HV300/HV310
HV300
HV310
KIT
DEMO
ABLE
AVAIL
热插拔，浪涌电流限幅控制器
（负电源轨）
概述
Supertex公司HV300 （和HV310 ）
热插拔控制器，负
供应
插入的过程中控制电源的连接
卡或模块插入带电背板。它们可以在被使用
传统的“负48V ”供电系统或更高的电压
总线高达负90V 。
在初始加电时防止操作开启毛刺，
和负载电容完全充电后（通常发现
在在HV300的DC-DC变换器）的输入滤波器（和
HV310 ）发出一个电源良好信号。此信号通常是
用于使所述DC-DC转换器。
在HV300和HV310的之间的唯一区别是
PWRGD上信号线的极性，以适应不同
的DC-DC转换器的模型。一旦PWRGD信号已经
建立的装置睡在低功率状态下，重要的
对于大型系统的许多个别热插拔卡或
模块。
外部功率MOSFET所需的导通元件，
加一个斜坡电容器和电阻器，建立限流
和过压和欠压锁定。没有必要为
额外的外部缓冲电路的元件。
功能是可编程的过压和欠压
检测输入电压的哪个锁住了负载连接
如果总线（输入）电压超出范围。的内部电压
稳压器创建了一个稳定的基准，并保持准确
栅极驱动电压。独特的控制环方案提供
全电流的控制，并在启动时限制。
特点
HV300 ， PWRGD =高电平有效
HV310 ， PWRGD =低电平有效
-10V到-90V输入电压范围
很少的外部元件
0.33毫安典型待机电流
可编程的过压/欠压与限制
迟滞
可编程电流限制
在初创阶段的所有主动控制
可编程时序
8引脚SOIC
应用
中心局交换
服务器
POTS线路卡
ISDN线路卡
xDSL线卡
PBX系统
以太网供电的VoIP
分布式电源系统
负电源控制
天线和固定无线系统
工作原理
最初的外部N沟道MOSFET是由栅极保持关闭
信号，防止输入毛刺。在延迟之后（而内部
电路被激活）的浪涌电流，负载由限定
栅极控制输出。电流可上升和限制在
通过一个外部电阻设定的最大值。初始
时间延迟，以允许接触弹跳，和充电操作
由单个外部斜坡电容器，连接确定
在RAMP引脚。当负载电容充电后，将
控制器出现从电流限制模式，额外的时间
延迟的外部N沟道MOSFET之前发生
晶体管被切换到全导通，并且PWRGD
输出信号被激活。该控制器将过渡到
低功率待机模式。
该HV300LG PWRGD是活性高（漏极开路），而
HV310LG PWRGD为低电平有效（V
EE
).
订购信息
V
EE
民
-90V
-90V
最大
-10V
-10V
封装选项
电源良好
信号
高电平有效
低电平有效
8引脚SOIC
HV300LG
HV310LG
08/26/02
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1
HV300/HV310
电气特性
(V
符号
参数
IN
= -10V到-90V ， -40°C
≤
T
A
≤
+ 85 ° C除非另有说明）
民
典型值
最大
单位
条件
供应
V
EE
I
EE
I
EE
（参考V
DD
针）
电源电压
电源电流
待机模式下电源电流
（参考V
EE
针）
1.26
1.16
100
1.0
1.26
1.16
100
1.0
V
V
mV
nA
V
V
mV
nA
从低到高的转变
高向低过渡
V
UV
= V
EE
+ 1.9V
从低到高的转变
高向低过渡
V
OV
= V
EE
+ 0.5V
-90
550
330
-10
650
400
V
A
A
V
EE
= -48V ，模式=限制
V
EE
= -48V ，模式=待机
OV和UV控制
V
UVH
V
UVL
V
UVHY
I
UV
V
OVH
V
OVL
V
OVHY
I
OV
UV高门槛
UV下限
UV迟滞
UV输入电流
OV阈值高
OV阈值低
OV滞后
OV输入电流
（参考V
EE
针）
40
电流限制
V
SENSE
电流限制门限电压
50
60
mV
V
UV
= V
EE
+ 1.9V,
V
OV
= V
EE
+ 0.5V
栅极驱动输出
V
门
I
GATEUP
（参考V
EE
针）
9.0
500
10
11
V
A
V
UV
= V
EE
+ 1.9V,
V
OV
= V
EE
+ 0.5V
V
UV
= V
EE
