HV257
32通道高电压
采样保持放大器器阵列
特点
32个独立的高电压放大器器
300V工作电压
295V输出电压
2.2V /μs的典型输出摆率
可调输出电流源限制
可调输出电流吸收器限制
72V / V的内部闭环增益
12MΩ反馈阻抗
布局非常适合模具应用
概述
Supertex公司HV257是一款32通道高电压采样和
持有扩增fi er阵列集成电路。它运行在一个单
高电压电源，高达300V ，以及两个低电压电源，
V
DD
和V
NN
.
所有32个采样和保持电路共享共同的模拟输入，
V
SIG
。各个采样和保持电路通过选
5至32逻辑解码器。在保持采样电压
电容是由一个低电压放大器ER和放大器ED缓冲
由高电压放大器呃用72V / V的闭环增益。
内部闭环增益被设定为一个输入电压范围
对0V至4.096V 。输入电压可高达5.0V ，但
输出会饱和。最大输出电压摆幅
5V以下的V
PP
高电压电源。该输出可以驱动
高达3000pF的容性负载。
最大输出源和吸收电流可调节
通过使用两个外部电阻器。一个外部R
来源
电阻器
控制最大的源电流和一个外部R
SINK
电阻控制的最大吸收电流。趋势/涌流
极限近似12.5V由外部电阻分
值。该设置适用于所有32个输出。低电压
硅结型二极管是由可以帮助监控芯片
温度。
应用
的MEMS（微机电系统）的驱动程序
压电换能器的驱动程序
光交叉点开关（使用MEMS技术）
典型应用电路
Supertex公司HV257
DAC
V
SIG
低电压
电源
高压
电源
HV
OUT
0
HV
OUT
1
HV
OUT
2
HV
OUT
3
x
y
y
x
微
处理器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
EN
D
GND
32
低电压
通道
SELECT
样品
和保持
高压
运算放大器阵列
MEMS
ARRAY
HV
OUT
30
HV
OUT
31
R
来源
R
SINK
A
GND
V
NN
HV257
绝对最大额定值
V
PP
高电压电源
AV
DD
，模拟低电压正电源
DV
DD
数字低电压正电源
AV
NN
，模拟低电压负电源
DV
NN
数字低电压负电源
逻辑输入电压
V
SIG
，模拟输入信号
SRV
PP
, V
PP
斜坡上升/下降
存储温度范围
最高结温
310V
8.0V
8.0V
-7.0V
-7.0V
-0.5V到DV
DD
0V至6.0V
TBDV /微秒
-65 ℃150 ℃的
150°C
设备
HV257
封装选项
100引脚MQFP
HV257FG
HV257FG-G
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
在这些条件下的功能操作，是不是暗示。该设备在连续操作
绝对的评级水平可能影响器件的可靠性。所有电压参考器件接地。
工作条件
符号
V
PP
V
DD
V
NN
I
PP
I
DD
I
NN
T
J
参数
高电压的正电源
低电压正电源
低电压负电源
V
PP
电源电流
V
DD
电源电流
V
NN
电源电流
工作温度范围
民
125
6.0
-4.5
-
-
-6.0
-10
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
300
7.5
-6.5
0.8
5.0
-
85
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°C
条件
---
---
---
V
PP
= 300V ，所有的HV
OUT
= 0V空载
V
DD
= 6.0V至7.5V
V
NN
= -4.5V至-6.5V
---
电气特性
（以上经营条件，除非另有规定编）
高电压放大器器
符号
HV
OUT
V
INOS
SR
BW
A
O
A
V
R
FB
C
负载
I
来源
I
SINK
R
来源
R
SINK
CT
DC
PSRR
参数
HV
OUT
电压摆幅
输入失调
