HV100/HV101
订购信息
UV选项
34V
14V
封装选项
3引脚SOT- 223
HV100K5
HV101K5
HV100K5-G
HV101K5-G
引脚CON组fi guration
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
1
VPP
2
VNN
（ TOP VIEW ）
3
门
3引脚SOT- 223
绝对最大额定值
参数
V
PP
输入电压
工作环境温度范围
工作结温范围
存储温度范围
价值
-0.3V - 75.0V
-40
o
C至+ 85
o
C
-40°C至+ 125
-65℃至+ 150℃
门
o
o
o
o
引脚说明
针
V
PP
V
NN
功能
正电压电源连接到电路。
负电压的电源连接到电路。
栅极驱动器输出为外部n通道
MOSFET
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏可能
发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续运行
该设备在绝对评价等级会影响器件的可靠性。所有的电压都是
参考器件接地。
DC电气特性
(V
符号。
参数
供应（参考V
PP
针）
V
NN
I
NN
电源电压
电源电流
H
= V
DD
= 12V, V
L
= V
SS
= GND = 0V ，V
OE
= 3.3V ，T
J
= 25°C)
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
-72
-
-
0.6
UV
1.0
V
mA
---
V
NN
= -48.0V
UV控制（参考V
NN
针）
V
UVL
V
UVH
UV Threashold （从高到低）
30
12.3
-
-
34
14
3
1
38
15.7
-
-
V
V
V
V
HV100
HV101
HV100
HV101
UV迟滞
栅极驱动输出（参考V
NN
针）
V
门
SR
门
I
GATEDOWN
I
上拉
最大栅极驱动电压
初始转换率
栅极驱动器下拉电流
（塌陷）
帖子热插拔上拉电流
10
1.5
8
6
12
-
16
11
14
3.75
-
-
V
V / ms的
mA
μA
---
C
门
= 1nF的
V
门
= 1.0V; V
PP
= 11.5V
V
门
= 6.0V
2
HV100/HV101
功能说明
插入背板热卖
电信，数据网络和某些计算机应用
要求从插入和取出电路板的能力
系统没有整个系统断电。由于所有
电路卡对电源轨的一些滤波器电容，
这是在电路卡或网络终端更是如此
利用分布式电源系统设备，插入
会导致高的浪涌电流，可能会导致损坏
连接器和电路卡，并可能导致不可接受的
干扰对系统背板电源轨。
在HV100和HV101的设计，以方便插入
和除去这些电路卡或终端的连接
设备通过消除这些浪涌电流和供电
向上充满连接器之后，这些电路以可控的方式
插入已经实现。在HV100和HV101是
为了提供这种控制功能的支持负面
层轨道。
一个完整的POR期间， MOSFET的栅极结束后自动 -
适应操作开始。参考电流源关
在其上开始一个内部电容器产生电荷
斜坡电压上升为2.5 V / μs的压摆率。这
参考压摆率用于通过闭环系统来gen-
受这个门的输出电流以驱动外部的栅极
N沟道MOSFET与一个压摆率的为参考相匹配
ENCE压摆率。前栅极相交的基准电压，
这远低于在V
TH
行业标准的MOSFET ，
的上拉电流值被存储和自动适应环
被打开。此存储的上拉电流值被用来驱动
在热插拔期间的剩余时间内的门。该
结果是一个用C正常化
国际空间站
，这对于大多数的MOSFET
秤用C
RSS
.
