全息单元
HUL7001
全息单元
用于光信息处理
4.8±0.1
0.8×5=4.0±0.2
1号索引标记
引脚上的反面
11.2±0.2
8.2±0.2
8.0
+0
–0.05
1
2
3
4
5
6
(0.2)
(0.5)
2.55±0.2
0.25引线框架
3.0±0.2
单位：mm
特点
更小的封装尺寸实现通
微反射镜的集成
(4.8
×
8.2
×
4.3 mm)
聚焦误差信号检测： SSD方法
跟踪误差信号检测
：三光束法
低功率半导体激光器包括
(0.3)
O
Y
基准面
基准面
表观发光点
表观发光点
基准面
应用
CD
美国证券交易委员会。 X-O -Y
（注） ： 1，标准拐角R = 0.20最大值。
2.Thickness板：镍1微米分钟+金为0.1μm分钟。
3.Thickness的全息= 2.0毫米， N = 1.519
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
激光束输出
激光反向电压
监测PD反向电压
信号处理PD反向电压
工作环境温度
储存温度
符号
P
O
V
R（ LD ）
V
R（星期一）
V
R
T
OPR
T
英镑
评级
0.3
2
12
12
- 10 + 60
- 40 + 85
单位
mW
V
V
V
C
C
单元特性规格
（ TC = 25
±
3C)
参数
阈值电流
工作电流
工作电压
激光束输出
聚焦误差信号振幅
跟踪误差信号幅度
聚焦误差信号散焦
跟踪误差信号的对称性
聚焦误差信号的牵引范围
*1
测量
符号
I
th*1
I
OP*1,2
V
OP*1,2
P
O*1,2
I
FE*1,3
I
TE*1,4
D
FO*1,5
B
TE*1,4
D
FE*1,3
CW
条件
CW我
RF
= 10μA ，V
R
= 5V
CW我
RF
= 10μA ，V
R
= 5V
I
RF
= 10μA ，V
R
= 5V
I
RF
= 10μA ，V
R
= 5V
I
RF
= 10μA ，V
R
= 5V
I
RF
= 10μA ，V
R
= 5V
I
RF
= 10μA ，V
R
= 5V
I
RF
= 10μA ，V
R
= 5V
,,,,
,
,, ,
,,,,
,,
8.1±0.2
民
20
25
0.50
0.78±0.2
1.33±0.2
典型值
30
35
1.9
0.15
7
0.8
–8
– 30
10
1.3
12
使用测量在基准光学系统和对辐射功率的测量系统是由
*2
It
在图中所示的全息单元。 2 。
应当指出，在这些规范的RF信号的幅度被表示为我
RF
和表示11T的振幅
信号。如在所描述的情况
*1
, I
RF
使用图中所示的测量系统进行测量。 2 。
*3
该
定义示于图。 3 。
*4
的定义示于图。 4 。
*5
的定义示于图。 5 。
,,,,
,,,
美国证券交易委员会。 X-O -Y
12
11
10 X
9
8
7
(0.35)
4.33±0.2
2.55±0.2
4.7±0.1
最大
40
45
2.4
0.22
13
1.8
+8
+ 30
单位
mA
mA
V
mW
A
A
%
%
m
1
HUL7001
全息单元
特性规格为半导体激光器，监控PD和信令处理PD
（ TC = 25 ± 3C）
参数
半导体激光器
振荡波长
相干性
电流监视器
暗电流
pinss之间的电容
屏蔽频率
*6
测量
*7
除非
符号
λ
L*6
λ
*6
I
P(mon)*7
I
D
I
D(mon)*8
C
t(RF1)*9
C
t(RF2)*9
f
C
条件
CW我
RF
= 10μA ，V
R
= 5V
CW我
RF
= 10μA ，V
R
= 5V
CW我
RF
= 10μA ，V
R
= 5V
V
R
= 2.5V
V
R
= 5V
V
R
= 2.5V ， F = 1MHz的
V
R
= 2.5V ，R
L
= 50
民
775
典型值
790
0.5
最大
805
0.9
1.2
3.0
30
单位
nm
监测PD和信号处理的PD
0.3
0.7
0.2
0.3
2
3
40
mA
nA
nA
pF
pF
兆赫
使用辐射功率测量系统的全息单元上进行的。的定义示于图。 2 。
另有说明，示出的值是每个个体元件。
*8
下标（周一）表示元素（监视器PD ） 。
*9
C
表示在销中的电极连接图4号或10测得的电容。
t(RF2)
表示电容
在管脚号5或9中的电极连接图测量。
t(RF1)
接线图（图1 ）