HV
OUT
压摆率上升
HV
OUT
压摆率秋天
HV
OUT
-3dB带宽通道
开环增益
闭环增益
从高压反馈电阻
OUT
to
地
HV
OUT
吨容性负载
HV
OUT
输出电流限制范围
HV
OUT
下沉电流限制范围
外部电阻范围设置
最大电流源
外部电阻范围设置
最大吸电流
直流通道间串扰
电源抑制比V
PP
,
V
DD
, V
NN
民
0
-
-
-
-
70
68.4
9.6
0
50
50
25
25
-80
-40
典型值
-
-
2.2
2.0
4.0
100
72
12
-
-
-
-
-
-
-
最大
V
PP
-5
±50
-
-
-
-
75.6
-
3000
500
500
250
250
-
-
单位
V
mV
V / μs的
V / μs的
千赫
dB
V/V
M
pF
A
A
K
K
dB
dB
条件
---
输入参考
空载
空载
V
PP
= 300V
---
---
---
---
I
来源
= 12.5V / R
来源
I
SINK
= 12.5V / R
SINK
---
---
---
---
2
HV257
上电/掉电问题
外部保护二极管
该装置可因不当电/掉电而损坏
序列。为了防止损坏，请按照可接受的功率
上/下序列，并添加两个外部二极管，如图
图上的权利。的网络连接第一个二极管是一种高电压二极管
跨V
PP
和V
DD
，其中所述二极管的阳极连接
到V
DD
和二极管的阴极连接到V
PP
。任何低
电流，高电压的二极管，如1N4004 ，就足够了。
所述第二二极管是横跨伏的肖特基二极管
NN
和D
GND
，其中，
肖特基二极管的阳极连接到V
NN
和
阴极被连接到D
GND
。任何低电流肖特基二极管等
作为一个1N5817就足够了。
外部保护二极管连接
V
DD
1N4004或类似
V
PP
V
NN
1N5817或类似
D
GND
建议上电/掉电序列
在HV257需要所有电源，以充分和所有通道
刷新着V
SIG
= 0V ，迫使所有的高电压输出为0V 。
在此之前，高电压输出可有短暂
电压偏移取决于高于或低于地电平的选择
上电顺序。为了尽量减少游览活动：
1. V
DD
和V
NN
电源应该在同一应用
时间（或在几纳秒内） 。
2.所有渠道要不断地与刷新
V
SIG
= 0V ，只是之前，并同时在V
PP
正在不断升温。
拟议V
PP
斜坡上升的速度应该是10毫秒或更长，
减速为1毫秒或更长。
可以接受的上电序列
在HV257可通电以任何下列序列的
下面列出。
1) V
PP
2) V
NN
3) V
DD
4 ）输入和阳极
1) V
NN
2) V
DD
3) V
PP
4 ）输入和阳极
1) V
DD
＆放大器; V
NN
2 ）输入3 ）V
PP
4 ）阳极
接受掉电序列
该HV257可以关断任何以下的
下面顺序列出。
1 ）输入和阳极2 ）V
DD
3) V
NN
4) V
PP
1 ）输入和阳极2 ）V
PP
3) V
DD
4) V
NN
1 ）阳极2 ）V
PP
3 ）输入4 ）V
NN
＆放大器; V
DD
推荐的上电/掉电时序
A
0
- A
4
EN
300V
0
1
2 31
0
0
1
2
V
PP
V
DD
V
NN
V
SIG
HV
OUT
GND +/- V偏置X 72
0V
6.5V
0V
0V
-5.5V
0V
0V
HV
OUT
上电时的水平
V
PP
V
DD
V
NN
上电顺序
V
DD
前V
NN
0V
V
NN
前V
DD
V
PP
V
DD
V
NN
0V
6.5V
0V
6.5V
0V
0V
-5.5V
0V
-5.5V
HV
OUT
0V
-5.5V
HV
OUT
6.5V
0V
5
HV257
HV257
演示套件
可用的
32通道高电压
采样保持放大器器阵列
概述
该Supertex公司HV257是一个32通道的高电压样品和
保持放大器阵列集成电路。它运行在一个单一的高
电压源，即高达300V ，以及两个低电压电源，V
DD
和V
NN
.