MOSFET的栅极进行充电的电流源，直到它
到达反过来阈值，并开始向负载充电
电容。在这一点上的密勒效应的发生导致
有效电容寻找到门上升，
电流源的栅极充电会有影响不大
栅极电压。栅极电压基本上保持CON-
不变直到输出电容充满电。这一点
在MOSFET的栅极上的电压继续升高到
电压电平，保证全面开启MOSFET的。
它将保持在全开状态，直到下一个电压输入
检测条件。
如果电路试图打开到负载短路，则
米勒效应不会发生。栅极电压将继续上升
基本上以相同的速率作为基准斜坡指示
该短路存在。这是由控制电路检测到的
和结果在关断MOSFET发起2.5秒
延迟，然后将一个正常的再启动尝试。
如果在过程中的启动周期或后，输入任何时候
电压低于欠压阈值的GATE输出意志
被拉低到V
NN
以关断的N沟道MOSFET
和所有内部电路复位。一个正常的重启顺序
一旦输入电压上升高于UVLO将启动
阈值与迟滞。
操作描述
在初始功率应用的高输入电压的内部
调节的目的是提供一个稳压电源的内部
电路。直到适当的内部电压达到所有电路
被保持的复位，由内部的UVLO和栅极到源极
外部N沟道MOSFET的电压被保持关闭。一旦
内部稳压器电压超过UVLO门限，
输入欠压检测电路（ UV）检测输入
电压精读网络RM ，这是上面的内部编程
门槛。如果在任何时间在输入电压下降的紫外以下
阈值，所有的内部电路被复位，在GATE输出
被拉低到V
NN
。 UVLO检测协同工作
具有约3.5ms上电复位（ POR）时计时器到
克服触点颤动。一旦UVLO是SATIS网络版，该
门被裁定为V
NN
直到上电复位定时器到期。如若UV
监控切换上电复位定时器超时前，上电复位定时器
将被复位。这个过程将在每个时间的UVLO重复
是SATIS科幻版，直到一个完整的POR期间已经实现。
4
HV100/HV101
应用信息
打开钳
利用MOSFET作为导通元件热插拔控制器的所有
包括从V电容分压器
PP
到V
NN
到C
负载
, C
RSS
和C
GS
。在最具竞争力的解决方案，一个大的外部电容
被添加到传输元件的栅极，以限制电压上
门从这个分频器产生。在这些情况下，如果一个栅极
电容器不使用内部电路是不可用的
挡住门，因此电压输入快速上涨将
导致打开的瞬间导通元件。这使得
电流尖峰通过在MOSFET 。
在HV100和HV101包括一个内置的夹子，以确保
这个杂散电流毛刺不会发生。内置
钳适用于大多数的机械时间常数
连接器。可能有一些应用，但是，有
上升时间，比在1μs （ 100的NS ）的要少得多。在这些
情况下，可能需要从添加的电容器
MOSFET的栅极至源极钳位栅极和抑制
这个电流尖峰。在这些情况下，电流尖峰通常
含有非常少的能量，并且不造成损坏，甚至
如果电容器没有使用在门口。
短路保护
在HV100和HV101被关断模式提供短路保护
挺下来，如果用热交换相关的米勒效应不
发生。具体来说，如果在输出短路时则栅极将
上涨而不出现一个“扁平的反应” 。由于这样的事实，我们
已恢复正常的热交换期间通过任何元素，
定时器可被用来检测是否在栅极电压上升到高于
在该时间内的阈值，表示有一个短的存在。该
下图显示了一个典型的导通顺序与负载
短路，造成4A的峰值电流。
自动适应操作
在HV100和HV101自动适应机制提供了一个
重要的功能。它规范了热交换期间，无论
中通元件或负载电容一致的热交换效果。
通过这样做，它允许新的短路机制，以
因为工作的机制需要一个已知的时间基准。
在此期间可能出现的最大电流可以
通过增加串联的源极的电阻器来控制
在MOSFET 。下图显示了相同的电路与
一个电阻为100mΩ源和V之间插入
NN
。在这
情况下的最大电流要小25％。
上图说明了自动的有效性
适应机制。在本实施例3的MOSFET与昼夜温差
同的
国际空间站
和R
DSON
值被使用。顶部波形是
该热插拔电流，而底部波形是栅极
电压。如可以看到的，所述热交换周期被归一化，
栅极电压的初始斜率近似为2.5V / ms的
无论在MOSFET ，总热交换期间和
峰值电流的MOSFET类型依赖的函数
常乘用C
负载
.
