HUM3002/3003/3004
高电压，大功率PIN二极管
产品预览/初探
描述
主要特点
非磁性封装用于MRI
应用程序。
高功率，高电压
套餐（ 4千伏-40千瓦）
稳定的高电压芯片
钝化。
高额定电流。
高浪涌电流额定值。
低卢比，低损耗，低失真
设计。
应用/优势
MRI的应用程序。
高功率天线切换。
波段开关。
工业加热。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
这些Microsemi的PIN二极管非常适合高功率开关
应用高隔离度，低损耗，低失真的特性，并
高功率处理能力是至关重要的。这些PIN二极管利用
Microsemi的SOGO钝化工艺的卓越稳定的高电压
操作。该软件包是一个经过修改DO- 4的结构，便于安装下来
具有优良的热性能。没有薄内部带是用于
电气连接。 150安培半正弦8.3 ms的浪涌电流
好办。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
DO- 4 PIN
二极管
最大额定值@ 25°C
（除非另有规定编）
参数
反向电压
I
R
= 10A
平均功率
耗散
@梭哈= 50℃
RF功率处理
能力（ CW ）
@Zo = 50欧姆
RS = 0.1欧姆
@梭哈= 50℃
不重复
正弦浪涌
电流（ 8.3毫秒）
储存温度
范围
工作温度
范围
热阻
结到外壳
符号
V
R
I
O
TYPE
HUM3002
2,000
50
HUM3003
3,000
50
HUM3004
4,000
50
单位
V
W
P
RF
40
40
40
kW
I
FSM
T
英镑
T
OP
R
θ
JC
150
-55°C至
+150°C
-55°C至
+125
1.5
150
-55°C至
+150°C
-55°C至
+125
1.5
150
-55°C至
+150°C
-55°C至
+125
1.5
A
°C
°C
° C / W
电气特性
参数
二极管电阻
电容C
T
反向电流
载流子寿命
并联电阻
正向电压
符号
R
S
C
T
I
R
τ
R
P
Vf
条件
F = 10MHz时，如果= 250毫安
F = 1兆赫， 100 V
V
R
@额定电压
If
= 10毫安/ 100 V
F = 1兆赫， 100 V
IF = 0.5 A
民
典型值。
0.1
4.3
最大
0.2
5.0
10
单位
pF
A
s
k
V
20
5
30
0.75
Microsemi的
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