HUFA75545P3 ， HUFA75545S3S
数据表
2001年12月
75A ， 80V ， 0.010 Ohm的N通道，
UltraFET功率MOSFET
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
JEDEC TO- 263AB
特点
漏
（法兰）
超低导通电阻
- r
DS （ ON）
= 0.010
,
V
GS
=
10V
仿真模型
- 温度补偿的PSpice和SABER
电气模型
- 香料和剑热阻抗模型
- www.fairchild.com
峰值电流与脉冲宽度曲线
门
来源
漏
（法兰）
HUFA75545P3
HUFA75545S3S
符号
D
UIS额定值曲线
订购信息
产品型号
包
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
75545P
75545S
HUFA75545P3
HUFA75545S3S
G
S
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻x深来
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，例如， HUFA75545S3ST 。
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HUFA75545P3 ， HUFA75545S3S
单位
V
V
V
A
A
80
80
±
20
75
73
图4
图6
270
1.8
-55至175
300
260
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20k
） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
C
= 100
o
C，V
GS
= 10V ）（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .UIS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ，见Techbrief TB334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意事项：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意事项：
应力超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
该产品的设计，以满足极端测试条件和环境，汽车行业要求。对于副本
的要求，请参阅AEC Q101为： http://www.aecouncil.com/
http://www.mtp.fairchild.com/automotive.html ：可靠性数据可以在这里找到。
所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系认证，组装和测试。
2001仙童半导体公司
HUFA75545P3 ， HUFA75545S3S版本B
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