典型地，如果使用相同类型的晶体管，所述热交换
结果将是非常一致的。如果不同类型的使用
他们通常会表现出的变化最小。
5
对于大多数应用，并通过元件时， HV100和
HV101提供了足够的最大电流，以限制
防止，而无需任何外部元件损坏。
在2.5秒的延迟的自动重试电路的规定时间为
通过元素的尝试之间冷却。
HV100/HV101
HV100
HV101
演示套件
可用的
3针热插拔，浪涌电流限幅控制器
（负电源轨）
概述
在HV100 / HV101是提供3针热插拔控制器
SOT- 223和MLP封装，这些无需外部元件
堂费比通元件等。在HV100 / HV101包含
许多发现，热插拔控制器，具有8引脚或功能
更多，并且一般需要许多外部元件。
这些功能包括欠压（UV）检测电路，
上电复位（ POR ）监控电路，浪涌电流LIMIT-
荷兰国际集团，短路保护和自动重试。此外，该
HV100 / HV101采用正在申请专利的机制，来样和
适应任何调整元件，从而导致一致的热插拔
配置文件无需任何编程。
在HV100和HV101的之间的唯一区别是
内部设置欠压（UV）的阈值。
特点
小于33 ％， SOT- 23
2
导通元件是唯一的外部部件
无检测电阻器
自动适应*到旁路元件
短路保护*
UV & POR监控电路
2.5S自动重试
±10V
to
±72V
输入电压范围
0.6毫安典型工作电源电流
内置钳位的交流通道开启毛刺
应用
-48V中部连接CE切换（线卡）
+ 48V服务器网络
+ 48V存储区域网络
+ 48V外围设备，路由器，交换机
+ 24V蜂窝和固定无线（海湾站，线路卡）
+ 24V工业系统
+ 24V UPS系统
-48V PBX & ADSL系统（线卡）
分布式电源系统
以太网供电的VoIP
订购信息
UV
选项
34V
14V
封装选项
3引脚SOT- 223 3引脚MLP
HV100K5
HV100K6
HV101K5
HV101K6
DIE
HV100X
HV101X
典型应用和波形
GND
V
PP
400F
直流/直流
变流器
+5V
COM
HV100
门
V
NN
-48V
IRF530
*专利申请中
1
IRF530是国际整流器公司的商标
2
MLP3x2包版本相比， 3mmx3mm SOT- 23-6
08/26/02
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
1
HV100/HV101
功能框图
VPP
调节器
UVLO
参考
发电机
UV
POR
定时器
逻辑
重新开始
定时器
门
VNN
功能说明
插入背板热卖
电信，数据网络和某些计算机应用需要
从系统中插入和取出电路板的能力
没有整个系统断电。因为所有的电路卡
对电源轨的一些滤波器的电容，这是埃斯佩
在电路板或利用网络终端设备cially真
分布式电源系统，插入可导致高浪涌
电流可造成损坏的连接器和电路卡
并可能导致在系统中不能接受的干扰
背板电源轨。
在HV100 / HV101的设计，以方便插入和
去除这些电路卡或终端分析装备的连接
通过消除这些浪涌电流和通电这些换货
以可控的方式电路经过充分的接头插入有
已经实现。在HV100 / HV101旨在提供对本
在负电源轨控制功能。
一个完整的POR期间， MOSFET的栅极结束后自动 -
适应操作开始。参考电流源被打开
它开始在内部电容产生的斜坡进行充电
电压上升为2.5 V / μs的压摆率。该参考
压摆率是用来通过一个闭环系统，以产生一门
输出电流以驱动外部N沟道的栅极
MOSFET，具有一个压摆率相匹配的参考压摆率。
前栅极相交的基准电压，该值远低于
在V
TH
的工业标准的MOSFET ，所述上拉电流值
被存储并自动适应环被打开。此存储的拉
当前值被使用的的剩余时间内，以驱动栅极
热插拔时期。其结果是一个用C正常化
国际空间站
，这
对于大多数的MOSFET秤用C
RSS
.