（一）引脚排列
坚韧不拔的脸
代表第一针
在背面刻图章
引脚说明
PIN号
1
2
3
12
11
10
9
8
7
顶视图
功能
电源电压引脚的应用
监视电流输出引脚
跟踪误差信号输出引脚
射频和聚焦误差信号
输出引脚
射频和聚焦误差信号
输出引脚
电源电压引脚的应用
电源电压引脚的应用
跟踪误差信号输出引脚
射频和聚焦误差信号
输出引脚
射频和聚焦误差信号
输出引脚
LD +电源引脚
GND引脚
计算
I
P（星期一）
I
1
+ I
6
I
3
I
2
+ I
4
PIN号
1
2
3
4
5
6
4
5
6
7
8
9
10
（二）芯片架构
PMON
P1
P2
P3
P4
P5
LD
P6
P7
P8
P9
P10
：半导体激光芯片
：监控光检测
元素
P1 P10 ：信号检测轻
检测元素
LD
PMON
I
5
+ I
10
I
7
+ I
9
I
8
PD的输出电流In ：输出电流时，接收光的光
检测元件N（ n为110 ，N = P1至P10）
监视器PD的输出电流I
P（星期一）
：输出电流时，光
由PMON元件接收
聚焦误差信号
FE = （I
2
+I
4
+I
8
) – (I
3
+I
7
+I
9
)
磁盘接近FE > 0
盘据
FE < 0
TE = （I
1
+I
6
) – (I
5
+I
10
)
当接收到导梁梁
由光检测元件P1和P6 。
RF = I
2
+I
3
+I
4
+I
7
+I
8
+I
9
11
12
电极连接图
1,6,7
(V
R
)
P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 P10
PMON
LD
11
LD +
的跟踪误差信号
RF信号
3
4
5
8
9 10
2
12
GND
2
全息单元
HUL7001
光学结构图在测量过程中（图2 ）
（一）辐射功率测量系统
全息单元（ HUL7001 ）
全息单元
(HUL7001)
光轴
光检测元件
（ 10mm ）或激光光
连贯的input元素
测量系统
（二）在测量过程中参考的光学系统
表观发光点
25.3mm
执行器
19.0mm
PKG基准面
3.1mm
孔径
准直透镜
F = 25.3毫米
NA = 0.105
物镜
F = 4.5毫米
NA = 0.45
磁盘：
磁盘满足
CD规格
被使用。
（注）孔和光检测元件
被定位在垂直于轴线
从全息单元发射的光;
光轴被定位，以便通过
通过孔的中心。
的RF信号，聚焦误差信号和跟踪误差信号使用的测量
上述参考文献中的光学系统和图31所示的公式。 1 。
聚焦误差信号幅度和拉式
范围（图3）
跟踪误差信号幅度和上拉的
范围（图4）
追踪误差
信号强度
聚焦误差
信号
+
B
0
A
时间
答：跟踪信号幅值
B：跟踪信号之间的差异
振幅中心和电气中心
I
FE
物镜
运动
信号幅度
中心地面
–
D
FE
I
FE
：聚焦误差信号幅度
D
FE
：聚焦误差信号，牵引范围
跟踪误差信号的幅度余
TE
= A
跟踪误差信号的对称性B
TE
= B
×100
(%)
A
聚焦误差信号离焦（图5）
高
抖动
（纳秒）
D
J
：从位置物镜运动，其中聚焦误差信号
是0到抖动最佳位置。
S
(D
J
)
：金额聚焦误差信号的D处
J
低
+聚焦误差信号
I
FE
：聚焦误差信号幅度
远离盘
S
(D
J
)
临近盘
I
FE
0
D
J
–
在该图中，点0为点
该聚焦误差信号等于0 。
物镜
运动（ μA ）
聚焦误差信号
S
散焦
FO
=
(D
J
)
×100
(%)
I
EF
（聚焦误差信号的散焦的定义）
聚焦误差信号的量在抖动的最佳位置
聚焦误差信号振幅的百分比（％）
3
HUL7001
全息单元
重要LDHU使用信息
松下的激光全息检测单元（ LDHU ）
有使用塑料包装的特点，情况和整体的
光栅的低电流操作，高效率LA-
辑和，以便减小尺寸的光检测器
和重量的光学拾取器。
请按照下面给出的说明
利用此功能的优势，并确保
拾取器是高度可靠的。
1.静电
在LDHU中使用的半导体激光器是煤焦
acteristically ，特别是静态电力 - 敏感
性，在半导体器件中。因此必须注意
可采取在处理半导体激光器。如果
激光接收一个脉冲，导致光被但排放
泰德在过量的激光的最大额定值，在
激光器本身可以由光能量被损坏。
因此，采取措施，是非常重要
防止静电和浪涌的LDHU
当放在一起组装生产线也利于在
在生产过程中危及周围吧。
