PP1
I
NN1
I
DD
I
IL
V
IL
V
IH
高电压的正电源
正线性稳压器的输出电压
高电压的负电源
逻辑电源电压
V
PP1
静态电流
V
NN1
静态电流
V
DD1
静态电流
V
DD1
静态电流
V
PP1
工作电流
V
NN1
工作电流
V
DD
工作电流
模式逻辑输入低电平电流
逻辑输入低电压
逻辑输入高电压
负线性稳压器的输出电压V
NN1
+ 5.6
高电压输出
符号参数
R
来源
V
OUT
P源电阻
I
OUT
= 100毫安
R
SINK
V
OUT
P下沉阻力
ΔR / ΔT
更改源出/吸入性
过温
t
D（上）
HV
OUT
延迟时间
t
上升
HV
OUT
上升时间
t
D（关闭）
HV
OUT
延迟时间
t
秋天
HV
OUT
下降时间
t
db
逻辑死区时间
V
PSEN
HV
OUT
电流源检测电压
V
NSEN
t
SHORTP
t
SHORTN
t
whout
t
wlout
HV
OUT
电流吸收器检测电压
HV
OUT
断时电流源感
被激活
HV
OUT
断时电流吸收器感
被激活
最小脉冲宽度HV
OUT
在V
PP1
最小脉冲宽度HV
OUT
在V
NN1
民
典型值
60
60
0.33
150
50
200
50
200
V
PP1
- 1.25
V
PP1
-1.31
V
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
ns
ns
ns
ns
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
V
NN1
+ 1.33
100
100
500
500
最大
80
80
单位
/°C
ns
ns
ns
ns
ns
V
I
OUT
= -100mA
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
P
IN
=高后低，模式=高
P
IN
=前高后低
N
IN
=从低到高，模式=高
N
IN
=低到高
MODE = LOW
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
条件
V
PP1
-0.75
V
PP1
-0.67
V
NN1
+ 0.65
V
PP1
-1.00
V
NN1
+ 0.75 V
NN1
+ 1.00 V
NN1
+ 1.25
真值表
N
IN
L
L
H
H
L
H
X
P
IN
L
H
L*
H
X
X
X
模式
H
H
H
H
L
L
X
EN
L
L
L
L
L
L
H
2
HV
OUT
V
PP1
高Z
–
V
NN1
V
NN1
V
PP1
高Z
032105
*
此状态将短期V
PP1
到V
NN1
因此应避免使用。
框图
V
PP1
当前
SENSE
和
司机
线性
REG
V
PSEN
HV440
V
DD
P
IN
N
IN
EN
模式
GND
高
电压
水平
翻译者
P
门
V
PP2
HV
OUT
逻辑
V
DD
高
电压
水平
翻译者
线性
REG
当前
SENSE
和
司机
P
GND
V
NN2
N
门
V
NSEN
V
NN1
引脚说明
V
PP1
V
PP2
V
NN1
V
NN2
V
DD
GND
保护地
P
IN
N
IN
EN
模式
HV
OUT
V
PSEN
V
NSEN
P
门
N
门
正的高电压电源。
正栅极电压供给。通过内部线性稳压器产生。一个0.1μF的电容被连接到V之间
PP2
和V
PP1
.
负高电压电源。
负门极电压供应。通过内部线性稳压器产生。一个0.1μF的电容被连接到V之间
NN2
和V
NN1
.
逻辑电源电压。
低压接地。
高压电源地。
逻辑控制输入。当模式为高，逻辑输入高变为OFF输出高电压P沟道。
逻辑控制输入。当模式为高，逻辑输入高导通输出高电压N沟道。
逻辑使能输入栏。逻辑低电平使IC 。
逻辑模式输入。逻辑低电平激活200nsec死区。当模式为低，N
IN
打开和关闭所述高压N-和
P-通道。引脚不使用，应连接到V
DD
或地面。
高电压输出。从V电压波动
PP1
到V
NN1
.