MOSFET的栅极进行充电的电流源，直到它
到达反过来阈值，并开始向负载充电
电容。在这一点上的密勒效应的发生导致
有效电容寻找到门上升，目前
源栅极充电都会对栅极电压的影响很小。
栅极电压基本上保持不变，直到输出
电容完全充电。在这一点上的栅极上的电压
MOSFET的继续上升到一个电压电平，保证
全面开启MOSFET的。它将保持在全开状态，直到
电压条件下的输入信号被检测到。
如果电路试图打开到负载短路，则米勒
效果也不会发生。栅极电压将继续上升
基本上以相同的速率作为基准斜坡指示
短路存在。这是由控制电路检测到，并
结果在关断MOSFET发起一个2.5秒的延迟，
在这之后，正常重新启动尝试。
如果在过程中的启动周期或后，输入任何时候
电压低于欠压阈值的栅极输出将是
下拉到V
NN
以关断的N沟道MOSFET和所有
内部电路被复位。一个正常的重启顺序将
发起一旦输入电压高于UVLO阈值
加上滞后。
操作描述
在初始功率应用的高输入电压的内部稳压
荡器的目的是提供一个稳压电源的内部电路。
直到适当的内部电压达到所有电路都举行
由内部的UVLO和栅极复位到源极的电压
外部N沟道MOSFET保持关断。一旦内部
稳压器电压超过UVLO门限，输入
欠压检测电路（UV）检测输入电压，以
确认它是高于内部设定的阈值。如果
在任何时间在输入电压低于欠压阈值，所有
内部电路被复位，GATE输出电压被下拉到
V
NN
。 UVLO检测工作的结合上电复位
约3.5ms （ POR）定时器克服触点颤动。
一旦UVLO满意的栅极保持到V
NN
直到POR
计时器到期。如果紫外线的POR之前监视切换
定时器超时后，上电复位定时器将被复位。这个过程将是
每次重复UVLO满足，直到一个完整的上电复位期间有
已经实现。
3
HV100/HV101
应用信息
打开钳
利用MOSFET作为导通元件热插拔控制器的所有
包括从V电容分压器
PP
到V
NN
到C
负载
, C
RSS
和C
GS
。在最具竞争力的解决方案，一个大的外部电容
被添加到传输元件的栅极，以限制电压上
门从这个分频器产生。如果在门的情况下，
电容器不使用内部电路不提供给持有
关的栅极，因此，在电压输入快速上升将导致
通元件开启了一会儿。这使得电流尖峰
通过在MOSFET 。
在HV100 / HV101包括一个内置的夹子，以确保该
杂散电流毛刺不会发生。内置的夹子将
对于大多数机械连接的时间常数工作。
可能有一些应用，但是，有上升时间是
大于1μs的时间（100的纳秒）少得多。在这些情况下，它可
有必要从MOSFET的栅极加上一个电容器
源钳位栅极和抑制这种电流尖峰。在
这些情况下的电流尖峰，通常含有非常少的
能量，并且不造成损害，即使电容器是不
用在栅极。
短路保护
在HV100 / HV101通过关闭提供短路保护
下来，如果用热交换相关的米勒效应不会发生。
具体地，如果在输出短路时则栅极会上升，而不
表现出“反响平平” 。由于这样的事实，我们有归一
美化版的热插拔期间的任何调整元件，定时器可
用于检测，如果栅极电压高于阈值内
那时，表示一个短的存在。下图
示出了一个典型的导通顺序与负载短路时，所得
在图4A的峰值电流。
2A/div
自动适应操作
在HV100 / HV101自动适应机制提供了祁门功夫，功夫
坦功能。它规范了热交换期间，无论
通元件或负载电容一致的热交换效果。
通过这样做，它允许新的短路机制工作
因为该机制需要一个已知的时间基准。
在此期间可能出现的最大电流可以是
通过增加串联的源极电阻控制
MOSFET。下图显示了相同的电路具有100mΩ的
源和V之间的电阻插入
NN
。在这种情况下
最大电流要小25％。
上图说明了自动的有效性
适应机制。在本实施例3的MOSFET具有不同
C
国际空间站
和R
DSON
值被使用。顶部波形是在热交换
电流，而底部波形是栅极电压。由于能
可以看出，在热交换期间被归一化，的初始斜率
栅极电压不管MOSFET大约2.5V / ms的，
和总的热交换周期和峰值电流的函数
MOSFET的类型有关的常数乘以被C
负载
.