（ 1 ）检查所有的驱动电路，包括电源支持
层。采取足够的预防措施，以恩
肯定的是，例如，尖峰产生的电流
当电源开关接通或断开从不
超过的绝对最大额定值
LDHU 。同时将适当的保护电路
在LDHU驱动电路。
（ 2 ）注意不要让静电DE-
STROY的LDHU在处理它。有效的测
祖雷斯贝尔为防止静电IN-
CLUDE车身接地（通过1MΩ ） ，如
以及用于地板，作为导电地垫，导电
服装，导电鞋，导电CON-
tainers 。烙铁的提示必须是
接地。我们建议使用负离子空气净化器等，
特别是在设施和地方静
电容易产生。
（3）所述的激光也可以通过异常销毁
脉冲附近设备。因此fluo-
rescent灯和测量设备应该
无法打开激光近或关闭。
2. LDHU放热设计
半导体激光器，这是光但排放
婷设备，自然有一个有限的使用寿命。这
使用寿命缩短，由于温度IN-
折痕。因此设计中应包括suit-
能够放热措施。从放热
引线框架和封装的后面必须IN-
corporated到设计中，为了提高耐热
释放能力。在评估援助
热释放能力（耐热性） ，请
联系我们。
3.存储LDHU单位去除Alumi-后
NUM-复合袋
如果电源被安装存储为前前
倾向的时间周期在高湿度环境
包换，焊接安装在随后的加热会
造成水分的部分蒸发。这可能
导致分手的特性有关的问题。
为了防止吸收水分， LDHU
单位包装在防潮铝lami-
这是与硅胶密封在一起，转换后的包装袋
之前出货。后LDHU单元是从除去
这些防潮袋，安装过程
应该迅速地完成。未使用的LDHU单位
已开封且需要延长stor-
年龄应放回他们的铝叠层
袋（连同硅胶）并重新密封。
对于LDHU mount-推荐环境
ING是一个温度范围5℃至35℃和厘清
略去湿度范围为45％到75 ％。 （为了防止EX-
cessive湿度，因为静电OC-
小人更容易，如果湿度太低）。
4
全息单元
HUL7001
4.重要信息有关焊接
特种塑料在LDHU包中
和全息图。因此，只有在引脚（引脚）
应加热（烙铁，浸等过程） ，
和焊接时间要短。总供热
方法如回流焊接应
避免使用。 （该装置是镀金的，以确保
良好的焊料附着性，所以很短的焊接时间是
足够了。 ）此外，还建议该热
水槽或其他装置被用于提高
为了预先封装的热释放效应
从变热，作为一个结果放空包
传热和辐射即使当引线
被加热。
焊接位置
6.机械应力
（1）压在所述封装
该LDHU包做得薄，以便重新
达斯其大小。因此，在封装压力
产生的热量释放的等可能会引起问题
如在包形状或变化的变化
其特性。在该点压力应用程序
阳离子，力应限制值; 1kgf （ 9.8N ）或
少，但请设计使得该区域的压力
应用程序可以采用尽可能。
（2 ）铅形成和切削
在情况下，铅的形成和切割都重新
quired ，这些行动必须去甲进行
发作温度在焊接之前。加工
在高温下的立即执行的步骤
焊接后，或后的焊锡硬化
应尽量避免。此外，步骤应
注意确保过大的机械应力
在铅的形成和切割不适用。
特别应小心以避免在应力
该封装的引线的碱，因为这可能造成
问题，如碎裂树脂。
7.其他事项
（1）全息图的表面是非常重要的
光发射和光检测。因此不在乎
应当注意确保没有指印
表面上打印，剩余磁通后，可焊
荷兰国际集团，还是坚持灰尘。
（2）用肉眼看，激光束是EX-
tremely危险的，并可能导致失明。
不要直视激光虽然是operat-
ING 。
（ 3 ）本文档中列出的产品的目的
对于在标准应用中使用，也就是说，一般elec-
tronic的设备（如办公设备，测定的
荷兰国际集团设备和消费电子产品的精良
UCTS ） 。考虑到客户的应用involv-
荷兰国际集团的特殊品质和可靠性的要求和
携带人的生命或身体损坏丢失的风险
时代在发生事故或故障，或事件
特定的应用程序（如航空航天应用
系统蒸发散，交通运输设备，燃烧
设备和安全设备） ，和客户
考虑到应用程序比其他标准
旨在通过我们的应用程序应该与我们
销售办事处使用这些产品之前。
,,
,,,
,
A
A
答：请确保至少有1mm的间隙。
焊接温度和时间
温度： 260C最高
时间：最大5秒
5.助焊剂清洗方法
酒精被推荐为助熔剂洁净的溶剂
ING 。特别是氯基的溶剂是一
造成铅腐蚀和设备损坏。
石油基溶剂，因为要避免
它们恶化迈向成熟之间的粘合
克和包装。
此外，应避免超声波清洗
由于该装置是中空的。应注意
在涂刷全息图表面，因为这可能
划伤的背面。
5
QQ：2881677436 复制
