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HUFA76407DK8
数据表
2001年12月
3.5A ， 60V ， 0.105欧姆，双N沟道，
逻辑电平UltraFET功率MOSFET
包装
JEDEC MS- 012AA
BRANDING DASH
特点
超低导通电阻
- r
DS （ ON）
= 0.090,
V
GS
=
10V
- r
DS （ ON）
= 0.105,
V
GS
=
5V
5
1
2
3
4
仿真模型
- 温度补偿的PSpice和SABER
电气模型
- 香料和剑热阻抗模型
- www.fairchildsemi.com
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
符号
SOURCE1 （1）
GATE1 （2）
漏1（8）
漏1（7）
瞬态热阻抗曲线VS主板安装
区域
开关时间与
GS
曲线
源2 （ 3 ）
GATE2 （4）
漏极2（6）
漏极2（5）
订购信息
产品型号
HUFA76407DK8
包
MS-012AA
BRAND
76407DK8
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻x深
获得在磁带和卷轴，例如， HUFA76407DK8T的变种。
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
HUFA76407DK8
60
60
±16
3.5
3.8
1.0
1.0
图4
图6，图17，18
2.5
20
-55到150
300
260
单位
V
V
V
A
A
A
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续（T
A
= 25
o
C，V
GS
= 5V） （注2） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
A
= 25
o
C，V
GS
= 10V ） （图2 ） （注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
A
= 100
o
C，V
GS
= 5V） （注3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
A
= 100
o
C，V
GS
= 4.5V ） （图2） （注3） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 UIS
功率耗散（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief TB334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意事项：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
2. 50
o
使用FR-4板C / W的测定0.76中
2
(490.3 mm
2
）铜焊盘为1秒。
3. 228
o
使用FR-4板C / W的测定0.006在
2
(3.87 mm
2
）铜垫1000秒。
W
毫瓦/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意事项：
应力超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
该产品的设计，以满足极端测试条件和环境，汽车行业要求。对于副本
的要求，请参阅AEC Q101为： http://www.aecouncil.com/
http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html ：可靠性数据可以在这里找到。
所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系认证，组装和测试。
2001仙童半导体公司
HUFA76407DK8版本B
HUFA76407DK8
电气规格
参数
OFF状态规格
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图12）
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
A
= -40
o
C（图12）
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V ，T
A
= 150
o
C
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图11）
I
D
= 3.8A ，V
GS
= 10V （图9，图10）
I
D
= 1.0A ，V
GS
= 5V （图9）
I
D
= 1.0A ，V
GS
= 4.5V （图9）
热规格
热阻结到
环境
R
θJA
焊盘面积=在0.76
2
(490.3 mm
2
） （注2 ）
焊盘面积= 0.027中
2
(17.4 mm
2
） （图23）
焊盘面积= 0.006
2
(3.87 mm
2
） （图23）
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 4.5V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
（图13）
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 30V,
I
D
= 1.0A,
I
G（ REF ）
= 1.0毫安
（图14 ，图19， 20）的
V
DD
= 30V ，我
D
= 3.8A
V
GS
=
10V,
R
GS
= 30
（图16 ， 21 ， 22 ）
V
DD
= 30V ，我
D
= 1.0A
V
GS
=
4.5V ，R
GS
= 27
（图15 ， 21 ， 22 ）
-
-
-
-
-
-
-
8
30
25
25
-
57
-
-
-
-
75
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
-
-
50
191
228
o
C / W
o
C / W
o
C / W
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
60
55
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
V
A
A
nA
V
GS
=
±16V
1
-
-
-
-
0.075
0.088
0.092
3
0.090
0.105
0.110
V
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 10V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
栅极电荷规格
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
电容规格
输入电容
输出电容
反向传输电容
-
-
-
330
100
18
-
-
-
pF
pF
pF
-
-
-
-
-
9.4
5.3
0.42
1.05
2.4
11.2
6.4
0.5
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
-
-
-
-
-
-
-
5
11
46
31
-
24
-
-
-
-
116
ns
ns
ns
ns
ns
ns
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
符号
V
SD
t
rr
Q
RR
I
SD
= 3.8A
I
SD
= 1.0A
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 1.0A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 1.0A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
1.25
1.00
48
89
单位
V
V
ns
nC
2001仙童半导体公司
HUFA76407DK8版本B
HUFA76407DK8
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（
o
C)
0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（
o
C)
4
V
GS
= 10V ，R
θJA
= 50
o
C / W
3
I
D
，漏电流（ A）
2
1
V
GS
= 4.5V ，R
θJA
= 228
o
C / W
图1.归功耗与AMBIENT
温度
图2.最大连续漏极电流VS
环境温度
2
1
热阻抗
Z
θJA
归一化
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
R
θJA
= 228
o
C / W
0.1
0.01
单脉冲
0.001
10
-5
10
-4
10
-3
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图3.归一化最大瞬态热阻抗
200
100
I
DM
峰值电流（ A）
R
θJA
= 228
o
C / W
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
150 - T
A
125
V
GS
= 5V
10
1
跨
可能限流
在这个区域
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（ S）
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-5
图4.峰值电流容量
2001仙童半导体公司
HUFA76407DK8版本B
HUFA76407DK8
典型性能曲线
500
R
θJA
I
D
，漏电流（ A）
100
= 228
o
C / W
（续）
50
I
AS
，雪崩电流（ A）
单脉冲
T
J
=最大额定
T
A
= 25
o
C
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
10
起始物为
J
= 25
o
C
起始物为
J
= 150
o
C
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
100s
1ms
10ms
1
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
100
200
1
0.01
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322 。
图5.正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关
能力
20
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
T
J
= -55
o
C
20
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
T
J
= 25
o
C
V
GS
= 5V
15
V
GS
= 4V
10
V
GS
= 3.5V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
A
= 25
o
C
V
GS
= 3V
4
V
GS
= 4.5V
I
D,
漏电流（ A）
15
T
J
= 150
o
C
10
5
5
0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.5
4.0
V
GS
，门源电压（ V）
5.0
0
0
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.传热特性
图8.饱和特性
150
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
2.0
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
I
D
= 3.8A
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.8A
120
1.5
I
D
= 1A
90
1.0
60
2
3
5
7
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
9
10
0.5
-80
-40
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2001仙童半导体公司
HUFA76407DK8版本B
HUFA76407DK8
典型性能曲线
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
（续）
1.2
I
D
= 250A
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图12.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
10
1000
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
C，电容（pF ）
V
GS
，门源电压（ V）
V
DD
= 30V
8
6
100
C
OSS
C
DS
+ C
GD
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 3.8A
I
D
= 1.0A
0
2
4
6
Q
g
，栅极电荷（ NC）
8
10
2
10
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
5
0.1
1.0
C
RSS
=
C
GD
0
10
60
V
DS
，漏源极电压（ V）
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图14.门充电波形恒
栅电流
图13.电容VS漏源极电压
50
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 30V ，我
D
= 1.0A
切换时间（纳秒）
40
t
f
30
t
D（关闭）
t
r
切换时间（纳秒）
80
V
GS
= 10V, V
DD
= 30V ，我
D
= 3.8A
t
D（关闭）
60
t
f
40
20
t
D（上）
10
20
t
r
t
D（上）
0
0
10
20
30
40
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
50
0
0
10
20
30
40
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
50
图15.开关时间与栅极电阻
图16.开关时间与栅极电阻
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HUFA75531SK8
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