逐脉冲过电流检测内部P沟道MOSFET 。
逐脉冲过电流检测内部N沟道MOSFET 。
栅极驱动外部P沟道MOSFET 。
栅极驱动外部N沟道MOSFET 。
032105
3
典型应用电路
V
PP1
4.3
高
电压
水平
翻译者
当前
SENSE
和
司机
线性
REG
V
PSEN
P
门
V
PP2
HV
OUT
逻辑
V
DD
高
电压
水平
翻译者
线性
REG
V
NN2
N
门
当前
SENSE
和
司机
P
GND
1.5mH
0.1F
HV440
V
DD
P
IN
N
IN
μ-控制器
EN
模式
GND
正弦
WAVE
环输出
0.22F
V
NSEN
4.3
V
NN1
0.1F
HV440
032105
4
包装外形
16引脚SOW （宽体）封装外形（ WG ）
10.30x7.50mm身体， 2.65毫米高度（最大） ， 1.27mm间距
16
D
θ1
E1
注1
（索引区
0.25D X 0.75E1 ）
1
E
L2
规
飞机
L
L1
θ
座位
飞机
顶视图
A
h
h
A A2
e
视图B
意见
B
注1
座位
飞机
A1
b
A
SIDE VIEW
查看A-A
注1 ：
该倒角功能是可选的。如果它不存在，则引脚1 identi连接器必须位于索引区indicated.The引脚1 identi连接器可以是
的模具中，或嵌入的金属或标记功能。
符号
民
维
喃
(mm)
最大
A
2.15
-
2.65
A1
0.10
-
0.30
A2
2.05
-
2.55
b
0.31
-
0.51
D
10.10
10.30
10.50
E
9.97
10.30
10.63
E1
7.40
7.50
7.60
e
1.27
BSC
h
0.25
-
0.75
L
0.40
-
1.27
L1
1.40
REF
L2
0.25
BSC
θ
0
O
-
8
O
θ1
5
O
-
15
O
JEDEC的登记MS- 013 ，变化AA ，发行E， 2005年09月。
附图不是按比例绘制的。
文档。 ＃ ： DSPD - 16SOWWG
B032607
HV440
高压环式发电机
订购信息
工作电压
V
PP1
- V
NN1
220V
封装选项
SOW-16
HV440WG
特点
220V的最大工作电压
集成的高电压晶体管
高达70 V
RMS
振铃信号
通过脉冲过电流保护脉冲输出
5 REN输出能力
外部MOSFET的输出提升评级至20任
概述
Supertex公司HV440是一个单片集成电路可
产生了一个70V RMS正弦波输出频率
15Hz的为60Hz与5北美的REN的负载。其输出
评级可以提高到20北美的REN与
另外两个Supertex公司的MOSFET ：一个N沟道MOSFET ，
在TN2524N8和一个P沟道MOSFET ，在TP2522N8 。
高电压输出P和N沟道晶体管是CON-
由逻辑输入P独立受控
IN
和N
IN
。连
MODE引脚接地可以使与控制设备
一个单一的输入，N-
IN
。这增加了200ns的死区的控制
逻辑以避免在高电压输出交叉传导。逻辑
高n个
IN
会变成高电压的P沟道上和N-
通道关闭。高电压输出具有逐脉冲过
电流保护由两个外部检测电阻器设定。公称
PWM逻辑输入频率为100KHz 。
应用
微控制器或微处理器控制的高压
铃流发生器
机顶盒/街道中环发生器
线对增益铃流发生器
无线本地环路
纤维在环路/到路边
同轴电缆回路
引脚配置
V
PP1
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
PP2
P
门
V
PSEN
HV
OUT
V
NSEN
N
门
V
NN2
V
NN1
绝对最大额定值
V
PP1
- V
NN1
，电源电压
V
PP1
，正高电压电源
V
PP2
，正栅极电压供给
V
NN1
负高电压电源
V
NN2
负门极电压供应
V
DD
，逻辑电源
储存温度
功耗
+240V
+120V
+120V
-170V
-170V
+7.5V
-65 ° C至+ 150°C
800mW
P
GND
GND
模式
P
IN
N
IN
EN
V
DD
顶视图
SOW-16
12/13/01
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
1
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
HV440
电气特性
（在工作电压，除非另有规定，T
A
= 25°C.)
