HV209
12通道高压模拟开关
特点
HVCMOS技术用于高性能
高达200V的工作电压
输出导通电阻通常为22Ω
在输出端集成泄放电阻
非常低的静态功耗-10μA
低寄生电容
-58dB在5MHz典型输出关断隔离
5.0V至12V CMOS逻辑电路
卓越的抗干扰能力
灵活的高电压电源
概述
Supertex公司HV209是200V低电荷注入12
通道高电压模拟开关配置为6 SPDT
模拟开关用于医疗超声等应用。
流血电阻器集成在输出切换到
消除电荷堆积在压电换能器。
泄放电阻在35K的标称值?
?
运用
HVCMOS技术,该器件结合了高电压
双向DMOS开关和低功耗CMOS逻辑亲
韦迪的高电压模拟信号,有效的控制。该
输出配置为单刀双掷模拟
开关。数据移入用一个6位的移位寄存器
外部时钟。对LE锁存移位寄存器的数据进
独立开关锁定。逻辑高电平连接的交换机
常见
X
申银万国
X
。逻辑低电平相连
X
申银万国
X
。逻辑
喜CL重置所有开关SW
X
同时。
框图
V
PP
D
LE
CL
V
NN
SW0
高压
水平
翻译者
Y0
SW0
SW1
D
LE
CL
高压
水平
翻译者
Y1
SW1
V
DD
CLK
D
IN
D
OUT
GND
6位
移
注册
SW2
D
LE
CL
高压
水平
翻译者
Y2
SW2
SW3
D
LE
CL
高压
水平
翻译者
Y3
SW3
SW4
D
LE
CL
高压
水平
翻译者
Y4
SW4
SW5
D
LE
CL
CL
LE
高压
水平
翻译者
Y5
SW5
R
GND1
/ R
GND2
HV209
工作条件
*
符号
V
PP
V
NN
V
DD
V
IH
V
IL
V
SIG
T
A
注意事项:
1
2
上电/掉电序列是任意的,除了GND必须上电了第一和掉电最后。
V
SIG
必须在V
PP
和V
NN
电压范围或在上电/掉电过渡浮动。
参数
正高电压电源
1
负高压电源
1
逻辑电源电压
1
高电平输入电压
低电平输入电压
模拟信号电压的峰 - 峰
2
经营自由的空气温度
价值
+ 40V至V
NN
+ 200V
-10V至-160V
+ 4.5V至+ 13.2V
0.8 V
DD
到V
DD
0V至0.2V
DD
V
NN
+ 10V至V
PP
-10V
0 ° C至70℃
真值表
数据输入
DO
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
D1
D2
D3
D4
D5
LE
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
CL
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
SW0
保持以前的状态
SW1
SW2
SW3
SW4
SW5
Y0
SW0
SW0
SW1
SW1
SW2
SW2
SW3
SW3
SW4
SW4
SW5
SW5
Y1
Y2
开关状态
Y3
Y4
Y5
5