典型地，如果使用相同类型的晶体管，所述热交换
结果将是非常一致的。如果不同类型的使用
他们通常会表现出的变化最小。
对于大多数应用，并通过元件时， HV100 / HV101
提供了足够的最大电流的限制，以防止
损坏，而无需任何外部元件。在2.5秒
自动重试电路的延迟时间提供了旁路元件
尝试之间进行冷却。
NTE66是NTE电子的商标。
IRF530是国际整流器公司的商标
IRF120M是国际整流器公司的商标
4
HV100/HV101
应用信息，续。
自动重试
不仅在HV100 / HV101提供短路保护
在一个3引脚封装，还包括内置的自动重启动一个2.5秒
定时器。在HV100 / HV101将不断尝试打开
系统每隔2.5秒，从而提供足够的时间进行调整元件
每次尝试后冷却下来。
编程HV100 / HV101
在HV100 / HV101无需之外的其他外部元件
传递元件，以提供迄今所描述的功能。在
某些应用程序使用的外部元件可能是有用
调整的最大允许浪涌电流，调整欠压锁定，或
以提供额外的栅极钳位如果电源轨有上升
次低于1毫秒。
上述所有的都是可能的，外部的最小数量
组件。
i)
要调整浪涌电流与外部组件简单
连接一个电容（C
FB
）从漏极到MOSFET的栅极。
浪涌计算就变成了：
I
侵入
= (C
国际空间站
/ (C
RSS
+ C
FB
） ） * 2.5e3 * C
负载
注意，电阻器（约10KΩ ）需要
加在串联使用C
FB
用来在反馈回路中的零
并限制杂散转弯上现在是由增强
较大的分部分。
ii)
为了提高欠压闭锁只需连接一个齐纳
在一系列与V二极管
PP
引脚。
2A/div
计算浪涌电流
如可以看到图中的下方，为一标准通
元，在HV100 / HV101将正常化热插拔时间
期间对负载电容。由于这个原因，电流限制
会增加而增加的负载电容的值。
ⅲ）如果在V
PP
上升特别快（ >48e6V /秒），那么它可以是
希望从栅极连接的电容器到的源
的MOSFET ，以提供用于功率应用转录的路径
过性秒杀，也就是现在的太快了内部钳位
机制。
ⅳ）为了限制在短路期间，在电阻器的峰值电流
串联在MOSFET的源极可能有帮助。
实施PWRGD控制
由于HV100 / HV101的占地面积小，可以创建
使用外部组件和一个开漏PWRGD信号
依然保持尺寸最小的热插拔媲美
其他地方的控制器。为了完成这个外部
MOSFET可以与门的输出一起使用。
简单地使用尺寸，使得一个高阻抗分压器（ 10MΩ ）的
开漏PWRGD MOSFET的阈值才会达到
一旦上述的HV100 / HV101的栅极电压上升以及
通过外部MOSFET通所需的电流限制值
装置。可选择地，栅极输出之间的齐纳二极管和
PWRGD上MOSFET的栅极设定为电压比更高
最大导通元件的Vt也将正常工作。
浪涌可从下式计算：
I
突（ PEAK ）
= (C
国际空间站
/ C
RSS
） * 2.5e3 * C
负载
这是一个令人惊讶的结果是一致的，因为对于大多数的MOSFET
特定类型C的比值的
国际空间站
/ C
RSS
是相对恒定的
（虽然从剧情预告，有一些变化）甚至
而这些绝对值和其它数量的不同而不同。
在此基础上，所述浪涌电流而变化，主要用C
负载
.
这使得设计与HV100 / HV101特别容易
因为一旦导通元件被选择，该周期是固定的，并
浪涌用C变化
负载
只。
HV100
PWGRD
02年8月26日rev.3b
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5
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