HUFA75307T3ST
数据表
2001年12月
2.6A ， 55V ， 0.090 Ohm的N通道UltraFET
功率MOSFET
这N沟道功率MOSFET是
使用创新的制造
UltraFET 工艺。这种先进
工艺技术达到
每个硅面积尽可能低的导通电阻，从而产生
出色的表现。这种装置能够
在雪崩模式和经受高能量
二极管表现出非常低的反向恢复时间，并存储
费。它被设计用于在应用中的功率
效率是很重要的，如开关稳压器，
开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低
电压总线开关和电源管理在便携式
和电池供电产品。
以前发育类型TA75307 。
特点
2.6A ， 55V
超低导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.090
二极管展品高速和软恢复
温度补偿PSPICE
模型
热阻抗SPICE模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
HUFA75307T3ST
包
SOT-223
5307
S
BRAND
G
注： HUFA75307T3ST仅在磁带和卷轴。
包装
SOT-223
漏
（法兰）
门
漏
来源
该产品的设计，以满足极端测试条件和环境，汽车行业要求。对于副本
的要求，请参阅AEC Q101为： http://www.aecouncil.com/
http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html ：可靠性数据可以在这里找到。
所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系认证，组装和测试。
2001仙童半导体公司
HUFA75307T3ST版本B
HUFA75307T3ST
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
55
55
±20V
2.6
图5
图6，图14 ， 15
1.1
9.09
-55到150
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续（图2） （注2） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功率耗散（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
W
毫瓦/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气规格
参数
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
QGS
QGD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJA
垫面积= 0.171中
2
（见注2 ）
焊盘面积= 0.068中
2
焊盘面积= 0.026中
2
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
（图12）
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 30V,
I
D
2.6A,
R
L
= 11.5
I
G（ REF ）
= 1.0毫安
（图13）
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图11）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图10）
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
DS
= 45V, V
GS
= 0V ，T
A
= 150
o
C
V
GS
=
±20V
I
D
= 2.6A ，V
GS
= 10V） （图9）
V
DD
= 30V ，我
D
2.6A,
R
L
= 11.5, V
GS
=
10V,
R
GS
= 25
民
55
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
0.070
-
5
30
35
25
-
14
8.3
0.6
1.00
4.00
250
115
30
-
-
-
最大
-
4
1
250
100
0.090
55
-
-
-
-
90
17
10
0.8
-
-
-
-
-
110
128
147
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
门源阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到环境
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意：
2. 110
o
使用FR- 4板0.171in C / W测
2
占地面积为1000 。
符号
V
SD
t
rr
Q
RR
测试条件
I
SD
= 2.6A
I
SD
= 2.6A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 2.6A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
1.25
40
50
单位
V
ns
nC
2001仙童半导体公司
HUFA75307T3ST版本B
HUFA75307T3ST
典型性能曲线
20
I
AS
，雪崩电流（ A）
（续）
10
I
D
，漏电流（ A）
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
25
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
V
GS
= 7V
V
GS
= 6V
20
起始物为
J
= 25
o
C
15
10
起始物为
J
= 150
o
C
V
GS
= 5V
5
1
0.01
0
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
A
= 25
o
C
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏源极电压（ V）
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关能力
图7.饱和特性
2.5
归一漏极至源极
抗性
-55
o
C
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.6A
2.0
25
I
D,
漏电流（ A）
20
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
25
o
C
150
o
C
15
1.5
10
5
1.0
0
0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
0.5
-80
-40
V
GS
，门源电压（ V）
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
图8.传热特性
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
1.2
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
0.9
0.4
-80
-40
0
40
80
120
160
0.8
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
T
J
，结温（
o
C)
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
2001仙童半导体公司
HUFA75307T3ST版本B
HUFA75307T3ST
典型性能曲线
500
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
= C
DS
+ C
GD
V
GS
，门源电压（ V）
（续）
10
任意波形
降序排列：
I
D
= 2.6A
I
D
= 1.5A
I
D
= 0.5A
V
DD
= 30V
400
C，电容（pF ）
8
300
C
国际空间站
200
C
OSS
100
C
RSS
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（ V）
60
6
4
2
0
0
2
4
Q
g
，栅极电荷（ NC）
6
8
图12.电容VS漏源极电压
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图13.门充电波形恒
栅电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
V
DS
R
L
V
DD
V
DS
V
GS
= 20V
V
GS
+
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
V
DD
V
GS
V
GS
= 2V
0
Q
G（ TH ）
I
G（ REF ）
0
V
GS
= 10V
-
DUT
I
G（ REF ）
图16.栅极电荷测试电路
图17.栅极充电波形
2001仙童半导体公司
HUFA75307T3ST版本B
QQ：2881677436 复制