所有32个采样和保持电路共享共同的模拟输入，
Vsig的。各个采样和保持电路由一个选定
5至32逻辑解码器。在保持采样电压
电容器是由一个低电压放大器缓冲和放大
高电压放大器72V / V的闭环增益。该
内部闭环增益被设定为0伏的输入电压范围
为4.096V 。输入电压可高达5.0V ，但输出将
饱和。最大输出电压摆幅为5V以下的V
PP
高电压电源。输出可驱动大电容负载
到3000pF的。
最大输出源和吸收电流可以通过调节
利用两个外部电阻器。一个外部R
来源
电阻器
控制最大的源电流和一个外部R
SINK
电阻控制的最大吸收电流。电流限制
大约是12.5V由外部电阻值来划分。
该设置适用于所有32个输出。低电压芯片
结型二极管是由可以帮助监控芯片
温度。
特点
32个独立的高电压放大器
300V工作电压
295V输出电压
2.2V /μs的典型输出摆率
可调输出电流源限制
可调输出电流吸收器限制
72V / V的内部闭环增益
12MΩ反馈阻抗
布局非常适合模具应用
应用
的MEMS（微机电系统）的驱动程序
压电换能器驱动器
光交叉点开关（使用MEMS技术）
典型用途
Supertex公司HV257
DAC
V
SIG
低电压
电源
高压
电源
HV
OUT
0
HV
OUT
1
HV
OUT
2
HV
OUT
3
x
y
y
x
微
处理器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
EN
DGND
32
低电压
通道
SELECT
样品
和保持
高压
运算放大器阵列
MEMS
ARRAY
HV
OUT
30
HV
OUT
31
R
来源
R
SINK
AGND
V
NN
A122104
A122104
1
HV257
订购信息
设备
HV257
最大输出
电压
295V
标称封闭
环路增益
72V/V
封装选项
100Lead MQFP
HV257FG
DIE
HV257X
绝对最大额定值*
V
PP
高电压电源
AV
DD
，模拟低电压正电源
DV
DD
数字低电压正电源
AV
NN
，模拟低电压负电源
DV
NN
数字低电压负电源
逻辑输入电压
V
IN
，模拟输入信号
存储温度范围
最高结温
310V
8.0V
8.0V
-7.0V
-7.0V
-0.5V到DV
DD
0V至6.0V
-65 ℃150 ℃的
150°C
*绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
在这些条件下的功能操作，是不是暗示。该装置的连续操作
在绝对的评级水平可能影响器件的可靠性。所有电压参考器件
地面上。
电气特性
符号
参数
（在工作条件，除非另有说明。 ）
民
典型值
最大
单位
条件
工作条件
V
PP
V
DD
V
NN
I
PP
I
DD
I
NN
T
J
高电压的正电源
低电压正电源
低电压负电源
V
PP
电源电流
V
DD
电源电流
V
NN
电源电流
结温范围
-5.2
-10
125
125
6.0
-4.5
300
7.5
-6.5
0.8
4.3
V
V
V
mA
mA
mA
C
V
PP
= 300V ，所有的HV
OUT
= 0V ，无负荷
V
DD
= 6.0V至7.5V
V
NN
= -4.5V至-6.5V
高电压放大器
HV
OUT
V
INOS
SR
BW
A
O
A
V
R
FB
C
负载
I
来源
I
SINK
HV
OUT
电压摆幅
输入电压偏移
HV
OUT
压摆率上升
HV
OUT
压摆率秋天
HV
OUT
-3dB带宽通道
开环增益
闭环增益
从高压反馈电阻
OUT
对地
HV
OUT
容性负载
HV
OUT
输出电流限制范围
HV
OUT
下沉电流限制范围
70
68.4
9.6
0
385
385
25
25
-80
-40
550
550
2.2
2.0
4.0
100
72.0
12
3000
715
715
250
250
75.6
0
V
PP
-5
±50
V
mV
V / μs的
V / μs的
千赫
dB
V/V
M
pF
A
A
K
K
dB
dB
A122104
输入参考。
空载
空载
V
PP
= 300V
R
来源
= 25K
R
SINK
= 25K
外部电阻范围为整定电流
R
来源
源限制
R
SINK
CT
DC
PSRR
外部电阻范围为整定电流
汇限制
直流通道间串扰
电源抑制比V
PP