符号参数
V
PP1
V
PP2
V
NN1
V
NN2
V
DD
I
PP1Q
I
NN1Q
I
DDQ
I
PP1
I
NN1
I
DD
I
IL
V
IL
V
IH
高电压的正电源
正线性稳压器的输出电压
高电压的负电源
逻辑电源电压
V
PP1
静态电流
V
NN1
静态电流
V
DD1
静态电流
V
PP1
工作电流
V
NN1
工作电流
V
DD
工作电流
模式逻辑输入低电平电流
逻辑输入低电压
逻辑输入高电压
0
4.0
25
1.0
5.0
民
15
V
PP1
- 9.9
V
PP1
- 220
4.5
250
250
典型值
最大
110
V
PP1
-19.1
-110
V
NN1
+ 10.5
5.5
400
550
10
1.7
1.9
1.0
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
mA
mA
mA
A
V
V
MODE = 0V
V
DD
= 5.0V
V
DD
= 5.0V
条件
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
P
IN
= N
IN
= 0V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C
P
IN
= N
IN
= 0V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C
P
IN
= N
IN
= 0V
无负载，V
OUTP
和V
OUTN
在切换
为100KHz ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C
无负载，V
OUTP
和V
OUTN
在切换
为100KHz ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C
负线性稳压器的输出电压V
NN1
+ 5.6
高电压输出
符号参数
R
来源
V
OUT
P源电阻
R
SINK
V
OUT
P下沉阻力
ΔR / ΔT
更改源出/吸入性
过温
t
D（上）
HV
OUT
延迟时间
t
上升
HV
OUT
上升时间
t
D（关闭）
HV
OUT
延迟时间
t
秋天
HV
OUT
下降时间
t
db
逻辑死区时间
HV
OUT
电流源检测电压
V
PSEN
V
NSEN
t
SHORTP
t
SHORTN
t
whout
t
wlout
HV
OUT
电流吸收器检测电压
HV
OUT
关闭延迟时间电流源
感觉被激活
HV
OUT
断时电流吸收器
感觉被激活
最小脉冲宽度HV
OUT
在V
PP1
最小脉冲宽度HV
OUT
在V
NN1
民
典型值
60
60
0.33
150
50
200
50
200
V
PP1
- 1.25
V
PP1
-1.31
V
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
ns
ns
ns
ns
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
V
NN1
+ 1.33
100
100
500
500
最大
80
80
单位
/°C
ns
ns
ns
ns
ns
V
条件
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= -100mA
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
P
IN
=高后低，模式=高
P
IN
=前高后低
N
IN
=从低到高，模式=高
N
IN
=低到高
MODE = LOW
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
V
PP1
-0.75
V
PP1
-0.67
V
NN1
+ 0.65
V
PP1
-1.00
V
NN1
+ 0.75 V
NN1
+ 1.00 V
NN1
+ 1.25
真值表
N
IN
L
L
H*
H
L
H
X
P
IN
L
H
L*
H
X
X
X
模式
H
H
H
H
L
L
X
EN
L
L
L
L
L
L
H
HV
OUT
V
PP1
高Z
–
V
NN1
V
NN1
V
PP1
高Z
*此状态将短期V
PP1
到V
NN1
因此应避免使用。
2
HV440
框图
V
PP1
当前
SENSE
和
司机
线性
REG
V
PSEN
V
DD
P
IN
N
IN
EN
模式
GND
高
电压
水平
翻译者
P
门
V
PP2
HV
OUT
逻辑
V
DD
高
电压
水平
翻译者
线性
REG
P
GND
V
NN2
N
门
当前
SENSE
和
司机
V
NSEN
V
NN1
引脚说明
V
PP1
V
PP2
V
NN1
V
NN2
V
DD
GND
保护地
P
IN
N
IN
EN
模式
HV
OUT
V
PSEN
V
NSEN
P
门
N
门
正的高电压电源。
正栅极电压供给。通过内部线性稳压器产生。一个0.1μF电容应连接之间
V
PP2
和V
PP1
.
负高电压电源。
负门极电压供应。通过内部线性稳压器产生。一个0.1μF电容应连接之间
V
NN2
和V
NN1
.
逻辑电源电压。
低压接地。
高压电源地。
逻辑控制输入。当模式为高，逻辑输入高变为OFF输出高电压P沟道。
逻辑控制输入。当模式为高，逻辑输入高导通输出高电压N沟道。
逻辑使能输入栏。逻辑低电平使IC 。
逻辑模式输入。逻辑低电平激活200nsec死区。当模式为低，N
IN
打开和关闭所述高压N-和
P-通道。引脚不使用，应连接到V
DD
或地面。
高电压输出。从V电压波动
PP1
到V
NN1
.
逐脉冲过电流检测为P沟道MOSFET 。
逐脉冲过电流检测的N沟道MOSFET 。
栅极驱动外部P沟道MOSFET 。
栅极驱动外部N沟道MOSFET 。
3
HV440
典型应用电路
V
PP1
3.9
高
电压
水平
翻译者
当前
SENSE
和
司机
线性
REG
V
PSEN
P
门
V
PP2
HV
OUT
逻辑
V
DD
高
电压
水平
翻译者
线性
REG
V
NN2
N
门
当前
SENSE
和
司机
P
GND
1.5mH
正弦波
环输出
0.22F
0.1F
V
DD
P
IN
N
IN
μ-控制器
EN
模式
GND
V
NSEN
3.9
V
NN1
0.1F
HV440
12/13/010
2001 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
4
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
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推荐型号
HM91710B
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