+ 1.9V,
V
OV
= V
EE
+ 0.5V,
V
UV
= V
EE
, V
OV
= V
EE
+ 0.5V
最大栅极驱动电压
栅极驱动上拉电流
I
GATEDOWN
栅极驱动器下拉电流
40
mA
时序控制 -
I
坡道
t
POR
t
上升
t
极限
t
PWRGD
V
坡道
测试条件： C = 100μF ，C
坡道
= 10nF电容，V
UV
= V
EE
+1.9V, V
OV
= V
EE
+ 0.5V ，外部MOSFET IRF530 *
RAMP引脚输出电流
时间从紫外到门开启
从门时间打开到V
SENSE
极限
限流模式的持续时间
从限流时间PWRGD
在电流限制模式下电压RAMP引脚
10
2.0
400
5.0
5.0
3.6
A
ms
s
ms
ms
V
V
SENSE
= 0V
（注1 ）
（注2 ）
电源良好输出
V
PWRGD
V
PWRGD
（参考V
EE
针）
90
0.5
0.8
V
V
I
PWRGD
= 1毫安
电源良好引脚击穿电压
电源良好引脚输出低电压
动态characterstics
t
GATEHLOV
t
GATEHLUV
OV DELAY
UV DELAY
500
500
ns
ns
注1：此时间取决于外部N沟道MOSFET的阈值电压。较高的阈值，时间越长这一定时。
注2 ：此电压取决于外部N沟道MOSFET的特性。
* IRF530是国际整流器公司的注册商标。
V
GS （ TH）
= 3V为IRF530 。
2
HV300/HV310
功能说明
插入背板热卖
电信，数据网络和某些计算机应用需要
从系统中插入和取出电路板的能力
没有整个系统断电。所有的电路板都
上的功率导轨一些滤波器的电容，这是特别
在电路板或利用网络终端设备的真实
分布式电源系统。插入会导致高
浪涌电流，可以造成损坏的连接器和电路
卡，并可能导致对无法接受的干扰
系统背板电源轨。
在HV300 / HV310的目的是让这些插入
电路卡或终端设备通过消除连接
这些浪涌电流，并在这些电路上电
全面的连接器插入后可控制的方式一直
实现的。在HV300 / HV310的目的是提供此功能
在-10至-90伏的范围内的负电源轨。
假设上述条件满足，同时继续
保持PWRGD输出无效和外部MOSFET
栅极电压低，电流源供给RAMP引脚
接通。连接到它的外部电容开始
电荷，从而开始由所确定的初始时间延迟
电容器的值。如果输入电源中断
在此期间（即造成触点颤动）或发生
OV和UV超出限制，立即复位，并发生
连接到RAMP引脚的外部电容被放电。
当RAMP引脚上的电压达到内部设定
电压限制时，栅极驱动器电路开始导通的
外部MOSFET ;允许电流轻轻上升超过一
期间的几百微秒到限流设定
点。而电路限制电流，在电压
RAMP引脚将被固定。
根据负载电容的值和所述
编程的电流限制，充电可能会持续一段
时间。的电流限制的大小是由编程
比较由感测电阻器连接形成的电压
在V之间
EE
和SENSE引脚为50mV （典型值） 。一旦
负载电容被充电，电流将它拖放
将导致斜坡电压继续上升;还提供
另一种编程的延迟。
当斜坡电压范围内的内部稳压1.2V
电压时，控制器将强制门全开和将
激活PWRGD引脚和电路将转变到低
功耗待机模式。的PWRGD引脚经常被用来作为一个
使下游的DC / DC转换器的负载。
在在启动周期的任何时间或以后，穿越
UV和OV限制（包括滞后）将导致立即
重置所有内部电路。此后，启动过程会
重新开始。
波形
漏
50V/div
V
IN
50V/div
门
5.00V/div
I
侵入
500mA/div
5.00ms/div
手术
初始功率应用的内部稳压器旨在提供
10伏的内部IC电路。直到适当的内部
电压达到所有电路都保持复位，开漏
PWRGD信号处于非活动状态，以抑制任何负载电路的开始
与栅极到源极的外部N沟道的电压
MOSFET为低。一旦内部欠压锁定
（ UVLO ）已经满足，电路检查输入电源
欠压（ UV）电压和过压（ OV ）检测电路
以确保该输入电压是在可接受的编程
极限。这些限制是由所选择的值来确定
电阻R1，R2和R3 ，它们构成了一个分压器。
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