HUF76437P3 , HUF76437S3S
数据表
1999年11月
网络文件编号
4709.2
64A , 60V , 0.017 Ohm的N通道,逻辑
等级UltraFET功率MOSFET
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
特点
JEDEC TO- 263AB
漏
(法兰)
超低导通电阻
- r
DS ( ON)
= 0.014,
V
GS
=
10V
- r
DS ( ON)
= 0.017,
V
GS
=
5V
仿真模型
- 温度补偿PSPICE
和SABER
电气模型
- 香料和SABER
热阻抗模型
- www.intersil.com
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
门
来源
漏
(法兰)
HUF76437P3
HUF76437S3S
符号
D
开关时间与
GS
曲线
订购信息
产品型号
包
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
76437P
76437S
HUF76437P3
HUF76437S3S
G
S
注:订货时,使用整个零件编号。添加SUF科幻x深
获得在磁带和卷轴,例如, HUF76437S3ST的变种。
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
HUF76437P3,
HUF76437S3S
单位
V
V
V
A
A
A
A
漏源极电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压(R
GS
= 20kΩ时)(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续(T
C
= 25
o
C,V
GS
= 5V) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续(T
C
= 25
o
C,V
GS
= 10V )(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续(T
C
= 100
o
C,V
GS
= 5V) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续(T
C
= 100
o
C,V
GS
= 4.5V )(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .UIS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ,见Techbrief TB334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意事项:
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
60
60
±16
64
71
45
44
图4
图6,图17,18
155
1.03
-55至175
300
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意事项:
应力超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
1
注意:这些器件对静电放电敏感。遵循正确的ESD处理程序。
UltraFET 是Intersil公司的商标。于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
SABER 比喻是公司1-888- INTERSIL或321-724-7143的著作权
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版权
Intersil公司1999 。