, V
DD
和V
NN
2
HV257
采样和保持
符号
V
PED
R
SW
C
RD
鲁普
V
SIG
底座电压
采样保持开关电阻
采样和保持电容器
保持与输入时间时下垂率
输入电压范围
0
参数
民
典型值
1.0
5.0
10
12.0
2.0
5.0
最大
单位
mV
K
pF
V / S
V
输出所提述
输入参考
条件
逻辑解码器
符号
T
SU
T
H
V
IH
V
IL
l
IH
l
IL
参数
建立时间，地址，使
保持时间，地址，使巴
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输入逻辑高电流
输入逻辑低电流
-1.0
民
75
75
2.4
0
V
DD
1.2
1.0
典型值
最大
单位
ns
ns
V
V
A
A
V
IH
= V
DD
V
IL
= 0 V
条件
二极管
符号
PIV
V
F
I
F
T
C
参数
峰值反向电压
正向二极管压降
正向二极管电流
V
F
温度COEF网络cient
-2.20
0.60
100
民
典型值
最大
5.0
单位
V
V
A
毫伏/°C的
条件
阴极到阳极
如果= 100μA ，阳极到阴极@ 25
O
C
阳极到阴极
阳极到阴极
上电/掉电序列
该装置可因不当电/掉电而损坏
序列。为了防止损坏，请按照可以接受的
上电/掉电序列，并添加两个外部二极管作为
在下图中示出。所述第一二极管是一种高电压
跨V二极管
PP
和V
DD
其中，二极管的阳极是
连接到V
DD
和二极管的阴极连接到
VPP 。任何低电流高电压二极管，如1N4004将
是足够的。所述第二二极管是横跨伏的肖特基二极管
NN
和DGND其中肖特基二极管的阳极连接
到V
NN
和阴极连接到DGND 。任何低电流
肖特基二极管，如1N5817将是足够的。
V
DD
1N4004
或同级
V
NN
1N5817
或同级
V
PP
可以接受的上电序列
1) V
PP
or
1) V
NN
2) V
NN
2) V
DD
3) V
DD
3) V
PP
4 ）输入&阳极
4 ）输入&阳极
DGND
接受掉电序列
1 ）输入&阳极
or
1 ）输入&阳极
2) V
DD
2) V
PP
3) V
NN
3) V
DD
4) V
PP
4) V
NN
A122104
3
HV257
真值表
A4
L
L
L
L
H
H
H
X
H
H
H
X
H
H
H
X
A3
L
L
L
L
A2
L
L
L
L
A1
L
L
H
H
L
H
H
X
H
L
H
X
H
H
H
L
A0
L
H
L
H
EN
H
H
H
H
选择的S / H
0
1
2
3
29
30
31
所有打开
引脚说明
V
PP
B
YP
-V
PP
AV
DD
B
YP
-AV
DD
AV
NN
B
YP
-AV
NN
DV
DD
DV
NN
DGND
AGND
A0到A4
EN
VSIG
R
来源
R
SINK
阳极
阴极
HV
OUT
0到HV
OUT
31
高电压正电源。有两个垫。
低电压1.0到整个V 10nF的去耦电容
PP
和B
YP
-V
PP
is
所需。
模拟低电压正电源。这应该是在相同的电位
DV
DD
。有两个垫。
低电压1.0到整个AV 10nF的去耦电容
DD
和B
YP
-AV
DD
is
所需。
模拟低电压负电源。这应该是相同的电位
DV
NN
。有两个垫。
低电压1.0到整个AV 10nF的去耦电容
NN
和B
YP
-AV
NN
is
所需。
数字低电压正电源。这应该是相同的电位为AV
DD
.
有两个垫。
数字低电压负电源。这应该是相同的电位为AV
NN
.
有两个垫。
数字地
模拟地。有三个垫。他们需要在外部连接
在一起。
解码器逻辑输入。解决的通道将关闭采样保持开关。
采样和保持开关未解决的渠道保持畅通。
主动逻辑高电平输入。逻辑低电平将保持采样保持开关打开。
公共输入信号为所有32个采样和保持电路。
从研发外部电阻
来源
到V
NN
设置输出电流源的限制。
电流限制大约为12.5V由RSOURCE电阻值的分歧。
从研发外部电阻
SINK
到V
NN
设置输出电流吸收极限。当前
极限约为12.5V由R除以
SINK
电阻值。
一个低电压的硅二极管的阳极侧，可以用于监视模
温度。
一个低电压的硅二极管的阴极侧，可以用于监视模
温度。
放大器outpu.ts
A122104
5
QQ：2880707522 复制
