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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第306页 > HUF76609D3ST
HUF76609D3 ， HUF76609D3S
数据表
1999年10月
网络文件编号
4688.2
10A ， 100V ， 0.165 Ohm的N通道，逻辑
等级UltraFET功率MOSFET
包装
JEDEC TO- 251AA
漏
（法兰）
特点
JEDEC TO- 252AA
漏
（法兰）
来源
漏
门
超低导通电阻
- r
DS （ ON）
= 0.160,
V
GS
=
10V
- r
DS （ ON）
= 0.165,
V
GS
=
5V
仿真模型
- 温度补偿PSPICE
和SABER
电气模型
- 香料和SABER
热阻抗模型
- www.intersil.com
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
门
来源
HUF76609D3
HUF76609D3S
符号
D
开关时间与
GS
曲线
订购信息
产品型号
包
TO-251AA
TO-252AA
BRAND
76609D
76609D
HUF76609D3
HUF76609D3S
G
S
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻x深
获得在磁带和卷轴，例如， HUF76609D3ST的变种。
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HUF76609D3,
HUF76609D3S
单位
V
V
V
A
A
A
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 5V） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
C
= 100
o
C，V
GS
= 5V） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
C
= 100
o
C，V
GS
= 4.5V ）（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .UIS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ，见Techbrief TB334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
100
100
±16
10
10
7
7
图4
图6，图17，18
49
0.327
-55至175
300
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意事项：
应力超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：这些器件对静电放电敏感。遵循正确的ESD处理程序。
UltraFET 是Intersil公司的商标。于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
SABER
2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有
是比喻Inc.http的版权所有： //www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
1
HUF76609D3 ， HUF76609D3S
电气连接特定的阳离子
参数
OFF状态规格
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图12）
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
C
= -40
o
C（图12）
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 95V, V
GS
= 0V
V
DS
= 90V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图11）
I
D
= 10A ，V
GS
= 10V （图9，图10）
I
D
= 7A ，V
GS
= 5V （图9）
I
D
= 7A ，V
GS
= 4.5V （图9）
热规格
热阻结到外壳
热阻结到
环境
R
θJC
R
θJA
的TO- 251和TO- 252
-
-
-
-
3.06
100
o
C / W
o
C / W
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
100
90
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
3
0.160
0.165
0.168
V
V
A
A
nA
V
GS
=
±16V
1
-
-
-
-
0.130
0.135
0.140
V
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 4.5V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
（图13）
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 50V,
I
D
= 7A,
I
G（ REF ）
= 1.0毫安
（图14 ，图19， 20）的
V
DD
= 50V ，我
D
= 10A
V
GS
=
10V,
R
GS
= 24
（图16 ， 21 ， 22 ）
V
DD
= 50V ，我
D
= 7A
V
GS
=
4.5V ，R
GS
= 20
（图15 ， 21 ， 22 ）
-
-
-
-
-
-
-
10
41
30
28
-
77
-
-
-
-
87
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 10V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
栅极电荷规格
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
电容规格
输入电容
输出电容
反向传输电容
-
-
-
425
75
22
-
-
-
pF
pF
pF
-
-
-
-
-
13
7.3
0.5
1.4
3.4
16
8.8
0.6
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
-
-
-
-
-
-
-
6
18
55
39
-
36
-
-
-
-
141
ns
ns
ns
ns
ns
ns
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
符号
V
SD
t
rr
Q
RR
I
SD
= 7A
I
SD
= 4A
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 7A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 7A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
1.25
1.0
92
273
单位
V
V
ns
nC
2
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HUF76609D3 ， HUF76609D3S
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
9
V
GS
= 4.5V
6
V
GS
= 10V
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
12
3
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
1
热阻抗
Z
θJC
归一化
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
单脉冲
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
200
I
DM
峰值电流（ A）
100
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 5V
10
跨
可能限流
在这个区域
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
5
10
-5
图4.峰值电流容量
3
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HUF76609D3 ， HUF76609D3S
典型性能曲线
100
I
AS
，雪崩电流（ A）
（续）
100
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
起始物为
J
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
10
100s
10
1
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
1
10
100
1ms
10ms
起始物为
J
= 150
o
C
0.1
1
300
0.001
0.01
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
V
DS
，漏源极电压（ V）
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图5.正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关
能力
20
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
15
20
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
V
GS
= 3.5V
I
D,
漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
15
V
GS
= 4V
10
10
V
GS
= 3V
5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
0
1
2
3
4
5
5
T
J
= 25
o
C
0
1.5
2.0
T
J
= 175
o
C
T
J
= -55
o
C
2.5
3.0
3.5
4.0
0
V
GS
，门源电压（ V）
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.传热特性
图8.饱和特性
200
I
D
= 10A
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
180
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
3.0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
2.5
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
2.0
160
I
D
= 4A
140
I
D
= 7A
1.5
120
1.0
100
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
4
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HUF76609D3 ， HUF76609D3S
典型性能曲线
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.0
（续）
1.2
I
D
= 250A
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图12.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
V
GS
，门源电压（ V）
2000
1000
C，电容（pF ）
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
100
10
V
DD
= 50V
8
6
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 10A
I
D
= 7A
I
D
= 4A
0
3
6
9
12
15
C
RSS
=
C
GD
10
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
5
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
2
0
Q
g
，栅极电荷（ NC）
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图13.电容VS漏源极电压
图14.门充电波形恒
栅电流
80
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 50V ，我
D
= 7A
t
r
切换时间（纳秒）
60
t
D（关闭）
40
t
f
切换时间（纳秒）
120
V
GS
= 10V, V
DD
= 50V ，我
D
= 10A
90
t
D（关闭）
60
t
f
30
t
r
t
D（上）
0
20
t
D（上）
0
0
10
20
30
40
50
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
0
10
20
30
40
50
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
图15.开关时间与栅极电阻
图16.开关时间与栅极电阻
5
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